| Topologie | Abwärtswandler |
| Eingangsspannung | 3.2-40 V |
| Schaltfrequenz | 350-2200 kHz |
| Ausgang 1 | 1 A |
| IC-Revision | A |
The LT®3504 consists of four 1A output current buck regulators. The LT3504 has a wide operating input range of 3.2V to 40V. An on-chip boost regulator allows each channel to operate up to 100% duty cycle and eliminates the need for four external charge pump circuits. The LT3504is designed to minimize external component count and results in a simple and small application circuit.The LT3504 operates robustly in fault conditions. Cycleby- cycle peak current limit and catch diode current limit sensing protect the part during overload conditions. Thermal shutdown protects the power switches at elevatedtemperatures. Soft-start helps keep the peak inductor current under control during startup.The LT3504 also features output voltage tracking and sequencing, programmable frequency, programmable undervoltage lockout, and a power good pin to indicate when all outputs are in regulation.
NOTE - see table 2 in page 14 for diffrent inductor values
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IR(A) | ISAT(A) | fres(MHz) | Montageart | IRP,40K(A) | RDC max.(mΩ) | Bauform | Version | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 2.7 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-TPC SMT-Speicherdrossel | Induktivität1 µH | Nennstrom2.7 A | Sättigungsstrom2.6 A | Eigenresonanzfrequenz177 MHz | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand30 mΩ | Bauform4818 | VersionSMT | – | – | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 5.37 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität1 µH | Nennstrom5.37 A | Sättigungsstrom6.4 A | Eigenresonanzfrequenz115 MHz | MontageartSMT | Performance Nennstrom8.3 A | Gleichstromwiderstand12 mΩ | Bauform7332 | VersionGestanzt | Sättigungsstrom 16.4 A | Sättigungsstrom @ 30%8 A | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 1 µH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität1 µH | – | – | Eigenresonanzfrequenz115 MHz | MontageartSMT | Performance Nennstrom7.9 A | Gleichstromwiderstand12 mΩ | Bauform7332 | VersionRobust | Sättigungsstrom 16.4 A | Sättigungsstrom @ 30%8 A | ||||
![]() | WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 1.2 µH, 3.1 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-TPC SMT-Speicherdrossel | Induktivität1.2 µH | Nennstrom3.1 A | Sättigungsstrom2.8 A | Eigenresonanzfrequenz150 MHz | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand20 mΩ | Bauform4828 | – | – | – | ||||
![]() | WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 4.6 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD2 SMT-Speicherdrossel | Induktivität2.2 µH | Nennstrom4.6 A | Sättigungsstrom8.2 A | Eigenresonanzfrequenz54 MHz | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand41 mΩ | Bauform5848 | – | – | – | ||||
![]() | WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 1.95 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-TPC SMT-Speicherdrossel | Induktivität3.3 µH | Nennstrom1.95 A | Sättigungsstrom1.8 A | Eigenresonanzfrequenz80 MHz | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand65 mΩ | Bauform4818 | VersionSMT | – | – | ||||
![]() | WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 2.15 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-TPC SMT-Speicherdrossel | Induktivität3.3 µH | Nennstrom2.15 A | Sättigungsstrom1.8 A | Eigenresonanzfrequenz80 MHz | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand35 mΩ | Bauform4828 | – | – | – | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 3.1 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität3.3 µH | Nennstrom3.1 A | Sättigungsstrom4.1 A | Eigenresonanzfrequenz61 MHz | MontageartSMT | Performance Nennstrom4.9 A | Gleichstromwiderstand32 mΩ | Bauform7332 | VersionGestanzt | Sättigungsstrom 14.1 A | Sättigungsstrom @ 30%5.1 A | ||||
![]() | WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 4 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD2 SMT-Speicherdrossel | Induktivität3.3 µH | Nennstrom4 A | Sättigungsstrom7.5 A | Eigenresonanzfrequenz43 MHz | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand60 mΩ | Bauform5848 | – | – | – | ||||
![]() | WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 1.72 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-TPC SMT-Speicherdrossel | Induktivität4.7 µH | Nennstrom1.72 A | Sättigungsstrom1.65 A | Eigenresonanzfrequenz70 MHz | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand82 mΩ | Bauform4818 | VersionSMT | – | – | ||||
![]() | WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 1.55 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-TPC SMT-Speicherdrossel | Induktivität4.7 µH | Nennstrom1.55 A | Sättigungsstrom1.7 A | Eigenresonanzfrequenz60 MHz | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand70 mΩ | Bauform4828 | – | – | – | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 2.32 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität4.7 µH | Nennstrom2.32 A | Sättigungsstrom4.2 A | Eigenresonanzfrequenz45 MHz | MontageartSMT | Performance Nennstrom3.65 A | Gleichstromwiderstand60 mΩ | Bauform7332 | VersionGestanzt | Sättigungsstrom 14.2 A | Sättigungsstrom @ 30%5.3 A | ||||
![]() | WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 3 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD2 SMT-Speicherdrossel | Induktivität4.7 µH | Nennstrom3 A | Sättigungsstrom5.5 A | Eigenresonanzfrequenz33 MHz | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand71 mΩ | Bauform5848 | – | – | – | ||||
![]() | WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 6.8 µH, 1.5 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-TPC SMT-Speicherdrossel | Induktivität6.8 µH | Nennstrom1.5 A | Sättigungsstrom1.25 A | Eigenresonanzfrequenz60 MHz | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand100 mΩ | Bauform4818 | VersionSMT | – | – | ||||
![]() | WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 6.8 µH, 1.3 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-TPC SMT-Speicherdrossel | Induktivität6.8 µH | Nennstrom1.3 A | Sättigungsstrom1.25 A | Eigenresonanzfrequenz57 MHz | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand90 mΩ | Bauform4828 | – | – | – | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 6.8 µH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität6.8 µH | – | – | Eigenresonanzfrequenz38 MHz | MontageartSMT | Performance Nennstrom3.75 A | Gleichstromwiderstand44 mΩ | Bauform7332 | VersionRobust | Sättigungsstrom 12.75 A | Sättigungsstrom @ 30%4.3 A | ||||
![]() | WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 6.8 µH, 2.4 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD2 SMT-Speicherdrossel | Induktivität6.8 µH | Nennstrom2.4 A | Sättigungsstrom5 A | Eigenresonanzfrequenz28 MHz | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand82 mΩ | Bauform5848 | – | – | – | ||||
![]() | WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 1.3 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-TPC SMT-Speicherdrossel | Induktivität10 µH | Nennstrom1.3 A | Sättigungsstrom1 A | Eigenresonanzfrequenz45 MHz | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand150 mΩ | Bauform4818 | VersionSMT | – | – | ||||
![]() | WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 1.19 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-TPC SMT-Speicherdrossel | Induktivität10 µH | Nennstrom1.19 A | Sättigungsstrom1 A | Eigenresonanzfrequenz40 MHz | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand110 mΩ | Bauform4828 | – | – | – | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 1.83 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität10 µH | Nennstrom1.83 A | Sättigungsstrom2.2 A | Eigenresonanzfrequenz32 MHz | MontageartSMT | Performance Nennstrom2.85 A | Gleichstromwiderstand72 mΩ | Bauform7332 | VersionGestanzt | Sättigungsstrom 12.2 A | Sättigungsstrom @ 30%2.75 A | ||||
![]() | WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 2.2 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD2 SMT-Speicherdrossel | Induktivität10 µH | Nennstrom2.2 A | Sättigungsstrom2.5 A | Eigenresonanzfrequenz26 MHz | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand100 mΩ | Bauform5848 | – | – | – | ||||
![]() | WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 1.28 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD2 SMT-Speicherdrossel | Induktivität22 µH | Nennstrom1.28 A | Sättigungsstrom1.53 A | Eigenresonanzfrequenz16 MHz | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand180 mΩ | Bauform5848 | – | – | – | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 27 µH, 1.27 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität27 µH | Nennstrom1.27 A | Sättigungsstrom1.3 A | Eigenresonanzfrequenz18 MHz | MontageartSMT | Performance Nennstrom1.95 A | Gleichstromwiderstand240 mΩ | Bauform7332 | VersionGestanzt | Sättigungsstrom 11.3 A | Sättigungsstrom @ 30%1.6 A | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 27 µH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität27 µH | – | – | Eigenresonanzfrequenz18 MHz | MontageartSMT | Performance Nennstrom2 A | Gleichstromwiderstand210 mΩ | Bauform7332 | VersionRobust | Sättigungsstrom 11.35 A | Sättigungsstrom @ 30%1.6 A |