IC-Hersteller Texas Instruments

IC-Hersteller (103)

Texas Instruments LM5180 | Demoboard PMP30629

Isolated 2.5-W SiC & IGBT gate-drive reference design with integrated switch PSR flyback converter

Details

TopologieSperrwandler
Eingangsspannung9-36 V
Schaltfrequenz12-350 kHz
Ausgang 115 V / 0.13 A
Ausgang 2-4 V / 0.13 A
IC-RevisionB

Beschreibung

This document analyzes two methods to increase the drive current from integrated gate-driver ICs. The performance of both the methods is compared by building boards and testing them at various conditions.These circuits are discussed in further detail in subsequent sections.

Eigenschaften

  • Designed for reliable and rugged applications– Wide input voltage range of 4.5 V to 65 V– Robust solution with only one component crossing the isolation barrier– ±1.5% total output regulation accuracy– Optional VOUT temperature compensation– 6-ms internal or programmable soft start– Input UVLO and thermal shutdown protection– Hiccup-mode overcurrent fault protection– –40°C to +150°C junction temperature range

Typische Anwendungen

  • Multi-output rails for analog input modules
  • Motor drive: IGBT gate drive supplies
  • Building automation HVAC systems
  • Isolated field transmitters and field actuators

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IR(A)
ISAT(A)
fres(MHz)
Montageart
Vin(V)
VOut1(V)
VOut2(V)
PO(W)
CWW 1(pF)
fswitch(kHz)
n
Version
IC-Referenz
Z @ 100 MHz(Ω)
Zmax(Ω)
Testbedingung Zmax
IR 2(mA)
RDC max.(mΩ)
Typ
Muster
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 1.3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom1.3 A
Sättigungsstrom1 A
Eigenresonanzfrequenz45 MHz
MontageartSMT 
VersionSMT 
Gleichstromwiderstand150 mΩ
WE-AGDT Auxiliary Gate Drive Transformer, 18 µH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität18 µH
Sättigungsstrom1.6 A
MontageartSMT 
Input Voltage 9 - 18
Ausgangsspannung 115 V
Ausgangsspannung 2-4 V
Totale Ausgangsleistung3 W
Koppelkapazität7 pF
Switching Frequency 350
Übersetzungsverhältnis2.25:3.5:1 
VersionFlyback 
IC-ReferenzLM5180 
WE-AGDT Auxiliary Gate Drive Transformer, 18 µH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität18 µH
Sättigungsstrom1.95 A
MontageartSMT 
Input Voltage 9 - 18
Ausgangsspannung 119 V
Totale Ausgangsleistung3 W
Koppelkapazität6.8 pF
Switching Frequency 350
Übersetzungsverhältnis1:2 
VersionFlyback 
IC-ReferenzLM5180 
WE-AGDT Auxiliary Gate Drive Transformer, 27 µH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität27 µH
Sättigungsstrom1.5 A
MontageartSMT 
Input Voltage 18 - 36
Ausgangsspannung 115 V
Ausgangsspannung 2-4 V
Totale Ausgangsleistung5 W
Koppelkapazität7 pF
Switching Frequency 350
Übersetzungsverhältnis3.5:3.5:1 
VersionFlyback 
IC-ReferenzLM5180 
WE-AGDT Auxiliary Gate Drive Transformer, 27 µH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität27 µH
Sättigungsstrom2 A
MontageartSMT 
Input Voltage 18 - 36
Ausgangsspannung 119 V
Totale Ausgangsleistung5 W
Koppelkapazität8.2 pF
Switching Frequency 350
Übersetzungsverhältnis1:1.2 
VersionFlyback 
IC-ReferenzLM5180 
WE-CBF SMT-Ferrit, –, 4.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-CBF SMT-Ferrit
Nennstrom4.5 A
MontageartSMT 
VersionSMT 
Impedanz @ 100 MHz22 Ω
Maximale Impedanz40 Ω
Maximale Impedanz1000 MHz 
Nennstrom 26000 mA
Gleichstromwiderstand8 mΩ
TypHochstrom 
750318212
Flyback Transformer, –, –
Simu­lation
Downloads
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Produktserie Flyback Transformer
750318213
Flyback Transformer, –, –
Simu­lation
Downloads
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Produktserie Flyback Transformer