Design Kit WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor

Artikel Nr. 7440502

Anwendung

  • Integrierte DC/DC-Wandler mit hohen Rippelströmen
  • Schaltregler mit hohen Wirkungsgradanforderungen
  • Tragbare Geräte (Smartphones, Digital Kameras, Tablets, etc.)
  • Embedded PC-Karten

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L (µH)
ISAT (A)
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Muster
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 0.47 µH, 15.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.47 µH
Sättigungsstrom 15.5 A
Nennstrom 4.5 A
Bauform 4020 
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 0.47 µH, 5.6 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.47 µH
Sättigungsstrom 5.6 A
Nennstrom 2.9 A
Bauform 2512 
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 0.47 µH, 8 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.47 µH
Sättigungsstrom 8 A
Nennstrom 3.15 A
Bauform 3012 
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 0.47 µH, 4.7 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.47 µH
Sättigungsstrom 4.7 A
Nennstrom 2.2 A
Bauform 2010 
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 1 µH, 9.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 µH
Sättigungsstrom 9.5 A
Nennstrom 4 A
Bauform 4020 
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 1 µH, 5.4 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 µH
Sättigungsstrom 5.4 A
Nennstrom 2.4 A
Bauform 3012 
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 1 µH, 4.2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 µH
Sättigungsstrom 4.2 A
Nennstrom 2.35 A
Bauform 2512 
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 1 µH, 3.85 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 µH
Sättigungsstrom 3.85 A
Nennstrom 1.65 A
Bauform 2010 
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 1.5 µH, 8.7 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.5 µH
Sättigungsstrom 8.7 A
Nennstrom 3.2 A
Bauform 4020 
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 1.5 µH, 3.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.5 µH
Sättigungsstrom 3.5 A
Nennstrom 2.1 A
Bauform 2512 
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 1.5 µH, 4.1 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.5 µH
Sättigungsstrom 4.1 A
Nennstrom 2.2 A
Bauform 3012 
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 1.5 µH, 2.3 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.5 µH
Sättigungsstrom 2.3 A
Nennstrom 1.4 A
Bauform 2010 
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 2.2 µH, 7.6 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.2 µH
Sättigungsstrom 7.6 A
Nennstrom 2.6 A
Bauform 4020 
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 2.2 µH, 3 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.2 µH
Sättigungsstrom 3 A
Nennstrom 1.6 A
Bauform 2512 
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 2.2 µH, 3.35 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.2 µH
Sättigungsstrom 3.35 A
Nennstrom 1.75 A
Bauform 3012 
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 2.2 µH, 2.15 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.2 µH
Sättigungsstrom 2.15 A
Nennstrom 1.25 A
Bauform 2010 
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 3.3 µH, 5.9 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.3 µH
Sättigungsstrom 5.9 A
Nennstrom 2.3 A
Bauform 4020 
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 4.7 µH, 4.9 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Sättigungsstrom 4.9 A
Nennstrom 2.1 A
Bauform 4020 
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 4.7 µH, 1.9 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Sättigungsstrom 1.9 A
Nennstrom 1 A
Bauform 2512 
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 4.7 µH, 2.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Sättigungsstrom 2.5 A
Nennstrom 1.2 A
Bauform 3012 
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 4.7 µH, 1.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Sättigungsstrom 1.5 A
Nennstrom 0.8 A
Bauform 2010 
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 6.8 µH, 4.2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 6.8 µH
Sättigungsstrom 4.2 A
Nennstrom 1.9 A
Bauform 4020 
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 10 µH, 3.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Sättigungsstrom 3.5 A
Nennstrom 1.7 A
Bauform 4020 
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 10 µH, 1.2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Sättigungsstrom 1.2 A
Nennstrom 0.8 A
Bauform 2512 
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 10 µH, 1.45 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Sättigungsstrom 1.45 A
Nennstrom 0.85 A
Bauform 3012 
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 10 µH, 0.95 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Sättigungsstrom 0.95 A
Nennstrom 0.58 A
Bauform 2010