Silicon Based Components

Siliziumbasierte induktive Bauelemente

Innovative Bauelemente für hohen Integrationsgrad

Mit innovativer 300-mm-Siliziumtechnologie setzt Würth Elektronik neue Maßstäbe bei hochintegrierbaren induktiven Bauelementen. Durch flexible Designs und vielseitige Einsatzmöglichkeiten entwickeln wir individuelle Lösungen – exakt abgestimmt auf die Anforderungen unserer Kunden.

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Anfrageformular Support Note SN029
Siziliumbasierte induktive Bauelemente

Technologie

Schichtaufbau eines siziliumbasierten Bauelementes
Schichtaufbau
  • Silizium als Trägermaterial
  • 25 µm Kupferleiterbahnen
  • Laminierter magnetischer Kern
  • Polyimid zur Isolation
Kernmaterial von siziliumbasierten Bauelementen
Kernmaterial
  • Laminierbares CZT-Material optimiert für Hochfrequenzanwendungen
  • Sehr schmale BH-Kurve zur Minimierung von Verlusten

Design Beispiele

Siliziumbasierter Leistungsinduktor WE-SBPI
Siliziumbasierter Leistungsinduktor WE-SBPI
Siliziumbasierter Leistungstransformator WE-SBTR
Siliziumbasierter Leistungstransformator WE-SBTR

Anwendungsbeispiele

Silicon-based component embedded in the PCB
Smartwatch-Beispiel – in die Leiterplatte integriert
Integrierter Spannungsregler
Integrierter Spannungsregler
Photeon Design
Integrierter mehrphasiger Wandler

Integrationsoptionen

WLCSP für das Löten auf Lieterplatten und Package-in-Package-Integration
WLCSP für das Löten auf Lieterplatten und Package-in-Package-Integration
Bare Die für Drahtbonden
Bare Die für Drahtbonden
Einbettung eines ungehäusten Chips
Einbettung eines ungehäusten Chips
Chiplet-Integration
Chiplet-Integration
MICROVIA Embedding
MICROVIA Embedding
Flip-Chip Embedding
Flip-Chip Embedding

Lieferoptionen – Full Wafer

Full Wafer Non-Grinded
Full Wafer Non-Grinded
  • 300 mm Silizium Wafer
  • Siliziumdicke: ca. 400–500 µm
  • Gesamthöhe: ca. 480–580 µm
Full Wafer Grinded
Full Wafer Grinded
  • 300 mm Silicon Wafer
  • Siliziumdicke: ca. 125 µm
  • Gesamthöhe: ca. 200 µm
Full Wafer Ball Drop
Full Wafer Ball Drop
  • 300 mm Silicon Wafer
  • 230 µm Ballauftrag auf ungeschliffener oder geschliffener Oberfläche
  • Gesamthöhe: ca. 420 µm
Full Wafer NiAg finish
Full Wafer NiAg finish
  • 300 mm Silicon Wafer
  • NiAg-Oberfläche auf Kupfer
  • Gesamthöhe: ca. 200 µm

Lieferoptionen – Die

Laserschnitt auf blauer Folie
Laserschnitt auf blauer Folie
  • Chips vereinzelt mittels Laser
  • Auf blauer Folie für den Transport platziert
Tape & Reel Packaging
Tape-&-Reel-Verpackung
  • Vereinzelte Chips in Tape-&-Reel-Verpackung platziert
Photeon Design
Technologieintegration
  • Direkte Implementierung des Schichtaufbaus in den CMOS-Prozess
  • Nur mit passender Foundry möglich

Anfrageprozessablauf

  1. Anfrage über Vertrieb oder Online-Kontaktformular
  2. Anforderungsdefinition mit PM und Design-Team: ca. 1–2 Wochen
  3. Machbarkeitsprüfung / Designvorschlag basierend auf FEM-Simulation (Finite-Elemente-Methode): ca. 1–2 Arbeitstage
  4. Verifizierung & Musteranforderung (MPW-Lauf oder einzelner Design-Wafer): ca. 3–4 Monate
  5. Test & Freigabe
  6. Serienproduktion bereit

Anfrageformular

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