Design Kit WE-LQS SMT-Speicherdrosseln 6028/6045/8040
Artikel Nr. 7440408
Anwendung
- Integrierte DC/DC-Wandler
- Schaltregler mit hohem Wirkungsgrad
- Tragbare Geräte (Smartphones, Digitalkameras, Tablets etc.)
- embedded PC-Karten
- Bauformen können auch in Schock-resistente Schaltungen eingesetzt werden
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Alle zurücksetzenArtikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IR(A) | ISAT(A) | RDC(mΩ) | fres(MHz) | Bauform | Muster |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 5.2 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität1 µH | Nennstrom5.2 A | Sättigungsstrom7.5 A | Gleichstromwiderstand10 mΩ | Eigenresonanzfrequenz130 MHz | Bauform6028 | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 5.9 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität1 µH | Nennstrom5.9 A | Sättigungsstrom11.5 A | Gleichstromwiderstand11 mΩ | Eigenresonanzfrequenz159 MHz | Bauform6045 | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 6.3 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität1 µH | Nennstrom6.3 A | Sättigungsstrom14.1 A | Gleichstromwiderstand8 mΩ | Eigenresonanzfrequenz127 MHz | Bauform8040 | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 1.5 µH, 4.58 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität1.5 µH | Nennstrom4.58 A | Sättigungsstrom6.6 A | Gleichstromwiderstand13 mΩ | Eigenresonanzfrequenz98 MHz | Bauform6028 | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 3.75 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität2.2 µH | Nennstrom3.75 A | Sättigungsstrom5.6 A | Gleichstromwiderstand20 mΩ | Eigenresonanzfrequenz69 MHz | Bauform6028 | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 5.4 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität2.2 µH | Nennstrom5.4 A | Sättigungsstrom7.5 A | Gleichstromwiderstand14 mΩ | Eigenresonanzfrequenz60 MHz | Bauform6045 | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 5.15 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität2.2 µH | Nennstrom5.15 A | Sättigungsstrom9 A | Gleichstromwiderstand12 mΩ | Eigenresonanzfrequenz57 MHz | Bauform8040 | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 3.48 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität3.3 µH | Nennstrom3.48 A | Sättigungsstrom4.5 A | Gleichstromwiderstand25 mΩ | Eigenresonanzfrequenz59 MHz | Bauform6028 | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 4.2 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität3.3 µH | Nennstrom4.2 A | Sättigungsstrom6.5 A | Gleichstromwiderstand21 mΩ | Eigenresonanzfrequenz42 MHz | Bauform6045 | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 4.4 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität3.3 µH | Nennstrom4.4 A | Sättigungsstrom8 A | Gleichstromwiderstand17 mΩ | Eigenresonanzfrequenz42 MHz | Bauform8040 | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 3.08 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität4.7 µH | Nennstrom3.08 A | Sättigungsstrom3.3 A | Gleichstromwiderstand30 mΩ | Eigenresonanzfrequenz50 MHz | Bauform6028 | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 3.85 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität4.7 µH | Nennstrom3.85 A | Sättigungsstrom5.5 A | Gleichstromwiderstand26 mΩ | Eigenresonanzfrequenz36 MHz | Bauform6045 | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 4.1 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität4.7 µH | Nennstrom4.1 A | Sättigungsstrom7 A | Gleichstromwiderstand19 mΩ | Eigenresonanzfrequenz30 MHz | Bauform8040 | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 1.95 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität10 µH | Nennstrom1.95 A | Sättigungsstrom2.2 A | Gleichstromwiderstand72 mΩ | Eigenresonanzfrequenz31 MHz | Bauform6028 | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 2.85 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität10 µH | Nennstrom2.85 A | Sättigungsstrom3.5 A | Gleichstromwiderstand48 mΩ | Eigenresonanzfrequenz22 MHz | Bauform6045 | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 3.3 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität10 µH | Nennstrom3.3 A | Sättigungsstrom4.5 A | Gleichstromwiderstand29 mΩ | Eigenresonanzfrequenz23 MHz | Bauform8040 | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 1.45 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität15 µH | Nennstrom1.45 A | Sättigungsstrom1.9 A | Gleichstromwiderstand125 mΩ | Eigenresonanzfrequenz24 MHz | Bauform6028 | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 1.4 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität22 µH | Nennstrom1.4 A | Sättigungsstrom1.6 A | Gleichstromwiderstand140 mΩ | Eigenresonanzfrequenz21 MHz | Bauform6028 | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 2.1 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität22 µH | Nennstrom2.1 A | Sättigungsstrom2.5 A | Gleichstromwiderstand89 mΩ | Eigenresonanzfrequenz15 MHz | Bauform6045 | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 2.1 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität22 µH | Nennstrom2.1 A | Sättigungsstrom3 A | Gleichstromwiderstand69 mΩ | Eigenresonanzfrequenz15 MHz | Bauform8040 | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 33 µH, 1.22 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität33 µH | Nennstrom1.22 A | Sättigungsstrom1.5 A | Gleichstromwiderstand185 mΩ | Eigenresonanzfrequenz16 MHz | Bauform6028 | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 33 µH, 1.8 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität33 µH | Nennstrom1.8 A | Sättigungsstrom2 A | – | Eigenresonanzfrequenz12 MHz | Bauform6045 | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 33 µH, 1.8 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität33 µH | Nennstrom1.8 A | Sättigungsstrom2.7 A | Gleichstromwiderstand97 mΩ | Eigenresonanzfrequenz12 MHz | Bauform8040 | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 47 µH, 1.06 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität47 µH | Nennstrom1.06 A | Sättigungsstrom1.3 A | Gleichstromwiderstand315 mΩ | Eigenresonanzfrequenz14 MHz | Bauform6028 | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 47 µH, 1.4 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität47 µH | Nennstrom1.4 A | Sättigungsstrom1.6 A | Gleichstromwiderstand200 mΩ | Eigenresonanzfrequenz10 MHz | Bauform6045 | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 47 µH, 1.55 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität47 µH | Nennstrom1.55 A | Sättigungsstrom2.1 A | Gleichstromwiderstand136 mΩ | Eigenresonanzfrequenz9.8 MHz | Bauform8040 | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 100 µH, 0.7 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität100 µH | Nennstrom0.7 A | Sättigungsstrom0.71 A | Gleichstromwiderstand500 mΩ | Eigenresonanzfrequenz8.8 MHz | Bauform6028 | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 100 µH, 1 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität100 µH | Nennstrom1 A | Sättigungsstrom1.2 A | Gleichstromwiderstand433 mΩ | Eigenresonanzfrequenz6.3 MHz | Bauform6045 | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 100 µH, 1.2 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität100 µH | Nennstrom1.2 A | Sättigungsstrom1.5 A | Gleichstromwiderstand290 mΩ | Eigenresonanzfrequenz6.4 MHz | Bauform8040 | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 330 µH, 0.58 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität330 µH | Nennstrom0.58 A | Sättigungsstrom0.65 A | Gleichstromwiderstand1177 mΩ | Eigenresonanzfrequenz3.42 MHz | Bauform6045 | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 330 µH, 0.66 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität330 µH | Nennstrom0.66 A | Sättigungsstrom0.9 A | Gleichstromwiderstand865 mΩ | Eigenresonanzfrequenz3.55 MHz | Bauform8040 | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 1000 µH, 0.22 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität1000 µH | Nennstrom0.22 A | Sättigungsstrom0.23 A | Gleichstromwiderstand6440 mΩ | Eigenresonanzfrequenz2 MHz | Bauform6028 | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 1000 µH, 0.3 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität1000 µH | Nennstrom0.3 A | Sättigungsstrom0.37 A | Gleichstromwiderstand4783 mΩ | Eigenresonanzfrequenz1.86 MHz | Bauform6045 | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 1000 µH, 0.36 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität1000 µH | Nennstrom0.36 A | Sättigungsstrom0.45 A | Gleichstromwiderstand2870 mΩ | Eigenresonanzfrequenz2 MHz | Bauform8040 | ||||
74404064152 | –, 1500 µH, 0.21 A | Status NRNDi| Produktion ist aktiv. Der Artikel ist nicht empfohlen für neue Designs. Erwartete Lebenszeit: 2-5 Jahre. | Produktserie – | Induktivität1500 µH | Nennstrom0.21 A | Sättigungsstrom0.28 A | Gleichstromwiderstand6989 mΩ | Eigenresonanzfrequenz1.32 MHz | Bauform6045 |