WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung

ERWEITERT

Geschirmt

WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung
BauformMaßeL
(mm)
B
(mm)
H
(mm)
Montageart
ERW.0910
9.3 6.1 10.2 SMT
ERW.1111
11.7 5.7 11 SMT

Merkmale

  • Sättigungsstrom bis zu 190 A
  • Niedriger Rdc bis zu 125uΩ
  • Kopplungsfaktor bis zu 0,98
  • Betriebstemperatur von 125 °C
  • MnZn-Kern, Material mit hoher Durchlässigkeit

Anwendung

  • TLVR Topologie
  • Mehrstufige Spannungsregler
  • CPU-Grundplatinen
  • Server
  • FPGA
  • Internet-Switch
  • Hochleistungs-ASIC-Anwendungen

Artikeldaten

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0910
1111
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Daten­blatt
Simu­lation
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Status
L1(nH)
L2(nH)
IRP,1(A)
IRP,2(A)
ISAT,1(A)
RDC1 typ(mΩ)
RDC2 typ(mΩ)
Kopplungsfaktor (Value)
VOP(V)
Muster
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung
7443001111070
70 nH, 70 nH, 78 A
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 170 nH
Induktivität 270 nH
Performance Nennstrom 178 A
Performance Nennstrom 253 A
Sättigungsstrom 1 @ 20°C190 A
Gleichstromwiderstand 10.125 mΩ
Gleichstromwiderstand 20.37 mΩ
Kopplungsfaktor0.93 
Betriebsspannung60 V
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung
7443000910070
70 nH, 70 nH, 78 A
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 170 nH
Induktivität 270 nH
Performance Nennstrom 178 A
Performance Nennstrom 253 A
Sättigungsstrom 1 @ 20°C166 A
Gleichstromwiderstand 10.125 mΩ
Gleichstromwiderstand 20.33 mΩ
Kopplungsfaktor0.93 
Betriebsspannung60 V
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung
7443000910100
100 nH, 100 nH, 78 A
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1100 nH
Induktivität 2100 nH
Performance Nennstrom 178 A
Performance Nennstrom 253 A
Sättigungsstrom 1 @ 20°C117 A
Gleichstromwiderstand 10.125 mΩ
Gleichstromwiderstand 20.33 mΩ
Kopplungsfaktor0.95 
Betriebsspannung60 V
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung
7443001111105
105 nH, 105 nH, 78 A
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1105 nH
Induktivität 2105 nH
Performance Nennstrom 178 A
Performance Nennstrom 253 A
Sättigungsstrom 1 @ 20°C142 A
Gleichstromwiderstand 10.125 mΩ
Gleichstromwiderstand 20.37 mΩ
Kopplungsfaktor0.96 
Betriebsspannung60 V
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung
7443000910120
120 nH, 120 nH, 78 A
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1120 nH
Induktivität 2120 nH
Performance Nennstrom 178 A
Performance Nennstrom 253 A
Sättigungsstrom 1 @ 20°C98 A
Gleichstromwiderstand 10.125 mΩ
Gleichstromwiderstand 20.33 mΩ
Kopplungsfaktor0.96 
Betriebsspannung60 V
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung
7443001111120
120 nH, 120 nH, 78 A
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1120 nH
Induktivität 2120 nH
Performance Nennstrom 178 A
Performance Nennstrom 253 A
Sättigungsstrom 1 @ 20°C122 A
Gleichstromwiderstand 10.125 mΩ
Gleichstromwiderstand 20.37 mΩ
Kopplungsfaktor0.96 
Betriebsspannung60 V
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung
7443000910150
150 nH, 150 nH, 78 A
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1150 nH
Induktivität 2150 nH
Performance Nennstrom 178 A
Performance Nennstrom 253 A
Sättigungsstrom 1 @ 20°C79 A
Gleichstromwiderstand 10.125 mΩ
Gleichstromwiderstand 20.33 mΩ
Kopplungsfaktor0.97 
Betriebsspannung60 V
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung
7443001111150
150 nH, 150 nH, 78 A
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1150 nH
Induktivität 2150 nH
Performance Nennstrom 178 A
Performance Nennstrom 253 A
Sättigungsstrom 1 @ 20°C99 A
Gleichstromwiderstand 10.125 mΩ
Gleichstromwiderstand 20.37 mΩ
Kopplungsfaktor0.97 
Betriebsspannung60 V
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung
7443001111180
180 nH, 180 nH, 78 A
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1180 nH
Induktivität 2180 nH
Performance Nennstrom 178 A
Performance Nennstrom 253 A
Sättigungsstrom 1 @ 20°C82 A
Gleichstromwiderstand 10.125 mΩ
Gleichstromwiderstand 20.37 mΩ
Kopplungsfaktor0.97 
Betriebsspannung60 V
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung
7443001111200
200 nH, 200 nH, 78 A
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1200 nH
Induktivität 2200 nH
Performance Nennstrom 178 A
Performance Nennstrom 253 A
Sättigungsstrom 1 @ 20°C76 A
Gleichstromwiderstand 10.125 mΩ
Gleichstromwiderstand 20.37 mΩ
Kopplungsfaktor0.98 
Betriebsspannung60 V

Gekoppeltes Ferrit Design

HCMD: Optimiert für TLVR-Topologie

Der High Current Multiphase Dual Inductor wurde speziell für den Einsatz in TLVR-Topologie (Trans Inductor Voltage Regulator) entwickelt und zeichnet sich durch ein gekoppeltes Ferrit-Design aus. Diese fortschrittliche Konfiguration ist ideal für Hochleistungsprozessoren und bietet einen hohen Kopplungsfaktor und die Fähigkeit, hohe Ströme über kurze Zeiträume zu verarbeiten.

Wichtige Komponenten und Merkmale:

  • MnZn-Kernmaterial: Der HCMD verwendet ein MnZn-Kernmaterial (Mangan-Zink), das für seine hohe Permeabilität bekannt ist und eine effiziente magnetische Leistung gewährleistet.
  • Luftspalt: Ein Luftspalt dient zur Steuerung und Änderung der Induktivität und bietet präzise Abstimmungsmöglichkeiten.
  • Externer Flachdraht: Der externe Flachdraht ist ohne Isolierung ausgeführt, wodurch er für Hochstromanwendungen und niedrige RDC-Werte optimiert ist.
  • Interner Flachdraht: Der interne Flachdraht ist mit einer Isolierung ausgestattet, die Sicherheit und Zuverlässigkeit in Hochleistungsumgebungen gewährleistet.

Jede Komponente der HCMD wurde sorgfältig hergestellt, um eine umfassende Lösung für die Anforderungen hoher Leistungen zu bieten.

Einzelne Bestandteile der WE-HCMD übereinandergeordnet

TLVR-Topologie

Die Trans-Induktor-Spannungsregler (TLVR)-Topologie ist eine Weiterentwicklung des Mehrphasen-Abwärtsreglers. Sie bietet eine schnelle Reaktionszeit bei Anwendungen, in denen plötzliche Lastwechsel auftreten, sowie eine hohe Leistungsdichte und niedrige Lösungskosten. Die Primärseite jedes gekoppelten Induktors (HCMD) ist zwischen dem Schaltknoten jeder Phase (Phase 1 und Phase 2… Phase n) und der Ausgangsspannung des Wandlers (VOUT) verbunden.

Die Sekundärseite ist in Reihe mit den restlichen Phasen und dem Kompensationsinduktor verbunden.

Schematische Darstellung der TLVR Topology

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