IC-Hersteller Analog Devices

IC-Hersteller (103)

Analog Devices LT3514

Triple Step-Down Switching Regulator with 100% Duty Cycle Operation

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung3.2-36 V
Schaltfrequenz220-2400 kHz
Ausgang 11 A
Ausgang 21 A
Ausgang 32 A
IC-RevisionA

Beschreibung

The LT®3514 consists of three buck regulators (2A, 1A, 1A output current). The device has a wide operating input range of 3.2V to 36V. An on-chip boost regulator allows each channel to operate up to 100% duty cycle. The LT3514 is designed to minimize external component count and results in a simple and small application circuit.

The LT3514 operates robustly in fault conditions. Cycleby- cycle peak current limit and catch diode current limit sensing protect the IC during overload conditions. Thermal shutdown protects the power switches at elevated temperatures. Soft-start helps control the peak inductor current during startup.

The LT3514 also features output voltage tracking and sequencing, programmable frequency, programmable undervoltage lockout, and a power good pin to indicate when all outputs are in regulation.

The LT3514 has one fewer channel (CH2) than the LT3504, and has one channel (CH3) that outputs 2A instead of 1A. The LT3514 in QFN is pin compatible with the LT3504. The LT3504 provides four 1A outputs.

Eigenschaften

  • Wide Input Voltage Range: 3.2V to 36V (40V Transient)
  • Three Outputs: 2A, 1A, 1A
  • 100% Duty Cycle Operation
  • Resistor-Programmed Constant Frequency
  • Short-Circuit Robust
  • Wide SYNC Range: 350kHz to 2.2MHz
  • Anti-Phase Switching Reduces Ripple
  • Feedback Voltage: 800mV
  • Independent Run/Soft-Start Pins
  • Shutdown with UVLO
  • Internal Compensation
  • Thermal Shutdown
  • Tiny 28-Lead (4mm × 5mm) Thermally Enhanced QFN Package
  • 24-Lead Exposed Pad TSSOP

Remarks:

  • Refer page num 16 for more inductor values.

Typische Anwendungen

  • Wall Transformer Regulation
  • Industrial Control Supplies
  • Distributed Supply Regulation
  • Automotive Battery Regulation

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IR(A)
ISAT(A)
fres(MHz)
Montageart
IRP,40K(A)
RDC max.(mΩ)
Bauform
Version
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
Muster
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 2.7 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Nennstrom2.7 A
Sättigungsstrom2.6 A
Eigenresonanzfrequenz177 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand30 mΩ
Bauform4818 
VersionSMT 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 5.37 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Nennstrom5.37 A
Sättigungsstrom6.4 A
Eigenresonanzfrequenz115 MHz
MontageartSMT 
Performance Nennstrom8.3 A
Gleichstromwiderstand12 mΩ
Bauform7332 
VersionGestanzt 
Sättigungsstrom 16.4 A
Sättigungsstrom @ 30%8 A
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 1.2 µH, 3.1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.2 µH
Nennstrom3.1 A
Sättigungsstrom2.8 A
Eigenresonanzfrequenz150 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand20 mΩ
Bauform4828 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 1.8 µH, 2.35 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.8 µH
Nennstrom2.35 A
Sättigungsstrom2.4 A
Eigenresonanzfrequenz100 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand50 mΩ
Bauform4818 
VersionSMT 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 2.7 µH, 2.03 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.7 µH
Nennstrom2.03 A
Sättigungsstrom2.2 A
Eigenresonanzfrequenz90 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand60 mΩ
Bauform4818 
VersionSMT 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 1.95 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Nennstrom1.95 A
Sättigungsstrom1.8 A
Eigenresonanzfrequenz80 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand65 mΩ
Bauform4818 
VersionSMT 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 2.15 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Nennstrom2.15 A
Sättigungsstrom1.8 A
Eigenresonanzfrequenz80 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand35 mΩ
Bauform4828 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 3.1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Nennstrom3.1 A
Sättigungsstrom4.1 A
Eigenresonanzfrequenz61 MHz
MontageartSMT 
Performance Nennstrom4.9 A
Gleichstromwiderstand32 mΩ
Bauform7332 
VersionGestanzt 
Sättigungsstrom 14.1 A
Sättigungsstrom @ 30%5.1 A
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Nennstrom4 A
Sättigungsstrom7.5 A
Eigenresonanzfrequenz43 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand60 mΩ
Bauform5848 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 3.9 µH, 1.82 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.9 µH
Nennstrom1.82 A
Sättigungsstrom1.7 A
Eigenresonanzfrequenz70 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand75 mΩ
Bauform4818 
VersionSMT 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 1.72 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Nennstrom1.72 A
Sättigungsstrom1.65 A
Eigenresonanzfrequenz70 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand82 mΩ
Bauform4818 
VersionSMT 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 1.55 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Nennstrom1.55 A
Sättigungsstrom1.7 A
Eigenresonanzfrequenz60 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand70 mΩ
Bauform4828 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 2.32 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Nennstrom2.32 A
Sättigungsstrom4.2 A
Eigenresonanzfrequenz45 MHz
MontageartSMT 
Performance Nennstrom3.65 A
Gleichstromwiderstand60 mΩ
Bauform7332 
VersionGestanzt 
Sättigungsstrom 14.2 A
Sättigungsstrom @ 30%5.3 A
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Nennstrom3 A
Sättigungsstrom5.5 A
Eigenresonanzfrequenz33 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand71 mΩ
Bauform5848 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 5.6 µH, 1.64 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität5.6 µH
Nennstrom1.64 A
Sättigungsstrom1.35 A
Eigenresonanzfrequenz55 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand90 mΩ
Bauform4818 
VersionSMT 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 6.8 µH, 1.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 µH
Nennstrom1.5 A
Sättigungsstrom1.25 A
Eigenresonanzfrequenz60 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand100 mΩ
Bauform4818 
VersionSMT 
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 6.8 µH, 2.4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 µH
Nennstrom2.4 A
Sättigungsstrom5 A
Eigenresonanzfrequenz28 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand82 mΩ
Bauform5848 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 8.2 µH, 1.4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität8.2 µH
Nennstrom1.4 A
Sättigungsstrom1.1 A
Eigenresonanzfrequenz40 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand135 mΩ
Bauform4818 
VersionSMT 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 8.2 µH, 1.3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität8.2 µH
Nennstrom1.3 A
Sättigungsstrom1.25 A
Eigenresonanzfrequenz35 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand90 mΩ
Bauform4828 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 1.3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom1.3 A
Sättigungsstrom1 A
Eigenresonanzfrequenz45 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand150 mΩ
Bauform4818 
VersionSMT 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 1.19 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom1.19 A
Sättigungsstrom1 A
Eigenresonanzfrequenz40 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand110 mΩ
Bauform4828 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 1.83 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom1.83 A
Sättigungsstrom2.2 A
Eigenresonanzfrequenz32 MHz
MontageartSMT 
Performance Nennstrom2.85 A
Gleichstromwiderstand72 mΩ
Bauform7332 
VersionGestanzt 
Sättigungsstrom 12.2 A
Sättigungsstrom @ 30%2.75 A
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 2.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom2.2 A
Sättigungsstrom2.5 A
Eigenresonanzfrequenz26 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand100 mΩ
Bauform5848 
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 12 µH, 2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität12 µH
Nennstrom2 A
Sättigungsstrom1.94 A
Eigenresonanzfrequenz24 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand110 mΩ
Bauform5848 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 1.51 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Nennstrom1.51 A
Sättigungsstrom1.75 A
Eigenresonanzfrequenz26 MHz
MontageartSMT 
Performance Nennstrom2.25 A
Gleichstromwiderstand130 mΩ
Bauform7332 
VersionGestanzt 
Sättigungsstrom 11.75 A
Sättigungsstrom @ 30%2.2 A
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 1.53 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Nennstrom1.53 A
Sättigungsstrom1.9 A
Eigenresonanzfrequenz23 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand140 mΩ
Bauform5848 
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 18 µH, 1.45 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität18 µH
Nennstrom1.45 A
Sättigungsstrom1.69 A
Eigenresonanzfrequenz21 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand150 mΩ
Bauform5848 
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 1.28 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 µH
Nennstrom1.28 A
Sättigungsstrom1.53 A
Eigenresonanzfrequenz16 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand180 mΩ
Bauform5848