IC-Hersteller Analog Devices

IC-Hersteller (103)

Analog Devices ADP1878

Synchronous Buck Controller with Constant On Time and Valley Current Mode

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung2.95-20 V
Schaltfrequenz300-1000 kHz
Ausgang 10.6 V
IC-RevisionB

Beschreibung

The ADP1878/ADP1879 are versatile current-mode, synchronous step-down controllers. They provide superior transient response, optimal stability, and current-limit protection by using a constant on time, pseudo fixed frequency with a programmable current-limit,current control scheme. These devices offer optimum performanceat low duty cycles by using a valley, current-mode control architecture allowing the ADP1878/ADP1879 to drive all N-channel power stages to regulate output voltages to as low as 0.6 V.

The ADP1879 is the power saving mode (PSM) version of the device and is capable of pulse skipping to maintain output regulation while achieving improved system efficiency at light loads (see the ADP1879 Power Saving Mode (PSM) section for more information).

Available in three frequency options (300 kHz, 600 kHz, and 1.0 MHz) plus the PSM option, the ADP1878/ADP1879 are well suited for a wide range of applications that require a single input power supply range from 2.95 V to 20 V. Low voltage biasing is supplied via a 5 V internal low dropout regulator (LDO). In addition, soft start programmability is included to limit input inrush current from the input supply during startup and to provide reverse current protection during precharged output conditions. The low-side current sense, current gain scheme and integration of a boost diode, together with the PSM/forced pulse-width modulation (PWM) option, reduce the external device count and improve efficiency.

The ADP1878/ADP1879 operate over the −40°C to +125°C junction temperature range and are available in a 14-lead LFCSP_WD package.

Eigenschaften

  • Power input voltage range: 2.95 V to 20 V
  • On-board bias regulator
  • Minimum output voltage: 0.6 V
  • 0.6 V reference voltage with ±1.0% accuracy
  • Supports all N-channel MOSFET power stages
  • Available in 300 kHz, 600 kHz, and 1.0 MHz options
  • No current sense resistor required
  • Power saving mode (PSM) for light loads (ADP1879 only)
  • Resistor programmable current limit
  • Power good with internal pull-up resistor
  • Externally programmable soft start
  • Thermal overload protection
  • Short-circuit protection
  • Standalone precision enable input
  • Integrated bootstrap diode for high-side drive
  • Starts into a precharged output
  • Available in a 14-lead LFCSP_WD package

Remarks:1.Table 8,11. Recommended InductorsRefer page no.24,32.

2.Table 10. External Component ValuesRefer page no.31

Typische Anwendungen

  • Set-top boxes
  • Mid-to-high end servers
  • Telecommunications and networking systems
  • DSP core power supplies

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(nH)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Material
LR(nH)
IR(A)
Muster
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 120 nH, 63.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität120 nH
Performance Nennstrom63.9 A
Sättigungsstrom 151.2 A
Sättigungsstrom @ 30%59.8 A
Gleichstromwiderstand0.325 mΩ
Eigenresonanzfrequenz150 MHz
MaterialMnZn 
Nenninduktivität118 nH
Nennstrom31 A
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 220 nH, 63.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität220 nH
Performance Nennstrom63.9 A
Sättigungsstrom 127 A
Sättigungsstrom @ 30%34.5 A
Gleichstromwiderstand0.325 mΩ
Eigenresonanzfrequenz80 MHz
MaterialMnZn 
Nenninduktivität180 nH
Nennstrom31 A
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 470 nH, 54.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität470 nH
Performance Nennstrom54.9 A
Sättigungsstrom 125 A
Sättigungsstrom @ 30%50 A
Gleichstromwiderstand0.67 mΩ
Eigenresonanzfrequenz100 MHz
MaterialWE-PERM 
Nenninduktivität410 nH
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 720 nH, 37.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität720 nH
Performance Nennstrom37.8 A
Sättigungsstrom 114 A
Sättigungsstrom @ 30%35 A
Gleichstromwiderstand1.3 mΩ
Eigenresonanzfrequenz115 MHz
MaterialSuperflux 
Nenninduktivität600 nH
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 900 nH, 36 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität900 nH
Performance Nennstrom36 A
Sättigungsstrom 111 A
Sättigungsstrom @ 30%28 A
Gleichstromwiderstand1.6 mΩ
Eigenresonanzfrequenz72 MHz
MaterialWE-PERM 
Nenninduktivität660 nH
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1000 nH, 23.1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1000 nH
Performance Nennstrom23.1 A
Sättigungsstrom 17.5 A
Sättigungsstrom @ 30%20 A
Gleichstromwiderstand3.3 mΩ
Eigenresonanzfrequenz80 MHz
MaterialWE-PERM 
Nenninduktivität780 nH
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1200 nH, 32.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1200 nH
Performance Nennstrom32.6 A
Sättigungsstrom 112 A
Sättigungsstrom @ 30%25 A
Gleichstromwiderstand1.8 mΩ
Eigenresonanzfrequenz75 MHz
MaterialSuperflux 
Nenninduktivität1000 nH
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2000 nH, 26.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2000 nH
Performance Nennstrom26.5 A
Sättigungsstrom 19 A
Sättigungsstrom @ 30%22 A
Gleichstromwiderstand2.6 mΩ
Eigenresonanzfrequenz45 MHz
MaterialWE-PERM 
Nenninduktivität1400 nH