Design Kit WE-MAPI SMT Power Inductor 4020/4030

Artikel Nr. 7443834

Anwendung

  • DC/DC-Wandler für hohe Ströme in Netzteilen
  • DC/DC-Wandler für Field Programmable Gate Arrays (FPGA)
  • Point of Load (POL)- Wandler
  • Tragbare Geräte Digitalkamera sowie batteriebetriebene Geräte
  • Mainboards /Grafikkarten
  • CPU/RAM Stromversorgung
  • Wi-Fi-Kommunikationsgeräte
  • Stromversorgungen von Smartphones, Tablet-PCs und anderen mobilen Geräten

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L(µH)
IR(A)
ISAT(A)
Bauform
Muster
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 0.33 µH, 9.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.33 µH
Nennstrom9.6 A
Sättigungsstrom12.4 A
Bauform4020 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 0.56 µH, 8.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.56 µH
Nennstrom8.5 A
Sättigungsstrom10.8 A
Bauform4020 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 0.68 µH, 8.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.68 µH
Nennstrom8.2 A
Sättigungsstrom9.4 A
Bauform4020 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 7.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Nennstrom7.2 A
Sättigungsstrom9 A
Bauform4020 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 7.4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Nennstrom7.4 A
Sättigungsstrom9.6 A
Bauform4030 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 1.2 µH, 5.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.2 µH
Nennstrom5.8 A
Sättigungsstrom9 A
Bauform4020 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 1.2 µH, 7 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.2 µH
Nennstrom7 A
Sättigungsstrom8.8 A
Bauform4030 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 1.5 µH, 5.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 µH
Nennstrom5.8 A
Sättigungsstrom7.8 A
Bauform4020 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 1.5 µH, 6.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 µH
Nennstrom6.2 A
Sättigungsstrom8.5 A
Bauform4030 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 1.8 µH, 4.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.8 µH
Nennstrom4.6 A
Sättigungsstrom6.5 A
Bauform4020 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 1.8 µH, 5.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.8 µH
Nennstrom5.8 A
Sättigungsstrom8 A
Bauform4030 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 4.7 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Nennstrom4.7 A
Sättigungsstrom6.2 A
Bauform4020 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 5.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Nennstrom5.2 A
Sättigungsstrom7 A
Bauform4030 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 3.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Nennstrom3.6 A
Sättigungsstrom5.5 A
Bauform4020 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Nennstrom5 A
Sättigungsstrom5 A
Bauform4030 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 2.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Nennstrom2.9 A
Sättigungsstrom4.7 A
Bauform4020 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 3.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Nennstrom3.9 A
Sättigungsstrom6.4 A
Bauform4030 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 5.6 µH, 2.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität5.6 µH
Nennstrom2.8 A
Sättigungsstrom4.6 A
Bauform4020 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 5.6 µH, 3.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität5.6 µH
Nennstrom3.6 A
Sättigungsstrom6 A
Bauform4030 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 6.8 µH, 3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 µH
Nennstrom3 A
Sättigungsstrom5.5 A
Bauform4030 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 8.2 µH, 2.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität8.2 µH
Nennstrom2.8 A
Sättigungsstrom5.2 A
Bauform4030 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 2.7 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom2.7 A
Sättigungsstrom4.6 A
Bauform4030 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 1.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Nennstrom1.9 A
Sättigungsstrom2.1 A
Bauform4020 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 1.7 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 µH
Nennstrom1.7 A
Sättigungsstrom1.85 A
Bauform4020