Design Kit WE-PD2 SMT-Speicherdrosseln 5848/5820/4532

Artikel Nr. 744773

Anwendung

  • Schaltregler im Bereich kleiner Betriebsspannungen (Grafikkarten, embedded PC-Karten, Mainboards)
  • Integrierte DC-/DC-Wandler
  • Optimale Dämpfung im MHz Frequenzbereich

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Simu­lation
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L(µH)
IR(A)
ISAT(A)
Bauform
Muster
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Nennstrom4 A
Sättigungsstrom5.72 A
Bauform4532 
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 2.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Nennstrom2.5 A
Sättigungsstrom3.38 A
Bauform4532 
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 4.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Nennstrom4.6 A
Sättigungsstrom8.2 A
Bauform5848 
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Nennstrom2 A
Sättigungsstrom2.88 A
Bauform4532 
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 1.82 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Nennstrom1.82 A
Sättigungsstrom2.46 A
Bauform4532 
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Nennstrom3 A
Sättigungsstrom5.5 A
Bauform5848 
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 6.8 µH, 1.54 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 µH
Nennstrom1.54 A
Sättigungsstrom2.1 A
Bauform4532 
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 6.8 µH, 2.4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 µH
Nennstrom2.4 A
Sättigungsstrom5 A
Bauform5848 
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 1.45 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom1.45 A
Sättigungsstrom1.74 A
Bauform4532 
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 2.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom2.2 A
Sättigungsstrom2.5 A
Bauform5848 
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 1.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Nennstrom1.2 A
Sättigungsstrom1.46 A
Bauform4532 
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 1.53 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Nennstrom1.53 A
Sättigungsstrom1.9 A
Bauform5848 
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 µH
Nennstrom1 A
Sättigungsstrom1.22 A
Bauform4532 
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 1.28 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 µH
Nennstrom1.28 A
Sättigungsstrom1.53 A
Bauform5848 
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 27 µH, 1.19 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität27 µH
Nennstrom1.19 A
Sättigungsstrom1.4 A
Bauform5848 
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 33 µH, 0.86 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität33 µH
Nennstrom0.86 A
Sättigungsstrom0.9 A
Bauform4532 
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 33 µH, 1.09 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität33 µH
Nennstrom1.09 A
Sättigungsstrom1.17 A
Bauform5848 
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 47 µH, 0.68 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität47 µH
Nennstrom0.68 A
Sättigungsstrom0.77 A
Bauform4532 
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 47 µH, 0.86 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität47 µH
Nennstrom0.86 A
Sättigungsstrom1 A
Bauform5848 
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 68 µH, 0.56 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität68 µH
Nennstrom0.56 A
Sättigungsstrom0.68 A
Bauform4532 
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 68 µH, 0.64 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität68 µH
Nennstrom0.64 A
Sättigungsstrom0.86 A
Bauform5848 
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 100 µH, 0.57 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität100 µH
Nennstrom0.57 A
Sättigungsstrom0.68 A
Bauform5848 
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 150 µH, 0.46 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität150 µH
Nennstrom0.46 A
Sättigungsstrom0.54 A
Bauform5848 
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 220 µH, 0.42 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität220 µH
Nennstrom0.42 A
Sättigungsstrom0.47 A
Bauform5848