Divimath DM8600 | Demoboard DM8600_PO3100__CAMERA_V1R1 | IC-Referenzdesignsuche von Würth Elektronik

IC-Referenzdesignsuche

ReferenzdesignDM8600 | Demoboard DM8600_PO3100__CAMERA_V1R1

Details

Topologie	Sonstige Topologie
IC-Revision	2014.06.17

Weiterführende Informationen

Produktseite des IC-Herstellers

Artikeldaten

	Artikel Nr.	Datenblatt	Simulation	Downloads	Status	Produktserie	I_RP,40K(A)	I_SAT,10%(A)	I_SAT,30%(A)	Montageart	Z @ 100 MHz(Ω)	Z_max(Ω)	Testbedingung Z_max	I_{R 2}(mA)	R_{DC max.}(mΩ)	Typ	L(µH)	Tol. L	Testbedingung L	Q_min.	Testbedingung Q	I_R(mA)	f_res(MHz)	Muster
	74437324100	WE-LHMI SMT Speicherdrossel, 1.95 A, 1.5 A	Simulation	Downloads9 Dateien EDA-Modelle: Bauteile ZIP ALT WE-LHMI (rev25c).IntLib \| 1.8 MB CDS Cadence_WE-LHMI (rev25a).zip \| 4.5 MB EAG Eagle_WE-LHMI (rev24c).lbr \| 193.1 KB KIC KiCad_WE-LHMI (rev25b).zip \| 991.6 KB ZUK Download_CadStar_WE-LHMI (rev19a).zip \| 16.7 KB CAD-Dateien ZIP IGS WE-LHMI_4020 (rev1).igs \| 943.7 KB STP WE-LHMI_4020 (rev1).stp \| 377.6 KB Elektrische Modelle ZIP PSP PSpice_WE-LHMI (rev24b).zip \| 33.5 KB SCS Spectre_WE-LHMI (rev24a).mod \| 43.1 KB Alle 9 Dateien als ZIP herunterladen ZIP	Status Aktivi\| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.	ProduktserieWE-LHMI SMT Speicherdrossel	Performance Nennstrom1.95 A	Sättigungsstrom 11.5 A	Sättigungsstrom @ 30%3.15 A	MontageartSMT	–	–	–	–	Gleichstromwiderstand243 mΩ	–	Induktivität10 µH	Induktivität±20%	Induktivität100 kHz/ 10 mA	–	–	–	Eigenresonanzfrequenz23 MHz
	74437324047	WE-LHMI SMT Speicherdrossel, 2.95 A, 2.45 A	Simulation	Downloads9 Dateien EDA-Modelle: Bauteile ZIP ALT WE-LHMI (rev25c).IntLib \| 1.8 MB CDS Cadence_WE-LHMI (rev25a).zip \| 4.5 MB EAG Eagle_WE-LHMI (rev24c).lbr \| 193.1 KB KIC KiCad_WE-LHMI (rev25b).zip \| 991.6 KB ZUK Download_CadStar_WE-LHMI (rev19a).zip \| 16.7 KB CAD-Dateien ZIP IGS WE-LHMI_4020 (rev1).igs \| 943.7 KB STP WE-LHMI_4020 (rev1).stp \| 377.6 KB Elektrische Modelle ZIP PSP PSpice_WE-LHMI (rev24b).zip \| 33.5 KB SCS Spectre_WE-LHMI (rev24a).mod \| 43.1 KB Alle 9 Dateien als ZIP herunterladen ZIP	Status Aktivi\| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.	ProduktserieWE-LHMI SMT Speicherdrossel	Performance Nennstrom2.95 A	Sättigungsstrom 12.45 A	Sättigungsstrom @ 30%5.4 A	MontageartSMT	–	–	–	–	Gleichstromwiderstand105 mΩ	–	Induktivität4.7 µH	Induktivität±20%	Induktivität100 kHz/ 10 mA	–	–	–	Eigenresonanzfrequenz31 MHz
	74279263	WE-CBF SMT-Ferrit, –, –	Simulation	Downloads9 Dateien EDA-Modelle: Bauteile ZIP ALT WE-CBF (rev25b).IntLib \| 260.5 KB CDS Cadence_WE-CBF (rev25a).zip \| 897.1 KB EAG Eagle_WE-CBF (rev25a).lbr \| 153.9 KB KIC KiCad_WE-CBF (rev25b).zip \| 301.3 KB ZUK Cadstar_WE-CBF (rev21a).zip \| 17.5 KB CAD-Dateien ZIP IGS WE-CBF_0603_CBF (rev1).igs \| 156.2 KB STP WE-CBF_0603_CBF (rev1).stp \| 60.5 KB Elektrische Modelle ZIP PSP PSpice_WE-CBF (rev25a).zip \| 24.3 KB S S-Parameter_WE-CBF (rev25a).zip \| 3.3 MB Alle 9 Dateien als ZIP herunterladen ZIP	Status Aktivi\| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.	ProduktserieWE-CBF SMT-Ferrit	–	–	–	MontageartSMT	Impedanz @ 100 MHz220 Ω	Maximale Impedanz280 Ω	Maximale Impedanz350 MHz	Nennstrom 21000 mA	Gleichstromwiderstand300 mΩ	TypBreitband	–	–	–	–	–	Nennstrom500 mA	–
	744765062A	WE-KI Keramik-SMT-Induktivität, –, –	Simulation	Downloads11 Dateien EDA-Modelle: Bauteile ZIP ALT Altium_WE-KI (rev22d).IntLib \| 479 KB ANS ANSYS_744765062A (rev23b).a3dcomp \| 708.9 KB CDS Cadence_WE-KI (rev24a).zip \| 1.5 MB EAG Eagle_WE-KI (rev21a).lbr \| 154.8 KB KIC KiCad_WE-KI (rev25b).zip \| 425.5 KB ZUK Cadstar_WE-KI (rev20b).zip \| 16.7 KB CAD-Dateien ZIP IGS WE-KI_0402A (rev1).igs \| 1.2 MB STP WE-KI_0402A (rev1).stp \| 326.8 KB Elektrische Modelle ZIP ADS ADS_WE-KI (rev24a).zip \| 25.2 MB PSP PSpice_WE-KI (rev22a).zip \| 57.6 KB S S-Parameter_744765062A (rev22a).s2p \| 83.7 KB Alle 11 Dateien als ZIP herunterladen ZIP	Status Aktivi\| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.	ProduktserieWE-KI Keramik-SMT-Induktivität	–	–	–	MontageartSMT	–	–	–	–	Gleichstromwiderstand83 mΩ	–	Induktivität0.0062 µH	Induktivität±5%	Induktivität250 MHz	Güte23	Güte250 MHz	Nennstrom760 mA	Eigenresonanzfrequenz5800 MHz