| WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 0.47 µH, 15.5 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | | Induktivität0.47 µH | Sättigungsstrom15.5 A | Nennstrom4.5 A | Bauform4020 | |
| WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 0.47 µH, 5.6 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | | Induktivität0.47 µH | Sättigungsstrom5.6 A | Nennstrom2.9 A | Bauform2512 | |
| WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 0.47 µH, 8 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | | Induktivität0.47 µH | Sättigungsstrom8 A | Nennstrom3.15 A | Bauform3012 | |
| WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 0.47 µH, 4.7 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | | Induktivität0.47 µH | Sättigungsstrom4.7 A | Nennstrom2.2 A | Bauform2010 | |
| WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 1 µH, 9.5 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | | Induktivität1 µH | Sättigungsstrom9.5 A | Nennstrom4 A | Bauform4020 | |
| WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 1 µH, 5.4 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | | Induktivität1 µH | Sättigungsstrom5.4 A | Nennstrom2.4 A | Bauform3012 | |
| WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 1 µH, 4.2 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | | Induktivität1 µH | Sättigungsstrom4.2 A | Nennstrom2.35 A | Bauform2512 | |
| WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 1 µH, 3.85 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | | Induktivität1 µH | Sättigungsstrom3.85 A | Nennstrom1.65 A | Bauform2010 | |
| WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 1.5 µH, 8.7 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | | Induktivität1.5 µH | Sättigungsstrom8.7 A | Nennstrom3.2 A | Bauform4020 | |
| WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 1.5 µH, 3.5 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | | Induktivität1.5 µH | Sättigungsstrom3.5 A | Nennstrom2.1 A | Bauform2512 | |
| WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 1.5 µH, 4.1 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | | Induktivität1.5 µH | Sättigungsstrom4.1 A | Nennstrom2.2 A | Bauform3012 | |
| WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 1.5 µH, 2.3 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | | Induktivität1.5 µH | Sättigungsstrom2.3 A | Nennstrom1.4 A | Bauform2010 | |
| WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 2.2 µH, 7.6 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | | Induktivität2.2 µH | Sättigungsstrom7.6 A | Nennstrom2.6 A | Bauform4020 | |
| WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 2.2 µH, 3 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | | Induktivität2.2 µH | Sättigungsstrom3 A | Nennstrom1.6 A | Bauform2512 | |
| WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 2.2 µH, 3.35 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | | Induktivität2.2 µH | Sättigungsstrom3.35 A | Nennstrom1.75 A | Bauform3012 | |
| WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 2.2 µH, 2.15 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | | Induktivität2.2 µH | Sättigungsstrom2.15 A | Nennstrom1.25 A | Bauform2010 | |
| WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 3.3 µH, 5.9 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | | Induktivität3.3 µH | Sättigungsstrom5.9 A | Nennstrom2.3 A | Bauform4020 | |
| WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 4.7 µH, 4.9 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | | Induktivität4.7 µH | Sättigungsstrom4.9 A | Nennstrom2.1 A | Bauform4020 | |
| WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 4.7 µH, 1.9 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | | Induktivität4.7 µH | Sättigungsstrom1.9 A | Nennstrom1 A | Bauform2512 | |
| WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 4.7 µH, 2.5 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | | Induktivität4.7 µH | Sättigungsstrom2.5 A | Nennstrom1.2 A | Bauform3012 | |
| WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 4.7 µH, 1.5 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | | Induktivität4.7 µH | Sättigungsstrom1.5 A | Nennstrom0.8 A | Bauform2010 | |
| WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 6.8 µH, 4.2 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | | Induktivität6.8 µH | Sättigungsstrom4.2 A | Nennstrom1.9 A | Bauform4020 | |
| WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 10 µH, 3.5 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | | Induktivität10 µH | Sättigungsstrom3.5 A | Nennstrom1.7 A | Bauform4020 | |
| WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 10 µH, 1.2 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | | Induktivität10 µH | Sättigungsstrom1.2 A | Nennstrom0.8 A | Bauform2512 | |
| WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 10 µH, 1.45 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | | Induktivität10 µH | Sättigungsstrom1.45 A | Nennstrom0.85 A | Bauform3012 | |
| WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 10 µH, 0.95 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | | Induktivität10 µH | Sättigungsstrom0.95 A | Nennstrom0.58 A | Bauform2010 | |