| Topologie | Sonstige Topologie |
| IC-Revision | 2.1 |
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IR(A) | ISAT(A) | fres(MHz) | Montageart | Z @ 100 MHz(Ω) | Zmax(Ω) | Testbedingung Zmax | IR 2(mA) | Z @ 1 GHz(Ω) | Typ | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 100 µH, 0.45 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-TPC SMT-Speicherdrossel | Induktivität100 µH | Nennstrom0.45 A | Sättigungsstrom0.45 A | Eigenresonanzfrequenz10 MHz | MontageartSMT | – | – | – | – | – | – | ||||
![]() | WE-CBF HF SMT-Ferrit für Hochfrequenz-Anwendungen, –, 0.5 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | – | Nennstrom0.5 A | – | – | MontageartSMT | Impedanz @ 100 MHz600 Ω | Maximale Impedanz950 Ω | Maximale Impedanz600 MHz | Nennstrom 2500 mA | Impedanz @ 1 GHz800 Ω | TypHochstrom |