| Topologie | Abwärtswandler |
| Eingangsspannung | 2.95-20 V |
| Schaltfrequenz | 300-1000 kHz |
| Ausgang 1 | 0.6 V |
| IC-Revision | B |
The ADP1878/ADP1879 are versatile current-mode, synchronous step-down controllers. They provide superior transient response, optimal stability, and current-limit protection by using a constant on time, pseudo fixed frequency with a programmable current-limit,current control scheme. These devices offer optimum performanceat low duty cycles by using a valley, current-mode control architecture allowing the ADP1878/ADP1879 to drive all N-channel power stages to regulate output voltages to as low as 0.6 V.
The ADP1879 is the power saving mode (PSM) version of the device and is capable of pulse skipping to maintain output regulation while achieving improved system efficiency at light loads (see the ADP1879 Power Saving Mode (PSM) section for more information).
Available in three frequency options (300 kHz, 600 kHz, and 1.0 MHz) plus the PSM option, the ADP1878/ADP1879 are well suited for a wide range of applications that require a single input power supply range from 2.95 V to 20 V. Low voltage biasing is supplied via a 5 V internal low dropout regulator (LDO). In addition, soft start programmability is included to limit input inrush current from the input supply during startup and to provide reverse current protection during precharged output conditions. The low-side current sense, current gain scheme and integration of a boost diode, together with the PSM/forced pulse-width modulation (PWM) option, reduce the external device count and improve efficiency.
The ADP1878/ADP1879 operate over the −40°C to +125°C junction temperature range and are available in a 14-lead LFCSP_WD package.
Remarks:1.Table 8,11. Recommended InductorsRefer page no.24,32.
2.Table 10. External Component ValuesRefer page no.31
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(nH) | IRP,40K(A) | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | RDC(mΩ) | fres(MHz) | Material | LR(nH) | IR(A) | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 120 nH, 63.9 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität120 nH | Performance Nennstrom63.9 A | Sättigungsstrom 151.2 A | Sättigungsstrom @ 30%59.8 A | Gleichstromwiderstand0.325 mΩ | Eigenresonanzfrequenz150 MHz | MaterialMnZn | Nenninduktivität118 nH | Nennstrom31 A | ||||
![]() | WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 220 nH, 63.9 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität220 nH | Performance Nennstrom63.9 A | Sättigungsstrom 127 A | Sättigungsstrom @ 30%34.5 A | Gleichstromwiderstand0.325 mΩ | Eigenresonanzfrequenz80 MHz | MaterialMnZn | Nenninduktivität180 nH | Nennstrom31 A | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 470 nH, 54.9 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität470 nH | Performance Nennstrom54.9 A | Sättigungsstrom 125 A | Sättigungsstrom @ 30%50 A | Gleichstromwiderstand0.67 mΩ | Eigenresonanzfrequenz100 MHz | MaterialWE-PERM | Nenninduktivität410 nH | – | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 720 nH, 37.8 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität720 nH | Performance Nennstrom37.8 A | Sättigungsstrom 114 A | Sättigungsstrom @ 30%35 A | Gleichstromwiderstand1.3 mΩ | Eigenresonanzfrequenz115 MHz | MaterialSuperflux | Nenninduktivität600 nH | – | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 900 nH, 36 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität900 nH | Performance Nennstrom36 A | Sättigungsstrom 111 A | Sättigungsstrom @ 30%28 A | Gleichstromwiderstand1.6 mΩ | Eigenresonanzfrequenz72 MHz | MaterialWE-PERM | Nenninduktivität660 nH | – | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1000 nH, 23.1 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität1000 nH | Performance Nennstrom23.1 A | Sättigungsstrom 17.5 A | Sättigungsstrom @ 30%20 A | Gleichstromwiderstand3.3 mΩ | Eigenresonanzfrequenz80 MHz | MaterialWE-PERM | Nenninduktivität780 nH | – | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1200 nH, 32.6 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität1200 nH | Performance Nennstrom32.6 A | Sättigungsstrom 112 A | Sättigungsstrom @ 30%25 A | Gleichstromwiderstand1.8 mΩ | Eigenresonanzfrequenz75 MHz | MaterialSuperflux | Nenninduktivität1000 nH | – | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2000 nH, 26.5 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität2000 nH | Performance Nennstrom26.5 A | Sättigungsstrom 19 A | Sättigungsstrom @ 30%22 A | Gleichstromwiderstand2.6 mΩ | Eigenresonanzfrequenz45 MHz | MaterialWE-PERM | Nenninduktivität1400 nH | – |