IC-Hersteller Analog Devices

IC-Hersteller (103)

Analog Devices ADP1870

Synchronous Buck Controller with Constant On-Time and Valley Current Mode

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung2.95-20 V
Schaltfrequenz300-1000 kHz
Ausgang 10.6 V
IC-RevisionB

Beschreibung

The ADP1870/ADP1871 are versatile current-mode, synchronous step-down controllers that provide superior transient response, optimal stability, and current-limit protection by using a constant on-time, pseudo-fixed frequency with a programmable current-limit, current-control scheme. In addition, these devices offer optimum performance at low duty cycles by utilizing valley current-mode control architecture. This allows the ADP1870/ ADP1871 to drive all N-channel power stages to regulate output voltages as low as 0.6 V.

The ADP1871 is the power saving mode (PSM) version of the device and is capable of pulse skipping to maintain output regulation while achieving improved system efficiency at light loads (see the Power Saving Mode (PSM) Version (ADP1871) section for more information).

Available in three frequency options (300 kHz, 600 kHz, and 1.0 MHz, plus the PSM option), the ADP1870/ADP1871 are well suited for a wide range of applications that require a single-input power supply range from 2.95 V to 20 V. Low voltage biasing is supplied via a 5 V internal LDO.

In addition, an internally fixed soft start period is included to limit input in-rush current from the input supply during startup and to provide reverse current protection during soft start for a pre-charged output. The low-side current-sense, current-gain scheme and integration of a boost diode, along with the PSM/forced pulse-width modulation (PWM) option, reduce the external part count and improve efficiency.

The ADP1870/ADP1871 operate over the −40°C to +125°C junction temperature range and are available in a 10-lead MSOP and LFCSP packages.

Eigenschaften

  • Power input voltage range: 2.95 V to 20 V
  • On-board bias regulator
  • Minimum output voltage: 0.6 V
  • 0.6 V reference voltage with ±1.0% accuracy
  • Supports all N-channel MOSFET power stages
  • Available in 300 kHz, 600 kHz, and 1.0 MHz options
  • No current-sense resistor required
  • Power saving mode (PSM) for light loads (ADP1871 only)
  • Resistor-programmable current-sense gain
  • Thermal overload protection
  • Short-circuit protection
  • Precision enable input
  • Integrated bootstrap diode for high-side drive
  • Starts into a precharged load
  • Small, 10-lead MSOP and LFCSP packages

Remarks:1.Table 10. External Component Values RecommendedRefer page no.31

  1. List Of InductorsRefer page no.24 And 32

Typische Anwendungen

  • DSP core power supplies
  • Set-top boxes
  • 12 V input POL supplies
  • Mid to high end servers
  • Telecom and networking systems

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(nH)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Material
LR(nH)
IR(A)
Muster
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 120 nH, 63.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität120 nH
Performance Nennstrom63.9 A
Sättigungsstrom 151.2 A
Sättigungsstrom @ 30%59.8 A
Gleichstromwiderstand0.325 mΩ
Eigenresonanzfrequenz150 MHz
MaterialMnZn 
Nenninduktivität118 nH
Nennstrom31 A
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 220 nH, 63.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität220 nH
Performance Nennstrom63.9 A
Sättigungsstrom 127 A
Sättigungsstrom @ 30%34.5 A
Gleichstromwiderstand0.325 mΩ
Eigenresonanzfrequenz80 MHz
MaterialMnZn 
Nenninduktivität180 nH
Nennstrom31 A
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 470 nH, 54.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität470 nH
Performance Nennstrom54.9 A
Sättigungsstrom 125 A
Sättigungsstrom @ 30%50 A
Gleichstromwiderstand0.67 mΩ
Eigenresonanzfrequenz100 MHz
MaterialWE-PERM 
Nenninduktivität410 nH
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 720 nH, 37.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität720 nH
Performance Nennstrom37.8 A
Sättigungsstrom 114 A
Sättigungsstrom @ 30%35 A
Gleichstromwiderstand1.3 mΩ
Eigenresonanzfrequenz115 MHz
MaterialSuperflux 
Nenninduktivität600 nH
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 900 nH, 36 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität900 nH
Performance Nennstrom36 A
Sättigungsstrom 111 A
Sättigungsstrom @ 30%28 A
Gleichstromwiderstand1.6 mΩ
Eigenresonanzfrequenz72 MHz
MaterialWE-PERM 
Nenninduktivität660 nH
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1000 nH, 23.1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1000 nH
Performance Nennstrom23.1 A
Sättigungsstrom 17.5 A
Sättigungsstrom @ 30%20 A
Gleichstromwiderstand3.3 mΩ
Eigenresonanzfrequenz80 MHz
MaterialWE-PERM 
Nenninduktivität780 nH
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1200 nH, 32.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1200 nH
Performance Nennstrom32.6 A
Sättigungsstrom 112 A
Sättigungsstrom @ 30%25 A
Gleichstromwiderstand1.8 mΩ
Eigenresonanzfrequenz75 MHz
MaterialSuperflux 
Nenninduktivität1000 nH
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2000 nH, 26.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2000 nH
Performance Nennstrom26.5 A
Sättigungsstrom 19 A
Sättigungsstrom @ 30%22 A
Gleichstromwiderstand2.6 mΩ
Eigenresonanzfrequenz45 MHz
MaterialWE-PERM 
Nenninduktivität1400 nH