WE-PD2SR SMT-Speicherdrossel
BauformMaßeL
(mm)
B
(mm)
H
(mm)
Montageart
7850
7.8 7 4.8 SMT

Merkmale

  • Geschirmte Bauform der Baureihe WE-PD2 - dadurch geringes Streufeld
  • Stabile Induktivitätsverhalten durch selbstzentrierende Schirmringkonsturktion
  • Pinkompatibel zu der PD2 Bauform 7850
  • Empfohlenes Lötverfahren: Reflow
  • Betriebstemperatur: -40°C bis +125°C

Anwendung

  • Schaltregler im Bereich kleiner Betriebsspannungen wie in tragbaren Geräten
  • Integrierte DC-/DC-Wandler

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Daten­blatt
Simu­lation
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L(µH)
IR(A)
ISAT(A)
RDC max.(mΩ)
fres(MHz)
Version
Muster
744787012
1.2 µH, 4.85 A, 6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.2 µH
Nennstrom4.85 A
Sättigungsstrom6 A
Gleichstromwiderstand13 mΩ
Eigenresonanzfrequenz110 MHz
VersionSMT 
744787027
2.7 µH, 4.35 A, 4.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.7 µH
Nennstrom4.35 A
Sättigungsstrom4.5 A
Gleichstromwiderstand17 mΩ
Eigenresonanzfrequenz60 MHz
VersionSMT 
744787039
3.9 µH, 3.8 A, 4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.9 µH
Nennstrom3.8 A
Sättigungsstrom4 A
Gleichstromwiderstand20 mΩ
Eigenresonanzfrequenz45 MHz
VersionSMT 
744787047
4.7 µH, 3.3 A, 3.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Nennstrom3.3 A
Sättigungsstrom3.6 A
Gleichstromwiderstand29 mΩ
Eigenresonanzfrequenz42 MHz
VersionSMT 
744787068
6.8 µH, 3 A, 3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 µH
Nennstrom3 A
Sättigungsstrom3 A
Gleichstromwiderstand33 mΩ
Eigenresonanzfrequenz30 MHz
VersionSMT 
744787082
8.2 µH, 2.7 A, 2.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität8.2 µH
Nennstrom2.7 A
Sättigungsstrom2.8 A
Gleichstromwiderstand39 mΩ
Eigenresonanzfrequenz28 MHz
VersionSMT 
744787100
10 µH, 2.6 A, 2.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom2.6 A
Sättigungsstrom2.6 A
Gleichstromwiderstand43 mΩ
Eigenresonanzfrequenz24 MHz
VersionSMT 
744787120
12 µH, 2.45 A, 2.4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität12 µH
Nennstrom2.45 A
Sättigungsstrom2.4 A
Gleichstromwiderstand52 mΩ
Eigenresonanzfrequenz20 MHz
VersionSMT 
744787150
15 µH, 2.3 A, 2.1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Nennstrom2.3 A
Sättigungsstrom2.1 A
Gleichstromwiderstand60 mΩ
Eigenresonanzfrequenz18 MHz
VersionSMT 
744787180
18 µH, 2.15 A, 1.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität18 µH
Nennstrom2.15 A
Sättigungsstrom1.9 A
Gleichstromwiderstand78 mΩ
Eigenresonanzfrequenz15 MHz
VersionSMT 
744787220
22 µH, 1.83 A, 1.7 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 µH
Nennstrom1.83 A
Sättigungsstrom1.7 A
Gleichstromwiderstand103 mΩ
Eigenresonanzfrequenz13 MHz
VersionSMT 
744787330
33 µH, 1.48 A, 1.3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität33 µH
Nennstrom1.48 A
Sättigungsstrom1.3 A
Gleichstromwiderstand161 mΩ
Eigenresonanzfrequenz10 MHz
VersionSMT 
744787470
47 µH, 1.25 A, 1.15 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität47 µH
Nennstrom1.25 A
Sättigungsstrom1.15 A
Gleichstromwiderstand243 mΩ
Eigenresonanzfrequenz8 MHz
VersionSMT 
744787680
68 µH, 1.12 A, 1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität68 µH
Nennstrom1.12 A
Sättigungsstrom1 A
Gleichstromwiderstand290 mΩ
Eigenresonanzfrequenz7.5 MHz
VersionSMT 
744787820
82 µH, 1.04 A, 0.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität82 µH
Nennstrom1.04 A
Sättigungsstrom0.9 A
Gleichstromwiderstand328 mΩ
Eigenresonanzfrequenz6 MHz
VersionSMT 
744787101
100 µH, 0.95 A, 0.87 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität100 µH
Nennstrom0.95 A
Sättigungsstrom0.87 A
Gleichstromwiderstand467 mΩ
Eigenresonanzfrequenz5 MHz
VersionSMT 
744787121
120 µH, 0.73 A, 0.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität120 µH
Nennstrom0.73 A
Sättigungsstrom0.8 A
Gleichstromwiderstand643 mΩ
Eigenresonanzfrequenz4.5 MHz
VersionSMT 
744787151
150 µH, 0.71 A, 0.7 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität150 µH
Nennstrom0.71 A
Sättigungsstrom0.7 A
Gleichstromwiderstand719 mΩ
Eigenresonanzfrequenz4 MHz
VersionSMT 
744787181
180 µH, 0.68 A, 0.62 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität180 µH
Nennstrom0.68 A
Sättigungsstrom0.62 A
Gleichstromwiderstand794 mΩ
Eigenresonanzfrequenz3.8 MHz
VersionSMT 
744787221
220 µH, 0.67 A, 0.58 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität220 µH
Nennstrom0.67 A
Sättigungsstrom0.58 A
Gleichstromwiderstand896 mΩ
Eigenresonanzfrequenz3.5 MHz
VersionSMT 

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