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WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 0.47 µH, 15.5 A
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Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
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Induktivität
0.47 µH
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Sättigungsstrom
15.5 A
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Nennstrom
4.5 A
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Bauform
4020
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WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 0.47 µH, 5.6 A
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Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
|
Induktivität
0.47 µH
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Sättigungsstrom
5.6 A
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Nennstrom
2.9 A
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Bauform
2512
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WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 0.47 µH, 8 A
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Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
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Induktivität
0.47 µH
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Sättigungsstrom
8 A
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Nennstrom
3.15 A
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Bauform
3012
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WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 0.47 µH, 4.7 A
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Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
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Induktivität
0.47 µH
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Sättigungsstrom
4.7 A
|
Nennstrom
2.2 A
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Bauform
2010
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WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 1 µH, 9.5 A
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Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
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Induktivität
1 µH
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Sättigungsstrom
9.5 A
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Nennstrom
4 A
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Bauform
4020
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|
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 1 µH, 5.4 A
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Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
|
Induktivität
1 µH
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Sättigungsstrom
5.4 A
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Nennstrom
2.4 A
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Bauform
3012
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WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 1 µH, 4.2 A
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|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
|
Induktivität
1 µH
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Sättigungsstrom
4.2 A
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Nennstrom
2.35 A
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Bauform
2512
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WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 1 µH, 3.85 A
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|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
|
Induktivität
1 µH
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Sättigungsstrom
3.85 A
|
Nennstrom
1.65 A
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Bauform
2010
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|
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 1.5 µH, 8.7 A
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Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
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|
Induktivität
1.5 µH
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Sättigungsstrom
8.7 A
|
Nennstrom
3.2 A
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Bauform
4020
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|
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 1.5 µH, 3.5 A
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|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
|
Induktivität
1.5 µH
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Sättigungsstrom
3.5 A
|
Nennstrom
2.1 A
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Bauform
2512
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|
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 1.5 µH, 4.1 A
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|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
|
Induktivität
1.5 µH
|
Sättigungsstrom
4.1 A
|
Nennstrom
2.2 A
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Bauform
3012
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|
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 1.5 µH, 2.3 A
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Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
|
Induktivität
1.5 µH
|
Sättigungsstrom
2.3 A
|
Nennstrom
1.4 A
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Bauform
2010
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|
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 2.2 µH, 7.6 A
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|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
|
Induktivität
2.2 µH
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Sättigungsstrom
7.6 A
|
Nennstrom
2.6 A
|
Bauform
4020
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|
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 2.2 µH, 3 A
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|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
|
Induktivität
2.2 µH
|
Sättigungsstrom
3 A
|
Nennstrom
1.6 A
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Bauform
2512
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|
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 2.2 µH, 3.35 A
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Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
|
Induktivität
2.2 µH
|
Sättigungsstrom
3.35 A
|
Nennstrom
1.75 A
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Bauform
3012
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|
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|
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 2.2 µH, 2.15 A
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|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
|
Induktivität
2.2 µH
|
Sättigungsstrom
2.15 A
|
Nennstrom
1.25 A
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Bauform
2010
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|
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 3.3 µH, 5.9 A
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Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
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|
Induktivität
3.3 µH
|
Sättigungsstrom
5.9 A
|
Nennstrom
2.3 A
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Bauform
4020
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|
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 4.7 µH, 4.9 A
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|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
|
Induktivität
4.7 µH
|
Sättigungsstrom
4.9 A
|
Nennstrom
2.1 A
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Bauform
4020
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|
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 4.7 µH, 1.9 A
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|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
|
Induktivität
4.7 µH
|
Sättigungsstrom
1.9 A
|
Nennstrom
1 A
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Bauform
2512
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|
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 4.7 µH, 2.5 A
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Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
|
Induktivität
4.7 µH
|
Sättigungsstrom
2.5 A
|
Nennstrom
1.2 A
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Bauform
3012
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|
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 4.7 µH, 1.5 A
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|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
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|
Induktivität
4.7 µH
|
Sättigungsstrom
1.5 A
|
Nennstrom
0.8 A
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Bauform
2010
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|
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 6.8 µH, 4.2 A
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Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
|
Induktivität
6.8 µH
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Sättigungsstrom
4.2 A
|
Nennstrom
1.9 A
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Bauform
4020
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WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 10 µH, 3.5 A
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Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
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Induktivität
10 µH
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Sättigungsstrom
3.5 A
|
Nennstrom
1.7 A
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Bauform
4020
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WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 10 µH, 1.2 A
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Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
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|
Induktivität
10 µH
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Sättigungsstrom
1.2 A
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Nennstrom
0.8 A
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Bauform
2512
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WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 10 µH, 1.45 A
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Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
|
Induktivität
10 µH
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Sättigungsstrom
1.45 A
|
Nennstrom
0.85 A
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Bauform
3012
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WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 10 µH, 0.95 A
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Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
|
Induktivität
10 µH
|
Sättigungsstrom
0.95 A
|
Nennstrom
0.58 A
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Bauform
2010
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