IC-Hersteller Analog Devices

IC-Hersteller (103)

Analog Devices LT3504

Quad 40V/1A Step-Down Switching Regulator with 100% Duty Cycle Operation

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung3.2-40 V
Schaltfrequenz350-2200 kHz
Ausgang 11 A
IC-RevisionA

Beschreibung

The LT®3504 consists of four 1A output current buck regulators. The LT3504 has a wide operating input range of 3.2V to 40V. An on-chip boost regulator allows each channel to operate up to 100% duty cycle and eliminates the need for four external charge pump circuits. The LT3504is designed to minimize external component count and results in a simple and small application circuit.The LT3504 operates robustly in fault conditions. Cycleby- cycle peak current limit and catch diode current limit sensing protect the part during overload conditions. Thermal shutdown protects the power switches at elevatedtemperatures. Soft-start helps keep the peak inductor current under control during startup.The LT3504 also features output voltage tracking and sequencing, programmable frequency, programmable undervoltage lockout, and a power good pin to indicate when all outputs are in regulation.

Eigenschaften

  • Wide Input Range: 3.2V to 40V
  • Four 1A Outputs
  • 100% Duty Cycle Operation
  • Resistor-Programmed Constant Frequency
  • Short-Circuit Robust
  • Wide SYNC Range: 350kHz to 2.2MHz
  • Anti-Phase Switching Reduces Ripple
  • 800mV FB Voltage
  • Independent Run/Soft-Start Pins
  • Shutdown with UVLO
  • Internal Compensation
  • Thermal Shutdown
  • Tiny 28-Lead (4mm × 5mm) Thermally Enhanced QFN Package

NOTE - see table 2 in page 14 for diffrent inductor values

Typische Anwendungen

  • Distributed Supply Regulation
  • Industrial Control Supplies
  • Automotive Battery Regulation
  • Wall Transformer Regulation

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IR(A)
ISAT(A)
fres(MHz)
Montageart
IRP,40K(A)
RDC max.(mΩ)
Bauform
Version
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
Muster
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 2.7 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Nennstrom2.7 A
Sättigungsstrom2.6 A
Eigenresonanzfrequenz177 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand30 mΩ
Bauform4818 
VersionSMT 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 5.37 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Nennstrom5.37 A
Sättigungsstrom6.4 A
Eigenresonanzfrequenz115 MHz
MontageartSMT 
Performance Nennstrom8.3 A
Gleichstromwiderstand12 mΩ
Bauform7332 
VersionGestanzt 
Sättigungsstrom 16.4 A
Sättigungsstrom @ 30%8 A
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 1 µH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Eigenresonanzfrequenz115 MHz
MontageartSMT 
Performance Nennstrom7.9 A
Gleichstromwiderstand12 mΩ
Bauform7332 
VersionRobust 
Sättigungsstrom 16.4 A
Sättigungsstrom @ 30%8 A
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 1.2 µH, 3.1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.2 µH
Nennstrom3.1 A
Sättigungsstrom2.8 A
Eigenresonanzfrequenz150 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand20 mΩ
Bauform4828 
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 4.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Nennstrom4.6 A
Sättigungsstrom8.2 A
Eigenresonanzfrequenz54 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand41 mΩ
Bauform5848 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 1.95 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Nennstrom1.95 A
Sättigungsstrom1.8 A
Eigenresonanzfrequenz80 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand65 mΩ
Bauform4818 
VersionSMT 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 2.15 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Nennstrom2.15 A
Sättigungsstrom1.8 A
Eigenresonanzfrequenz80 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand35 mΩ
Bauform4828 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 3.1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Nennstrom3.1 A
Sättigungsstrom4.1 A
Eigenresonanzfrequenz61 MHz
MontageartSMT 
Performance Nennstrom4.9 A
Gleichstromwiderstand32 mΩ
Bauform7332 
VersionGestanzt 
Sättigungsstrom 14.1 A
Sättigungsstrom @ 30%5.1 A
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Nennstrom4 A
Sättigungsstrom7.5 A
Eigenresonanzfrequenz43 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand60 mΩ
Bauform5848 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 1.72 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Nennstrom1.72 A
Sättigungsstrom1.65 A
Eigenresonanzfrequenz70 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand82 mΩ
Bauform4818 
VersionSMT 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 1.55 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Nennstrom1.55 A
Sättigungsstrom1.7 A
Eigenresonanzfrequenz60 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand70 mΩ
Bauform4828 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 2.32 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Nennstrom2.32 A
Sättigungsstrom4.2 A
Eigenresonanzfrequenz45 MHz
MontageartSMT 
Performance Nennstrom3.65 A
Gleichstromwiderstand60 mΩ
Bauform7332 
VersionGestanzt 
Sättigungsstrom 14.2 A
Sättigungsstrom @ 30%5.3 A
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Nennstrom3 A
Sättigungsstrom5.5 A
Eigenresonanzfrequenz33 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand71 mΩ
Bauform5848 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 6.8 µH, 1.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 µH
Nennstrom1.5 A
Sättigungsstrom1.25 A
Eigenresonanzfrequenz60 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand100 mΩ
Bauform4818 
VersionSMT 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 6.8 µH, 1.3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 µH
Nennstrom1.3 A
Sättigungsstrom1.25 A
Eigenresonanzfrequenz57 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand90 mΩ
Bauform4828 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 6.8 µH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 µH
Eigenresonanzfrequenz38 MHz
MontageartSMT 
Performance Nennstrom3.75 A
Gleichstromwiderstand44 mΩ
Bauform7332 
VersionRobust 
Sättigungsstrom 12.75 A
Sättigungsstrom @ 30%4.3 A
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 6.8 µH, 2.4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 µH
Nennstrom2.4 A
Sättigungsstrom5 A
Eigenresonanzfrequenz28 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand82 mΩ
Bauform5848 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 1.3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom1.3 A
Sättigungsstrom1 A
Eigenresonanzfrequenz45 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand150 mΩ
Bauform4818 
VersionSMT 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 1.19 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom1.19 A
Sättigungsstrom1 A
Eigenresonanzfrequenz40 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand110 mΩ
Bauform4828 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 1.83 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom1.83 A
Sättigungsstrom2.2 A
Eigenresonanzfrequenz32 MHz
MontageartSMT 
Performance Nennstrom2.85 A
Gleichstromwiderstand72 mΩ
Bauform7332 
VersionGestanzt 
Sättigungsstrom 12.2 A
Sättigungsstrom @ 30%2.75 A
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 2.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom2.2 A
Sättigungsstrom2.5 A
Eigenresonanzfrequenz26 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand100 mΩ
Bauform5848 
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 1.28 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 µH
Nennstrom1.28 A
Sättigungsstrom1.53 A
Eigenresonanzfrequenz16 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand180 mΩ
Bauform5848 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 27 µH, 1.27 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität27 µH
Nennstrom1.27 A
Sättigungsstrom1.3 A
Eigenresonanzfrequenz18 MHz
MontageartSMT 
Performance Nennstrom1.95 A
Gleichstromwiderstand240 mΩ
Bauform7332 
VersionGestanzt 
Sättigungsstrom 11.3 A
Sättigungsstrom @ 30%1.6 A
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 27 µH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität27 µH
Eigenresonanzfrequenz18 MHz
MontageartSMT 
Performance Nennstrom2 A
Gleichstromwiderstand210 mΩ
Bauform7332 
VersionRobust 
Sättigungsstrom 11.35 A
Sättigungsstrom @ 30%1.6 A