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L1(µH)
IR 1(A)
RDC1 typ(Ω)
ISAT 1(A)
Bauform
Muster
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 11.3 µH
Nennstrom 14.4 A
Gleichstromwiderstand 10.027 Ω
Sättigungsstrom [1]6.3 A
Bauform7332 
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 11.8 µH
Nennstrom 14.7 A
Gleichstromwiderstand 10.025 Ω
Sättigungsstrom [1]6.5 A
Bauform7345 
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 12.4 µH
Nennstrom 13.6 A
Gleichstromwiderstand 10.042 Ω
Sättigungsstrom [1]4.8 A
Bauform7332 
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 12.4 µH
Nennstrom 14.2 A
Gleichstromwiderstand 10.031 Ω
Sättigungsstrom [1]5.6 A
Bauform7345 
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 13.3 µH
Nennstrom 13.7 A
Gleichstromwiderstand 10.04 Ω
Sättigungsstrom [1]5 A
Bauform7345 
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 14.7 µH
Nennstrom 11.3 A
Gleichstromwiderstand 10.065 Ω
Sättigungsstrom [1]3 A
Bauform7332 
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 14.7 µH
Nennstrom 12.55 A
Gleichstromwiderstand 10.052 Ω
Sättigungsstrom [1]4 A
Bauform7345 
WE-DD SMT-Doppeldrossel, 4.7 µH, 4.22 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 14.7 µH
Nennstrom 14.22 A
Gleichstromwiderstand 10.023 Ω
Sättigungsstrom [1]8 A
Bauform1260 
WE-DD SMT-Doppeldrossel, 4.7 µH, 3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 14.7 µH
Nennstrom 13 A
Gleichstromwiderstand 10.023 Ω
Sättigungsstrom [1]8 A
Bauform1260 
WE-DD SMT-Doppeldrossel, 4.7 µH, 4.87 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 14.7 µH
Nennstrom 14.87 A
Gleichstromwiderstand 10.019 Ω
Sättigungsstrom [1]10 A
Bauform1280 
WE-DD SMT-Doppeldrossel, 4.7 µH, 3.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 14.7 µH
Nennstrom 13.6 A
Gleichstromwiderstand 10.025 Ω
Sättigungsstrom [1]10 A
Bauform1280 
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 110 µH
Nennstrom 11 A
Gleichstromwiderstand 10.125 Ω
Sättigungsstrom [1]2 A
Bauform7332 
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 110 µH
Nennstrom 11.1 A
Gleichstromwiderstand 10.11 Ω
Sättigungsstrom [1]2.8 A
Bauform7345 
WE-DD SMT-Doppeldrossel, 10 µH, 3.28 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 110 µH
Nennstrom 13.28 A
Gleichstromwiderstand 10.038 Ω
Sättigungsstrom [1]5.25 A
Bauform1260 
WE-DD SMT-Doppeldrossel, 10 µH, 2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 110 µH
Nennstrom 12 A
Gleichstromwiderstand 10.044 Ω
Sättigungsstrom [1]5 A
Bauform1260 
WE-DD SMT-Doppeldrossel, 10 µH, 4.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 110 µH
Nennstrom 14.2 A
Gleichstromwiderstand 10.031 Ω
Sättigungsstrom [1]7.5 A
Bauform1280 
WE-DD SMT-Doppeldrossel, 10 µH, 2.7 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 110 µH
Nennstrom 12.7 A
Gleichstromwiderstand 10.038 Ω
Sättigungsstrom [1]7 A
Bauform1280 
WE-DD SMT-Doppeldrossel, 10 µH, 3.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 110 µH
Nennstrom 13.2 A
Gleichstromwiderstand 10.033 Ω
Sättigungsstrom [1]8 A
Bauform1210 
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 122 µH
Nennstrom 10.8 A
Gleichstromwiderstand 10.215 Ω
Sättigungsstrom [1]1.8 A
Bauform7345 
WE-DD SMT-Doppeldrossel, 22 µH, 2.47 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 122 µH
Nennstrom 12.47 A
Gleichstromwiderstand 10.067 Ω
Sättigungsstrom [1]3.3 A
Bauform1260 
WE-DD SMT-Doppeldrossel, 22 µH, 1.85 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 122 µH
Nennstrom 11.85 A
Gleichstromwiderstand 10.067 Ω
Sättigungsstrom [1]3 A
Bauform1260 
WE-DD SMT-Doppeldrossel, 22 µH, 2.79 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 122 µH
Nennstrom 12.79 A
Gleichstromwiderstand 10.058 Ω
Sättigungsstrom [1]5 A
Bauform1280 
WE-DD SMT-Doppeldrossel, 22 µH, 2.45 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 122 µH
Nennstrom 12.45 A
Gleichstromwiderstand 10.062 Ω
Sättigungsstrom [1]5.2 A
Bauform1280 
WE-DD SMT-Doppeldrossel, 22 µH, 3.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 122 µH
Nennstrom 13.5 A
Gleichstromwiderstand 10.064 Ω
Sättigungsstrom [1]5 A
Bauform1210 
WE-DD SMT-Doppeldrossel, 33 µH, 2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 133 µH
Nennstrom 12 A
Gleichstromwiderstand 10.08 Ω
Sättigungsstrom [1]4.4 A
Bauform1210 
WE-DD SMT-Doppeldrossel, 47 µH, 1.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 147 µH
Nennstrom 11.8 A
Gleichstromwiderstand 10.13 Ω
Sättigungsstrom [1]2.75 A
Bauform1260 
WE-DD SMT-Doppeldrossel, 47 µH, 1.1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 147 µH
Nennstrom 11.1 A
Gleichstromwiderstand 10.145 Ω
Sättigungsstrom [1]2.4 A
Bauform1260 
WE-DD SMT-Doppeldrossel, 47 µH, 2.02 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 147 µH
Nennstrom 12.02 A
Gleichstromwiderstand 10.11 Ω
Sättigungsstrom [1]3.1 A
Bauform1280 
WE-DD SMT-Doppeldrossel, 47 µH, 1.45 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 147 µH
Nennstrom 11.45 A
Gleichstromwiderstand 10.125 Ω
Sättigungsstrom [1]3.1 A
Bauform1280 
WE-DD SMT-Doppeldrossel, 100 µH, 1.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1100 µH
Nennstrom 11.2 A
Gleichstromwiderstand 10.285 Ω
Sättigungsstrom [1]1.7 A
Bauform1260 
WE-DD SMT-Doppeldrossel, 100 µH, 1.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1100 µH
Nennstrom 11.5 A
Gleichstromwiderstand 10.293 Ω
Sättigungsstrom [1]1.8 A
Bauform1260 
WE-DD SMT-Doppeldrossel, 100 µH, 1.38 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1100 µH
Nennstrom 11.38 A
Gleichstromwiderstand 10.235 Ω
Sättigungsstrom [1]2.2 A
Bauform1280 
WE-DD SMT-Doppeldrossel, 100 µH, 1.4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1100 µH
Nennstrom 11.4 A
Gleichstromwiderstand 10.23 Ω
Sättigungsstrom [1]2 A
Bauform1280 
WE-DD SMT-Doppeldrossel, 220 µH, 0.91 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1220 µH
Nennstrom 10.91 A
Gleichstromwiderstand 10.54 Ω
Sättigungsstrom [1]1.6 A
Bauform1280 
WE-DD SMT-Doppeldrossel, 220 µH, 0.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1220 µH
Nennstrom 10.9 A
Gleichstromwiderstand 10.53 Ω
Sättigungsstrom [1]1.4 A
Bauform1280