Design Kit WE-TPC SMT-Speicherdrosseln 4828/5818/5828

Artikel Nr. 744043

Anwendung

  • Tragbare Geräte wie PDA, Digitalkamera, PCMCIA-Karten und Displays
  • DC/DC-Schaltregler
  • Embedded PC
  • Mobile Datenerfassung, Telemetrie

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L (µH)
IR (A)
ISAT (A)
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Muster
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 1.2 µH, 3.1 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.2 µH
Nennstrom 3.1 A
Sättigungsstrom 2.8 A
Bauform 4828 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 1.2 µH, 3 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.2 µH
Nennstrom 3 A
Sättigungsstrom 3.5 A
Bauform 5818 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 1.8 µH, 2.7 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.8 µH
Nennstrom 2.7 A
Sättigungsstrom 2.45 A
Bauform 4828 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 1.8 µH, 2.6 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.8 µH
Nennstrom 2.6 A
Sättigungsstrom 3 A
Bauform 5818 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 2.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.2 µH
Nennstrom 2.5 A
Sättigungsstrom 2.35 A
Bauform 4828 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 2.5 µH, 2.4 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.5 µH
Nennstrom 2.4 A
Sättigungsstrom 2.7 A
Bauform 5818 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 2.6 µH, 3 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.6 µH
Nennstrom 3 A
Sättigungsstrom 2.7 A
Bauform 5828 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 2.7 µH, 2.35 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.7 µH
Nennstrom 2.35 A
Sättigungsstrom 1.95 A
Bauform 4828 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 3 µH, 2.2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3 µH
Nennstrom 2.2 A
Sättigungsstrom 2.4 A
Bauform 5818 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 3 µH, 2.8 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3 µH
Nennstrom 2.8 A
Sättigungsstrom 2.5 A
Bauform 5828 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 2.15 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.3 µH
Nennstrom 2.15 A
Sättigungsstrom 1.8 A
Bauform 4828 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 3.9 µH, 1.72 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.9 µH
Nennstrom 1.72 A
Sättigungsstrom 1.65 A
Bauform 4828 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 3.9 µH, 2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.9 µH
Nennstrom 2 A
Sättigungsstrom 2.1 A
Bauform 5818 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 4.2 µH, 2.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.2 µH
Nennstrom 2.5 A
Sättigungsstrom 2.2 A
Bauform 5828 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 1.55 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Nennstrom 1.55 A
Sättigungsstrom 1.7 A
Bauform 4828 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 2.4 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Nennstrom 2.4 A
Sättigungsstrom 1.95 A
Bauform 5828 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 5 µH, 1.65 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 5 µH
Nennstrom 1.65 A
Sättigungsstrom 1.8 A
Bauform 5818 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 5.3 µH, 2.3 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 5.3 µH
Nennstrom 2.3 A
Sättigungsstrom 1.9 A
Bauform 5828 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 5.6 µH, 1.38 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 5.6 µH
Nennstrom 1.38 A
Sättigungsstrom 1.3 A
Bauform 4828 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 6.2 µH, 1.45 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 6.2 µH
Nennstrom 1.45 A
Sättigungsstrom 1.6 A
Bauform 5818 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 6.2 µH, 2.2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 6.2 µH
Nennstrom 2.2 A
Sättigungsstrom 1.7 A
Bauform 5828 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 6.8 µH, 1.3 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 6.8 µH
Nennstrom 1.3 A
Sättigungsstrom 1.25 A
Bauform 4828 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 7.5 µH, 1.35 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 7.5 µH
Nennstrom 1.35 A
Sättigungsstrom 1.5 A
Bauform 5818 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 8.2 µH, 1.3 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 8.2 µH
Nennstrom 1.3 A
Sättigungsstrom 1.25 A
Bauform 4828 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 8.2 µH, 2.1 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 8.2 µH
Nennstrom 2.1 A
Sättigungsstrom 1.6 A
Bauform 5828 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 9 µH, 1.25 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 9 µH
Nennstrom 1.25 A
Sättigungsstrom 1.35 A
Bauform 5818 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 1.19 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Nennstrom 1.19 A
Sättigungsstrom 1 A
Bauform 4828 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 1.1 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Nennstrom 1.1 A
Sättigungsstrom 1.25 A
Bauform 5818 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 1.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Nennstrom 1.5 A
Sättigungsstrom 1.4 A
Bauform 5828 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 12 µH, 1.12 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 12 µH
Nennstrom 1.12 A
Sättigungsstrom 0.95 A
Bauform 4828 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 12 µH, 1.46 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 12 µH
Nennstrom 1.46 A
Sättigungsstrom 1.25 A
Bauform 5828 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 1.03 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15 µH
Nennstrom 1.03 A
Sättigungsstrom 0.75 A
Bauform 4828 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 1.38 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15 µH
Nennstrom 1.38 A
Sättigungsstrom 1.15 A
Bauform 5828 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 18 µH, 0.98 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 18 µH
Nennstrom 0.98 A
Sättigungsstrom 0.7 A
Bauform 4828 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 0.925 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 22 µH
Nennstrom 0.925 A
Sättigungsstrom 0.7 A
Bauform 4828