Design Kit WE-MAPI Metal Alloy Power Inductor1610/2010

Artikel Nr. 7443831

Anwendung

  • Stromversorgungen von Smartphones, Tablet-PCs und anderen mobilen Geräten
  • DC/DC-Wandler für hohe Ströme in Netzteilen
  • DC/DC-Wandler für Field Programmable Gate Arrays (FPGA)
  • Point of Load (POL)- Wandler
  • Tragbare Geräte Digitalkamera sowie batteriebetriebene Geräte
  • Mainboards /Grafikkarten
  • CPU/RAM Stromversorgung
  • Wi-Fi-Kommunikationsgeräte

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L(µH)
IR(A)
ISAT(A)
Bauform
Muster
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 0.33 µH, 0 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.33 µH
Nennstrom0 A
Sättigungsstrom4.9 A
Bauform1610 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 0.33 µH, 2.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.33 µH
Nennstrom2.5 A
Sättigungsstrom5.9 A
Bauform2010 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 0.47 µH, 1.7 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.47 µH
Nennstrom1.7 A
Sättigungsstrom4.5 A
Bauform1610 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 0.47 µH, 2.3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.47 µH
Nennstrom2.3 A
Sättigungsstrom5.25 A
Bauform2010 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 0.56 µH, 0 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.56 µH
Nennstrom0 A
Sättigungsstrom4 A
Bauform1610 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 0.56 µH, 2.1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.56 µH
Nennstrom2.1 A
Sättigungsstrom5 A
Bauform2010 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 0.68 µH, 0 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.68 µH
Nennstrom0 A
Sättigungsstrom3.8 A
Bauform1610 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 0.68 µH, 2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.68 µH
Nennstrom2 A
Sättigungsstrom4.7 A
Bauform2010 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 0.82 µH, 0 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.82 µH
Nennstrom0 A
Sättigungsstrom3.6 A
Bauform1610 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 0.82 µH, 1.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.82 µH
Nennstrom1.9 A
Sättigungsstrom4.2 A
Bauform2010 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 0 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Nennstrom0 A
Sättigungsstrom3.4 A
Bauform1610 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 1.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Nennstrom1.8 A
Sättigungsstrom3.9 A
Bauform2010 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 1.2 µH, 0 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.2 µH
Nennstrom0 A
Sättigungsstrom3.2 A
Bauform1610 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 1.2 µH, 1.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.2 µH
Nennstrom1.5 A
Sättigungsstrom3.8 A
Bauform2010 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 1.5 µH, 0 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 µH
Nennstrom0 A
Sättigungsstrom2.7 A
Bauform1610 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 1.5 µH, 1.3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 µH
Nennstrom1.3 A
Sättigungsstrom3 A
Bauform2010 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 0 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Nennstrom0 A
Sättigungsstrom2.5 A
Bauform1610 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 1.1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Nennstrom1.1 A
Sättigungsstrom2.5 A
Bauform2010