IC-Hersteller Analog Devices

IC-Hersteller (103)

Analog Devices LT4295 | Demoboard DC2584A / DC2584A-A

High Efficiency IEEE 802.3bt (PoE++, Type 4, 71W) PD with Forward DC/DC Converter

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung37-57 V
Ausgang 112 V / 5.5 A
IC-Revision1

Beschreibung

Demonstration circuit 2584A is an IEEE 802.3bt (Draft2.1) compliant Power over Ethernet (PoE) PoweredDevice (PD). It features the LT®4295 PD interface andswitching regulator controller and the LT4321 PoE idealdiode bridge controller.The LT4295 provides IEEE  802.3af (PoE, Type 1),IEEE 802.3at (PoE+, Type 2), and IEEE 802.3bt (PoE++,Type 3 and 4) compliant interfacing and power supplycontrol. It utilizes an external, low RDS(on) (30mΩ typical)N-channel FET for the hot swap function to improveefficiency. The LT4295 controls a DC/DC converter thatutilizes a highly efficient active-clamp forward convertertopology with synchronous rectification.The LT4321 controls eight low RDS(on) (30mΩ typical)N-channel FETs to further improve end-to-end powerdelivery efficiency and ease thermal design. This solutionreplaces the eight diodes typically found in a passivePoE rectifier bridge.The DC2584A-A accepts up to 71W of delivered powerfrom a Power Sourcing Equipment (PSE) via the RJ45connector (J1) or a local 48V DC power supply using theauxiliary supply input. When both supplies are connected,the auxiliary supply input has priority over the PoE input.The DC2584A-A supplies a 12V output at up to 5.5A

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
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Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
VPE
RDC typ.(mΩ)
RDC max.(mΩ)
IR 1(A)
L1(mH)
RDC1 max.(Ω)
VR(V (AC))
VT(V (RMS))
Material
L(mm)
B(mm)
H(mm)
Montageart
MusterVerfügbarkeit & Muster
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 4.9 µH, 8.3 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.9 µH
Performance Nennstrom8.3 A
Sättigungsstrom 12.2 A
Sättigungsstrom @ 30%6.5 A
Gleichstromwiderstand14.5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz56 MHz
Verpackungseinheit1000 
Gleichstromwiderstand15.95 mΩ
MaterialSuperflux 
Länge7 mm
Breite6.9 mm
Höhe4.8 mm
MontageartSMT 
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-XHMI SMT Speicherdrossel, 8.2 µH, 13.4 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität8.2 µH
Performance Nennstrom13.4 A
Sättigungsstrom 19.4 A
Sättigungsstrom @ 30%20.45 A
Gleichstromwiderstand10 mΩ
Eigenresonanzfrequenz16 MHz
Verpackungseinheit300 
Gleichstromwiderstand10 mΩ
Gleichstromwiderstand11 mΩ
Länge11.6 mm
Breite10.5 mm
Höhe8.8 mm
MontageartSMT 
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749022016
SPEC10/100/1000 Base-T SMT Transformer, 350 µH, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
Downloads
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Produktserie 10/100/1000 Base-T SMT Transformer
Induktivität350 µH
Prüfspannung1500 V (RMS)
Länge18.16 mm
Breite16 mm
Höhe10.16 mm
MontageartSMT 
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SPECWE-LF SMT Stromkompensierte Netzdrossel in SMT, 2200 µH, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2200 µH
Verpackungseinheit200 
Gleichstromwiderstand100 mΩ
Nennstrom [1]2.75 A
Induktivität [1]2.2 mH
Gleichstromwiderstand [1]0.1 Ω
Nennspannung250 V (AC)
Prüfspannung1500 V (RMS)
MaterialMnZn 
Länge23.3 mm
Breite18.5 mm
Höhe11.5 mm
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