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Details
| Topologie | Sonstige Topologie |
| IC-Revision | 00 |
Weiterführende Informationen
Artikeldaten
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IRP,40K(A) | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | RDC max.(mΩ) | fres(MHz) | Drahttype | MusterVerfügbarkeit & Muster | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SPECWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 0.7 µH, 54.7 A | Verfügbarkeit – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität0.7 µH | Performance Nennstrom54.7 A | Sättigungsstrom 163 A | Sättigungsstrom @ 30%75 A | Gleichstromwiderstand0.91 mΩ | Eigenresonanzfrequenz65 MHz | DrahttypeFlach | –Verfügbarkeit prüfen | |||
| SPECWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 1.4 µH, 47.1 A | Verfügbarkeit – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität1.4 µH | Performance Nennstrom47.1 A | Sättigungsstrom 155 A | Sättigungsstrom @ 30%60 A | Gleichstromwiderstand1.19 mΩ | Eigenresonanzfrequenz52 MHz | DrahttypeFlach | –Verfügbarkeit prüfen |
Verfügbarkeitsprognose
WE Artikelnummer VerpackungseinheitenWiederbeschaffungszeit
––– Wochen
| Erwartete Verfügbarkeit | Eingehender Bestand | Menge |
|---|---|---|
| Aktuelle Verfügbarkeit | – | – |
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