Design Kit WE-TPC SMT-Speicherdrosseln 6823/1028/1038

Artikel Nr. 744062

Anwendung

  • Tragbare Geräte wie PDA, Digitalkamera, PCMCIA-Karten und Displays
  • DC/DC-Schaltregler
  • Embedded PC
  • Mobile Datenerfassung, Telemetrie

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L (µH)
IR (A)
ISAT (A)
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Muster
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 4.8 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 µH
Nennstrom 4.8 A
Sättigungsstrom 4.6 A
Bauform 6823 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 8 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 µH
Nennstrom 8 A
Sättigungsstrom 9.5 A
Bauform 1028 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 1.5 µH, 4.3 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.5 µH
Nennstrom 4.3 A
Sättigungsstrom 4 A
Bauform 6823 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 1.5 µH, 7.2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.5 µH
Nennstrom 7.2 A
Sättigungsstrom 7.5 A
Bauform 1028 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 1.5 µH, 9.6 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.5 µH
Nennstrom 9.6 A
Sättigungsstrom 10 A
Bauform 1038 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 3.4 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.2 µH
Nennstrom 3.4 A
Sättigungsstrom 2.7 A
Bauform 6823 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 6.2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.2 µH
Nennstrom 6.2 A
Sättigungsstrom 5.9 A
Bauform 1028 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 8.8 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.2 µH
Nennstrom 8.8 A
Sättigungsstrom 6.8 A
Bauform 1038 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 2.8 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.3 µH
Nennstrom 2.8 A
Sättigungsstrom 2.5 A
Bauform 6823 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 5.3 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.3 µH
Nennstrom 5.3 A
Sättigungsstrom 4.7 A
Bauform 1028 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 3.5 µH, 6.6 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.5 µH
Nennstrom 6.6 A
Sättigungsstrom 6.4 A
Bauform 1038 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 4.6 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Nennstrom 4.6 A
Sättigungsstrom 4.2 A
Bauform 1028 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 5 µH, 2.15 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 5 µH
Nennstrom 2.15 A
Sättigungsstrom 2 A
Bauform 6823 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 5 µH, 5.3 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 5 µH
Nennstrom 5.3 A
Sättigungsstrom 5.5 A
Bauform 1038 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 6.2 µH, 1.9 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 6.2 µH
Nennstrom 1.9 A
Sättigungsstrom 1.8 A
Bauform 6823 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 6.2 µH, 5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 6.2 µH
Nennstrom 5 A
Sättigungsstrom 4.5 A
Bauform 1038 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 6.8 µH, 4.2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 6.8 µH
Nennstrom 4.2 A
Sättigungsstrom 3.6 A
Bauform 1028 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 7.5 µH, 1.7 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 7.5 µH
Nennstrom 1.7 A
Sättigungsstrom 1.6 A
Bauform 6823 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 8.2 µH, 3.8 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 8.2 µH
Nennstrom 3.8 A
Sättigungsstrom 2.8 A
Bauform 1028 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 1.6 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Nennstrom 1.6 A
Sättigungsstrom 1.4 A
Bauform 6823 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 3 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Nennstrom 3 A
Sättigungsstrom 2.5 A
Bauform 1028 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 3.9 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Nennstrom 3.9 A
Sättigungsstrom 4 A
Bauform 1038 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 1.31 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15 µH
Nennstrom 1.31 A
Sättigungsstrom 1.1 A
Bauform 6823 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 2.2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15 µH
Nennstrom 2.2 A
Sättigungsstrom 2.25 A
Bauform 1028 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 3 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15 µH
Nennstrom 3 A
Sättigungsstrom 3.25 A
Bauform 1038 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 18 µH, 1.28 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 18 µH
Nennstrom 1.28 A
Sättigungsstrom 1 A
Bauform 6823 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 1.8 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 22 µH
Nennstrom 1.8 A
Sättigungsstrom 1.9 A
Bauform 1028 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 2.6 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 22 µH
Nennstrom 2.6 A
Sättigungsstrom 2.3 A
Bauform 1038 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 33 µH, 2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 33 µH
Nennstrom 2 A
Sättigungsstrom 1.8 A
Bauform 1038 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 47 µH, 1.6 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 47 µH
Nennstrom 1.6 A
Sättigungsstrom 1.85 A
Bauform 1038 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 68 µH, 1.55 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 68 µH
Nennstrom 1.55 A
Sättigungsstrom 1.5 A
Bauform 1038 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 100 µH, 1.15 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 100 µH
Nennstrom 1.15 A
Sättigungsstrom 1.2 A
Bauform 1038 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 150 µH, 0.95 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 150 µH
Nennstrom 0.95 A
Sättigungsstrom 1.1 A
Bauform 1038 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 220 µH, 0.85 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 220 µH
Nennstrom 0.85 A
Sättigungsstrom 0.85 A
Bauform 1038 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 330 µH, 0.7 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 330 µH
Nennstrom 0.7 A
Sättigungsstrom 0.7 A
Bauform 1038