| Topologie | Abwärtswandler |
| Eingangsspannung | 3.2-36 V |
| Schaltfrequenz | 220-2400 kHz |
| Ausgang 1 | 1 A |
| Ausgang 2 | 1 A |
| Ausgang 3 | 2 A |
| IC-Revision | A |
The LT®3514 consists of three buck regulators (2A, 1A, 1A output current). The device has a wide operating input range of 3.2V to 36V. An on-chip boost regulator allows each channel to operate up to 100% duty cycle. The LT3514 is designed to minimize external component count and results in a simple and small application circuit.
The LT3514 operates robustly in fault conditions. Cycleby- cycle peak current limit and catch diode current limit sensing protect the IC during overload conditions. Thermal shutdown protects the power switches at elevated temperatures. Soft-start helps control the peak inductor current during startup.
The LT3514 also features output voltage tracking and sequencing, programmable frequency, programmable undervoltage lockout, and a power good pin to indicate when all outputs are in regulation.
The LT3514 has one fewer channel (CH2) than the LT3504, and has one channel (CH3) that outputs 2A instead of 1A. The LT3514 in QFN is pin compatible with the LT3504. The LT3504 provides four 1A outputs.
Remarks:
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IR(A) | ISAT(A) | fres(MHz) | Montageart | IRP,40K(A) | RDC max.(mΩ) | Bauform | Version | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 2.7 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-TPC SMT-Speicherdrossel | Induktivität1 µH | Nennstrom2.7 A | Sättigungsstrom2.6 A | Eigenresonanzfrequenz177 MHz | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand30 mΩ | Bauform4818 | VersionSMT | – | – | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 5.37 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität1 µH | Nennstrom5.37 A | Sättigungsstrom6.4 A | Eigenresonanzfrequenz115 MHz | MontageartSMT | Performance Nennstrom8.3 A | Gleichstromwiderstand12 mΩ | Bauform7332 | VersionGestanzt | Sättigungsstrom 16.4 A | Sättigungsstrom @ 30%8 A | ||||
![]() | WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 1.2 µH, 3.1 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-TPC SMT-Speicherdrossel | Induktivität1.2 µH | Nennstrom3.1 A | Sättigungsstrom2.8 A | Eigenresonanzfrequenz150 MHz | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand20 mΩ | Bauform4828 | – | – | – | ||||
![]() | WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 1.8 µH, 2.35 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-TPC SMT-Speicherdrossel | Induktivität1.8 µH | Nennstrom2.35 A | Sättigungsstrom2.4 A | Eigenresonanzfrequenz100 MHz | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand50 mΩ | Bauform4818 | VersionSMT | – | – | ||||
![]() | WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 2.7 µH, 2.03 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-TPC SMT-Speicherdrossel | Induktivität2.7 µH | Nennstrom2.03 A | Sättigungsstrom2.2 A | Eigenresonanzfrequenz90 MHz | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand60 mΩ | Bauform4818 | VersionSMT | – | – | ||||
![]() | WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 1.95 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-TPC SMT-Speicherdrossel | Induktivität3.3 µH | Nennstrom1.95 A | Sättigungsstrom1.8 A | Eigenresonanzfrequenz80 MHz | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand65 mΩ | Bauform4818 | VersionSMT | – | – | ||||
![]() | WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 2.15 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-TPC SMT-Speicherdrossel | Induktivität3.3 µH | Nennstrom2.15 A | Sättigungsstrom1.8 A | Eigenresonanzfrequenz80 MHz | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand35 mΩ | Bauform4828 | – | – | – | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 3.1 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität3.3 µH | Nennstrom3.1 A | Sättigungsstrom4.1 A | Eigenresonanzfrequenz61 MHz | MontageartSMT | Performance Nennstrom4.9 A | Gleichstromwiderstand32 mΩ | Bauform7332 | VersionGestanzt | Sättigungsstrom 14.1 A | Sättigungsstrom @ 30%5.1 A | ||||
![]() | WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 4 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD2 SMT-Speicherdrossel | Induktivität3.3 µH | Nennstrom4 A | Sättigungsstrom7.5 A | Eigenresonanzfrequenz43 MHz | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand60 mΩ | Bauform5848 | – | – | – | ||||
![]() | WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 3.9 µH, 1.82 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-TPC SMT-Speicherdrossel | Induktivität3.9 µH | Nennstrom1.82 A | Sättigungsstrom1.7 A | Eigenresonanzfrequenz70 MHz | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand75 mΩ | Bauform4818 | VersionSMT | – | – | ||||
![]() | WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 1.72 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-TPC SMT-Speicherdrossel | Induktivität4.7 µH | Nennstrom1.72 A | Sättigungsstrom1.65 A | Eigenresonanzfrequenz70 MHz | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand82 mΩ | Bauform4818 | VersionSMT | – | – | ||||
![]() | WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 1.55 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-TPC SMT-Speicherdrossel | Induktivität4.7 µH | Nennstrom1.55 A | Sättigungsstrom1.7 A | Eigenresonanzfrequenz60 MHz | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand70 mΩ | Bauform4828 | – | – | – | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 2.32 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität4.7 µH | Nennstrom2.32 A | Sättigungsstrom4.2 A | Eigenresonanzfrequenz45 MHz | MontageartSMT | Performance Nennstrom3.65 A | Gleichstromwiderstand60 mΩ | Bauform7332 | VersionGestanzt | Sättigungsstrom 14.2 A | Sättigungsstrom @ 30%5.3 A | ||||
![]() | WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 3 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD2 SMT-Speicherdrossel | Induktivität4.7 µH | Nennstrom3 A | Sättigungsstrom5.5 A | Eigenresonanzfrequenz33 MHz | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand71 mΩ | Bauform5848 | – | – | – | ||||
![]() | WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 5.6 µH, 1.64 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-TPC SMT-Speicherdrossel | Induktivität5.6 µH | Nennstrom1.64 A | Sättigungsstrom1.35 A | Eigenresonanzfrequenz55 MHz | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand90 mΩ | Bauform4818 | VersionSMT | – | – | ||||
![]() | WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 6.8 µH, 1.5 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-TPC SMT-Speicherdrossel | Induktivität6.8 µH | Nennstrom1.5 A | Sättigungsstrom1.25 A | Eigenresonanzfrequenz60 MHz | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand100 mΩ | Bauform4818 | VersionSMT | – | – | ||||
![]() | WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 6.8 µH, 2.4 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD2 SMT-Speicherdrossel | Induktivität6.8 µH | Nennstrom2.4 A | Sättigungsstrom5 A | Eigenresonanzfrequenz28 MHz | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand82 mΩ | Bauform5848 | – | – | – | ||||
![]() | WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 8.2 µH, 1.4 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-TPC SMT-Speicherdrossel | Induktivität8.2 µH | Nennstrom1.4 A | Sättigungsstrom1.1 A | Eigenresonanzfrequenz40 MHz | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand135 mΩ | Bauform4818 | VersionSMT | – | – | ||||
![]() | WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 8.2 µH, 1.3 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-TPC SMT-Speicherdrossel | Induktivität8.2 µH | Nennstrom1.3 A | Sättigungsstrom1.25 A | Eigenresonanzfrequenz35 MHz | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand90 mΩ | Bauform4828 | – | – | – | ||||
![]() | WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 1.3 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-TPC SMT-Speicherdrossel | Induktivität10 µH | Nennstrom1.3 A | Sättigungsstrom1 A | Eigenresonanzfrequenz45 MHz | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand150 mΩ | Bauform4818 | VersionSMT | – | – | ||||
![]() | WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 1.19 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-TPC SMT-Speicherdrossel | Induktivität10 µH | Nennstrom1.19 A | Sättigungsstrom1 A | Eigenresonanzfrequenz40 MHz | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand110 mΩ | Bauform4828 | – | – | – | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 1.83 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität10 µH | Nennstrom1.83 A | Sättigungsstrom2.2 A | Eigenresonanzfrequenz32 MHz | MontageartSMT | Performance Nennstrom2.85 A | Gleichstromwiderstand72 mΩ | Bauform7332 | VersionGestanzt | Sättigungsstrom 12.2 A | Sättigungsstrom @ 30%2.75 A | ||||
![]() | WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 2.2 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD2 SMT-Speicherdrossel | Induktivität10 µH | Nennstrom2.2 A | Sättigungsstrom2.5 A | Eigenresonanzfrequenz26 MHz | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand100 mΩ | Bauform5848 | – | – | – | ||||
![]() | WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 12 µH, 2 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD2 SMT-Speicherdrossel | Induktivität12 µH | Nennstrom2 A | Sättigungsstrom1.94 A | Eigenresonanzfrequenz24 MHz | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand110 mΩ | Bauform5848 | – | – | – | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 1.51 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität15 µH | Nennstrom1.51 A | Sättigungsstrom1.75 A | Eigenresonanzfrequenz26 MHz | MontageartSMT | Performance Nennstrom2.25 A | Gleichstromwiderstand130 mΩ | Bauform7332 | VersionGestanzt | Sättigungsstrom 11.75 A | Sättigungsstrom @ 30%2.2 A | ||||
![]() | WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 1.53 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD2 SMT-Speicherdrossel | Induktivität15 µH | Nennstrom1.53 A | Sättigungsstrom1.9 A | Eigenresonanzfrequenz23 MHz | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand140 mΩ | Bauform5848 | – | – | – | ||||
![]() | WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 18 µH, 1.45 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD2 SMT-Speicherdrossel | Induktivität18 µH | Nennstrom1.45 A | Sättigungsstrom1.69 A | Eigenresonanzfrequenz21 MHz | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand150 mΩ | Bauform5848 | – | – | – | ||||
![]() | WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 1.28 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD2 SMT-Speicherdrossel | Induktivität22 µH | Nennstrom1.28 A | Sättigungsstrom1.53 A | Eigenresonanzfrequenz16 MHz | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand180 mΩ | Bauform5848 | – | – | – |