Design Kit WE-TPC SMT-Speicherdrosseln 2811/2813/2828/3816/4818

Artikel Nr. 744028

Anwendung

  • Tragbare Geräte wie PDA, Digitalkamera, PCMCIA-Karten und Displays
  • DC/DC-Schaltregler
  • Embedded PC
  • Mobile Datenerfassung, Telemetrie

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L (µH)
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Muster
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 0.47 µH, 2.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.47 µH
Nennstrom 2.5 A
Sättigungsstrom 2 A
Bauform 2811 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 0.72 µH, 3 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.72 µH
Nennstrom 3 A
Sättigungsstrom 4 A
Bauform 2828 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 0.82 µH, 2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.82 µH
Nennstrom 2 A
Sättigungsstrom 1.6 A
Bauform 2811 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 0.82 µH, 2.4 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.82 µH
Nennstrom 2.4 A
Sättigungsstrom 1.8 A
Bauform 2813 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 1.75 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 µH
Nennstrom 1.75 A
Sättigungsstrom 1.5 A
Bauform 2811 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 2.2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 µH
Nennstrom 2.2 A
Sättigungsstrom 1.6 A
Bauform 2813 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 2.7 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 µH
Nennstrom 2.7 A
Sättigungsstrom 2.6 A
Bauform 4818 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 1.2 µH, 2.6 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.2 µH
Nennstrom 2.6 A
Sättigungsstrom 3 A
Bauform 2828 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 1.5 µH, 1.75 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.5 µH
Nennstrom 1.75 A
Sättigungsstrom 1.55 A
Bauform 3816 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 1.3 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.2 µH
Nennstrom 1.3 A
Sättigungsstrom 1 A
Bauform 2811 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 1.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.2 µH
Nennstrom 1.5 A
Sättigungsstrom 1.15 A
Bauform 2813 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 1.8 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.2 µH
Nennstrom 1.8 A
Sättigungsstrom 2.4 A
Bauform 2828 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 2.5 µH, 1.45 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.5 µH
Nennstrom 1.45 A
Sättigungsstrom 1.25 A
Bauform 3816 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 2.7 µH, 2.03 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.7 µH
Nennstrom 2.03 A
Sättigungsstrom 2.2 A
Bauform 4818 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 1 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.3 µH
Nennstrom 1 A
Sättigungsstrom 0.85 A
Bauform 2811 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 1.25 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.3 µH
Nennstrom 1.25 A
Sättigungsstrom 0.95 A
Bauform 2813 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 1.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.3 µH
Nennstrom 1.5 A
Sättigungsstrom 1.8 A
Bauform 2828 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 1.95 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.3 µH
Nennstrom 1.95 A
Sättigungsstrom 1.8 A
Bauform 4818 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 3.6 µH, 1.38 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.6 µH
Nennstrom 1.38 A
Sättigungsstrom 1.1 A
Bauform 3816 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 0.85 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Nennstrom 0.85 A
Sättigungsstrom 0.7 A
Bauform 2811 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 1 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Nennstrom 1 A
Sättigungsstrom 0.8 A
Bauform 2813 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 1.35 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Nennstrom 1.35 A
Sättigungsstrom 1.7 A
Bauform 2828 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 1.2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Nennstrom 1.2 A
Sättigungsstrom 0.9 A
Bauform 3816 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 1.72 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Nennstrom 1.72 A
Sättigungsstrom 1.65 A
Bauform 4818 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 6.8 µH, 0.75 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 6.8 µH
Nennstrom 0.75 A
Sättigungsstrom 0.55 A
Bauform 2811 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 6.8 µH, 0.82 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 6.8 µH
Nennstrom 0.82 A
Sättigungsstrom 0.65 A
Bauform 2813 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 6.8 µH, 1.1 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 6.8 µH
Nennstrom 1.1 A
Sättigungsstrom 1.3 A
Bauform 2828 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 6.8 µH, 0.85 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 6.8 µH
Nennstrom 0.85 A
Sättigungsstrom 0.75 A
Bauform 3816 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 6.8 µH, 1.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 6.8 µH
Nennstrom 1.5 A
Sättigungsstrom 1.25 A
Bauform 4818 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 8.2 µH, 1.4 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 8.2 µH
Nennstrom 1.4 A
Sättigungsstrom 1.1 A
Bauform 4818 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 0.65 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Nennstrom 0.65 A
Sättigungsstrom 0.5 A
Bauform 2813 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 1 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Nennstrom 1 A
Sättigungsstrom 1.1 A
Bauform 2828 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 0.74 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Nennstrom 0.74 A
Sättigungsstrom 0.56 A
Bauform 3816 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 1.3 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Nennstrom 1.3 A
Sättigungsstrom 1 A
Bauform 4818 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 0.62 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15 µH
Nennstrom 0.62 A
Sättigungsstrom 0.45 A
Bauform 3816