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IC-Hersteller Analog Devices

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ReferenzdesignLT4295 | Demoboard DC2476A

Analog Devices LT4295 | Demoboard DC2476A

High Efficiency IEEE 802.3bt (PoE++, Type 4, 62W/71W) PD with Flyback DC/DC Converter and Auxiliary Supply Input

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung37-57 V
Ausgang 124 V / 2.7 A
IC-Revision1

Beschreibung

Demonstration Circuit 2476A is an IEEE 802.3bt (Draft 2.2) compliant power over ethernet (PoE) powered device (PD). It features the LT®4295 PD interface and switching regulator controller and the LT4321 PoE ideal diode bridge controller.The LT4295 provides IEEE 802.3af (PoE, Type 1), IEEE802.3at (PoE+, Type 2), and IEEE 802.3bt (PoE++, Type 3and 4) compliant interfacing and power supply control. Itutilizes an external, low RDS(on) (30mΩ typical) N-channelFET for the hot swap function to improve efficiency. TheLT4295 controls a DC/DC converter that utilizes a highlyefficient flyback topology with synchronous rectification.

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
VT(V (RMS))
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Material
VPE
MusterVerfügbarkeit & Muster
744316100
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1 µH, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

EDA-Modelle: Bauteile ZIP

CAD-Dateien ZIP

Elektrische Modelle ZIP

Alle 9 Dateien als ZIP herunterladen
ZIP

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität1 µH
–
Performance Nennstrom14.8 A
Sättigungsstrom 15.5 A
Sättigungsstrom @ 30%11.5 A
Gleichstromwiderstand4.75 mΩ
Eigenresonanzfrequenz158 MHz
MaterialSuperflux 
Verpackungseinheit1500 
–Verfügbarkeit prüfen
744316470
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 4.7 µH, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

EDA-Modelle: Bauteile ZIP

CAD-Dateien ZIP

Elektrische Modelle ZIP

Alle 9 Dateien als ZIP herunterladen
ZIP

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität4.7 µH
–
Performance Nennstrom6 A
Sättigungsstrom 12.5 A
Sättigungsstrom @ 30%4.7 A
Gleichstromwiderstand24.5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz57 MHz
MaterialSuperflux 
Verpackungseinheit1500 
–Verfügbarkeit prüfen
749022016
SPEC10/100/1000 Base-T SMT Transformer, 350 µH, 1500 V (RMS)
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads–
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Produktserie 10/100/1000 Base-T SMT Transformer
Induktivität350 µH
Prüfspannung1500 V (RMS)
–
–
–
–
–
–
–
–Verfügbarkeit prüfen
750316231
SPECFlyback Transformer, –, –
Simu­lation–
Verfügbarkeit
–
Downloads–
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Produktserie Flyback Transformer
–
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–
–
–
–
–
–
–
–Verfügbarkeit prüfen