Design Kit WE-MAPI SMT-Speicherdrossel 3010/3012/3015/3020

Artikel Nr. 7443833

Anwendung

  • DC/DC-Wandler für hohe Ströme in Netzteilen
  • DC/DC-Wandler für Field Programmable Gate Arrays (FPGA)
  • Point of Load (POL)- Wandler
  • Tragbare Geräte Digitalkamera sowie batteriebetriebene Geräte
  • Mainboards /Grafikkarten
  • CPU/RAM Stromversorgung
  • Wi-Fi-Kommunikationsgeräte
  • Stromversorgungen von Smartphones, Tablet-PCs und anderen mobilen Geräten

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L(µH)
IR(A)
ISAT(A)
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Muster
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 0.33 µH, 4.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.33 µH
Nennstrom4.8 A
Sättigungsstrom11.1 A
Bauform3012 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 0.33 µH, 5.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.33 µH
Nennstrom5.5 A
Sättigungsstrom8.3 A
Bauform3020 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 0.47 µH, 4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.47 µH
Nennstrom4 A
Sättigungsstrom9.4 A
Bauform3012 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 0.47 µH, 4.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.47 µH
Nennstrom4.8 A
Sättigungsstrom8 A
Bauform3020 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 0.56 µH, 3.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.56 µH
Nennstrom3.6 A
Sättigungsstrom8.5 A
Bauform3012 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 0.68 µH, 3.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.68 µH
Nennstrom3.5 A
Sättigungsstrom7.7 A
Bauform3012 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 0.68 µH, 4.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.68 µH
Nennstrom4.5 A
Sättigungsstrom6.2 A
Bauform3020 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 2.75 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Nennstrom2.75 A
Sättigungsstrom6.6 A
Bauform3012 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 2.7 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Nennstrom2.7 A
Sättigungsstrom4.5 A
Bauform3015 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Nennstrom4 A
Sättigungsstrom5 A
Bauform3020 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 1.2 µH, 2.65 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.2 µH
Nennstrom2.65 A
Sättigungsstrom6 A
Bauform3012 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 1.2 µH, 3.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.2 µH
Nennstrom3.9 A
Sättigungsstrom4.75 A
Bauform3020 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 1.5 µH, 2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 µH
Nennstrom2 A
Sättigungsstrom5.7 A
Bauform3012 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 1.5 µH, 3.7 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 µH
Nennstrom3.7 A
Sättigungsstrom4.5 A
Bauform3020 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 1.4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Nennstrom1.4 A
Sättigungsstrom3.9 A
Bauform3010 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 1.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Nennstrom1.8 A
Sättigungsstrom5 A
Bauform3012 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 1.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Nennstrom1.8 A
Sättigungsstrom3.5 A
Bauform3015 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 2.4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Nennstrom2.4 A
Sättigungsstrom4.3 A
Bauform3020 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 1.1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Nennstrom1.1 A
Sättigungsstrom2.95 A
Bauform3010 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 1.4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Nennstrom1.4 A
Sättigungsstrom4 A
Bauform3012 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 1.7 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Nennstrom1.7 A
Sättigungsstrom3.2 A
Bauform3015 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 2.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Nennstrom2.2 A
Sättigungsstrom4.25 A
Bauform3020 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 0.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Nennstrom0.9 A
Sättigungsstrom2.4 A
Bauform3010 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 1.1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Nennstrom1.1 A
Sättigungsstrom3.8 A
Bauform3012 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 1.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Nennstrom1.5 A
Sättigungsstrom2.8 A
Bauform3015 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 1.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Nennstrom1.9 A
Sättigungsstrom3.9 A
Bauform3020 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 5.6 µH, 1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität5.6 µH
Nennstrom1 A
Sättigungsstrom3 A
Bauform3012 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 6.8 µH, 0.88 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 µH
Nennstrom0.88 A
Sättigungsstrom2.7 A
Bauform3012 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 6.8 µH, 1.1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 µH
Nennstrom1.1 A
Sättigungsstrom2.4 A
Bauform3015 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 6.8 µH, 1.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 µH
Nennstrom1.6 A
Sättigungsstrom2.85 A
Bauform3020 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 0.85 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom0.85 A
Sättigungsstrom2 A
Bauform3015 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 1.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom1.2 A
Sättigungsstrom2.35 A
Bauform3020 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 0.65 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Nennstrom0.65 A
Sättigungsstrom1.71 A
Bauform3015 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 0.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 µH
Nennstrom0.6 A
Sättigungsstrom1.6 A
Bauform3015 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 33 µH, 0.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität33 µH
Nennstrom0.5 A
Sättigungsstrom1.3 A
Bauform3015 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 47 µH, 0.39 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität47 µH
Nennstrom0.39 A
Sättigungsstrom1.18 A
Bauform3015