Anwendung

  • HF-Schaltung wie z.B. Tuner, Transponder
  • HF-Verstärkerschaltungen (Antennenverstärker)
  • Oszillatoren
  • Anpassungsnetzwerke
  • HF-Filterschaltungen

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L(µH)
RDC max.(mΩ)
IR(mA)
fres(MHz)
Bauform
Muster
WE-GF SMT-Induktivität, 0.1 µH, 440 mΩ
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.1 µH
Gleichstromwiderstand440 mΩ
Nennstrom450 mA
Eigenresonanzfrequenz780 MHz
Bauform4532 
WE-GF SMT-Induktivität, 0.22 µH, 320 mΩ
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.22 µH
Gleichstromwiderstand320 mΩ
Nennstrom450 mA
Eigenresonanzfrequenz660 MHz
Bauform3225 
WE-GF SMT-Induktivität, 0.33 µH, 400 mΩ
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.33 µH
Gleichstromwiderstand400 mΩ
Nennstrom450 mA
Eigenresonanzfrequenz580 MHz
Bauform3225 
WE-GF SMT-Induktivität, 0.33 µH, 400 mΩ
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.33 µH
Gleichstromwiderstand400 mΩ
Nennstrom450 mA
Eigenresonanzfrequenz440 MHz
Bauform4532 
WE-GF SMT-Induktivität, 0.47 µH, 500 mΩ
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.47 µH
Gleichstromwiderstand500 mΩ
Nennstrom450 mA
Eigenresonanzfrequenz480 MHz
Bauform3225 
WE-GF SMT-Induktivität, 0.68 µH, 600 mΩ
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.68 µH
Gleichstromwiderstand600 mΩ
Nennstrom450 mA
Eigenresonanzfrequenz400 MHz
Bauform3225 
WE-GF SMT-Induktivität, 0.68 µH, 600 mΩ
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.68 µH
Gleichstromwiderstand600 mΩ
Nennstrom450 mA
Eigenresonanzfrequenz310 MHz
Bauform4532 
WE-GF SMT-Induktivität, 1 µH, 700 mΩ
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Gleichstromwiderstand700 mΩ
Nennstrom400 mA
Eigenresonanzfrequenz340 MHz
Bauform3225 
WE-GF SMT-Induktivität, 1 µH, 500 mΩ
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Gleichstromwiderstand500 mΩ
Nennstrom450 mA
Eigenresonanzfrequenz275 MHz
Bauform4532 
WE-GF SMT-Induktivität, 2.2 µH, 1000 mΩ
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Gleichstromwiderstand1000 mΩ
Nennstrom320 mA
Eigenresonanzfrequenz100 MHz
Bauform3225 
WE-GF SMT-Induktivität, 2.2 µH, 700 mΩ
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Gleichstromwiderstand700 mΩ
Nennstrom380 mA
Eigenresonanzfrequenz185 MHz
Bauform4532 
WE-GF SMT-Induktivität, 3.3 µH, 1200 mΩ
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Gleichstromwiderstand1200 mΩ
Nennstrom260 mA
Eigenresonanzfrequenz60 MHz
Bauform3225 
WE-GF SMT-Induktivität, 3.3 µH, 800 mΩ
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Gleichstromwiderstand800 mΩ
Nennstrom355 mA
Eigenresonanzfrequenz155 MHz
Bauform4532 
WE-GF SMT-Induktivität, 4.7 µH, 1500 mΩ
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Gleichstromwiderstand1500 mΩ
Nennstrom220 mA
Eigenresonanzfrequenz45 MHz
Bauform3225 
WE-GF SMT-Induktivität, 4.7 µH, 1000 mΩ
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Gleichstromwiderstand1000 mΩ
Nennstrom315 mA
Eigenresonanzfrequenz95 MHz
Bauform4532 
WE-GF SMT-Induktivität, 6.8 µH, 1800 mΩ
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 µH
Gleichstromwiderstand1800 mΩ
Nennstrom180 mA
Eigenresonanzfrequenz38 MHz
Bauform3225 
WE-GF SMT-Induktivität, 6.8 µH, 1200 mΩ
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 µH
Gleichstromwiderstand1200 mΩ
Nennstrom285 mA
Eigenresonanzfrequenz35 MHz
Bauform4532 
WE-GF SMT-Induktivität, 10 µH, 2100 mΩ
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Gleichstromwiderstand2100 mΩ
Nennstrom150 mA
Eigenresonanzfrequenz32 MHz
Bauform3225 
WE-GF SMT-Induktivität, 10 µH, 1600 mΩ
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Gleichstromwiderstand1600 mΩ
Nennstrom250 mA
Eigenresonanzfrequenz25 MHz
Bauform4532 
WE-GF SMT-Induktivität, 15 µH, 2500 mΩ
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Gleichstromwiderstand2500 mΩ
Nennstrom200 mA
Eigenresonanzfrequenz20 MHz
Bauform4532 
WE-GF SMT-Induktivität, 22 µH, 3700 mΩ
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 µH
Gleichstromwiderstand3700 mΩ
Nennstrom110 mA
Eigenresonanzfrequenz20 MHz
Bauform3225 
WE-GF SMT-Induktivität, 22 µH, 3200 mΩ
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 µH
Gleichstromwiderstand3200 mΩ
Nennstrom180 mA
Eigenresonanzfrequenz18 MHz
Bauform4532 
WE-GF SMT-Induktivität, 33 µH, 5600 mΩ
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität33 µH
Gleichstromwiderstand5600 mΩ
Nennstrom70 mA
Eigenresonanzfrequenz17 MHz
Bauform3225 
WE-GF SMT-Induktivität, 33 µH, 4000 mΩ
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität33 µH
Gleichstromwiderstand4000 mΩ
Nennstrom160 mA
Eigenresonanzfrequenz14 MHz
Bauform4532 
WE-GF SMT-Induktivität, 47 µH, 7000 mΩ
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität47 µH
Gleichstromwiderstand7000 mΩ
Nennstrom60 mA
Eigenresonanzfrequenz15 MHz
Bauform3225 
WE-GF SMT-Induktivität, 47 µH, 5000 mΩ
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität47 µH
Gleichstromwiderstand5000 mΩ
Nennstrom140 mA
Eigenresonanzfrequenz12 MHz
Bauform4532 
WE-GF SMT-Induktivität, 68 µH, 9000 mΩ
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität68 µH
Gleichstromwiderstand9000 mΩ
Nennstrom50 mA
Eigenresonanzfrequenz12.5 MHz
Bauform3225 
WE-GF SMT-Induktivität, 68 µH, 6000 mΩ
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität68 µH
Gleichstromwiderstand6000 mΩ
Nennstrom130 mA
Eigenresonanzfrequenz10 MHz
Bauform4532 
WE-GF SMT-Induktivität, 100 µH, 11000 mΩ
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität100 µH
Gleichstromwiderstand11000 mΩ
Nennstrom40 mA
Eigenresonanzfrequenz11 MHz
Bauform3225 
WE-GF SMT-Induktivität, 100 µH, 8000 mΩ
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität100 µH
Gleichstromwiderstand8000 mΩ
Nennstrom110 mA
Eigenresonanzfrequenz8.5 MHz
Bauform4532 
WE-GF SMT-Induktivität, 150 µH, 9000 mΩ
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität150 µH
Gleichstromwiderstand9000 mΩ
Nennstrom105 mA
Eigenresonanzfrequenz6 MHz
Bauform4532 
WE-GF SMT-Induktivität, 220 µH, 10000 mΩ
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität220 µH
Gleichstromwiderstand10000 mΩ
Nennstrom100 mA
Eigenresonanzfrequenz5 MHz
Bauform4532 
WE-GF SMT-Induktivität, 330 µH, 14000 mΩ
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität330 µH
Gleichstromwiderstand14000 mΩ
Nennstrom85 mA
Eigenresonanzfrequenz4.5 MHz
Bauform4532 
WE-GF SMT-Induktivität, 470 µH, 26000 mΩ
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität470 µH
Gleichstromwiderstand26000 mΩ
Nennstrom62 mA
Eigenresonanzfrequenz3.4 MHz
Bauform4532 
WE-GF SMT-Induktivität, 680 µH, 30000 mΩ
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität680 µH
Gleichstromwiderstand30000 mΩ
Nennstrom50 mA
Eigenresonanzfrequenz3 MHz
Bauform4532 
WE-GF SMT-Induktivität, 1000 µH, 50000 mΩ
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1000 µH
Gleichstromwiderstand50000 mΩ
Nennstrom30 mA
Eigenresonanzfrequenz2.5 MHz
Bauform4532