Bauform Maße L
(mm)
B
(mm)
H
(mm)
1415
14 15.5 16
1480
14 8 16
1521
14.5 21 15.2
1715
17.5 15 19.5
3119
31 19 35

Merkmale

  • 2-in-1-Design mit geringer magnetischer Kopplung
  • Geringe Kernverluste
  • Sehr geringer RDC
  • Hohe Sättigungsströme
  • Betriebstemperatur: -40°C to +125°C

Anwendung

  • Class-D-Audioverstärker
  • Digitale Verstärker

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1480
1521
1715
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Status
L (µH)
Tol. L
IR (A)
ISAT (A)
fres (MHz)
Muster
74441521082
8.2 µH, ±20%, 10 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 8.2 µH
Induktivität ±20% 
Nennstrom 10 A
Sättigungsstrom 17.5 A
Eigenresonanzfrequenz 16 MHz
7444011715082
8.2 µH, ±20%, 10 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 8.2 µH
Induktivität ±20% 
Nennstrom 10 A
Sättigungsstrom 34 A
Eigenresonanzfrequenz 21 MHz
7444013119082
8.2 µH, ±20%, 19 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 8.2 µH
Induktivität ±20% 
Nennstrom 19 A
Sättigungsstrom 52 A
Eigenresonanzfrequenz 16 MHz
7444211415082
8.2 µH, ±20%, 6.7 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 8.2 µH
Induktivität ±20% 
Nennstrom 6.7 A
Sättigungsstrom 16 A
Eigenresonanzfrequenz 20 MHz
7444011480082
8.2 µH, ±20%, 8.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 8.2 µH
Induktivität ±20% 
Nennstrom 8.5 A
Sättigungsstrom 16 A
Eigenresonanzfrequenz 19 MHz
74441521100
10 µH, ±20%, 9 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Induktivität ±20% 
Nennstrom 9 A
Sättigungsstrom 13.5 A
Eigenresonanzfrequenz 14 MHz
7444011715100
10 µH, ±20%, 10 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Induktivität ±20% 
Nennstrom 10 A
Sättigungsstrom 28 A
Eigenresonanzfrequenz 19 MHz
7444013119100
10 µH, ±20%, 11 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Induktivität ±20% 
Nennstrom 11 A
Sättigungsstrom 58 A
Eigenresonanzfrequenz 13 MHz
7444211415100
10 µH, ±20%, 6.7 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Induktivität ±20% 
Nennstrom 6.7 A
Sättigungsstrom 12.5 A
Eigenresonanzfrequenz 18 MHz
7444011480100
10 µH, ±20%, 8.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Induktivität ±20% 
Nennstrom 8.5 A
Sättigungsstrom 13.5 A
Eigenresonanzfrequenz 18 MHz
74441521150
15 µH, ±20%, 8 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15 µH
Induktivität ±20% 
Nennstrom 8 A
Sättigungsstrom 10 A
Eigenresonanzfrequenz 13 MHz
7444011715150
15 µH, ±20%, 10 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15 µH
Induktivität ±20% 
Nennstrom 10 A
Sättigungsstrom 18 A
Eigenresonanzfrequenz 14 MHz
7444013119150
15 µH, ±20%, 11 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15 µH
Induktivität ±20% 
Nennstrom 11 A
Sättigungsstrom 41 A
Eigenresonanzfrequenz 11 MHz
7444211415150
15 µH, ±20%, 5.8 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15 µH
Induktivität ±20% 
Nennstrom 5.8 A
Sättigungsstrom 9.5 A
Eigenresonanzfrequenz 13 MHz
7444011480150
15 µH, ±20%, 8 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15 µH
Induktivität ±20% 
Nennstrom 8 A
Sättigungsstrom 9.5 A
Eigenresonanzfrequenz 13 MHz
74441521220
22 µH, ±20%, 7 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 22 µH
Induktivität ±20% 
Nennstrom 7 A
Sättigungsstrom 7 A
Eigenresonanzfrequenz 9 MHz
7444011715220
22 µH, ±20%, 10 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 22 µH
Induktivität ±20% 
Nennstrom 10 A
Sättigungsstrom 12 A
Eigenresonanzfrequenz 11 MHz
7444013119220
22 µH, ±20%, 10 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 22 µH
Induktivität ±20% 
Nennstrom 10 A
Sättigungsstrom 33 A
Eigenresonanzfrequenz 9 MHz
7444211415220
22 µH, ±20%, 5.7 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 22 µH
Induktivität ±20% 
Nennstrom 5.7 A
Sättigungsstrom 7 A
Eigenresonanzfrequenz 10 MHz
7444011480220
22 µH, ±20%, 8 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 22 µH
Induktivität ±20% 
Nennstrom 8 A
Sättigungsstrom 6.5 A
Eigenresonanzfrequenz 9 MHz

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