Bauform Maße L
(mm)
B
(mm)
Fl
(mm)
1010
10 10 8.55
1212
11.5 12 9.1

Merkmale

  • Keine Sättigung
  • Keine Kernverluste
  • Extrem höhe Güte
  • Sehr niedriger RDC
  • Hohe Stromtragfähigkeit
  • Induktivitätswerte von 22 bis zu 146 nH
  • Betriebstemperatur: -40 °C bis zu +125 °C

Anwendung

  • DC-DC Konverter mit hohem Strom und Clocks > 4 MHz
  • HF-Leistungsverstärker
  • HF-Spannungsregler
  • Hochstrom HF-Filter/Abblockung
  • Stromversorgungen
  • Magnetisch empflindliche Anwendungen

Modelithics-Simulationsmodelle

Integrieren Sie diesen Teil in Ihre Konstruktion mit den hochpräzisen messbasierten Simulationsmodellen von Modelithics. Fordern Sie einen 90-Tage-GRATIS-Trail an! Die Modelithics-Bibliotheken sind auch für das Advanced Design System (ADS) von Keysight Technologies, die NI / AWR-Designumgebung / Microwave Office ™, Gensys, ASYSS® HFSS ™, Sonnet® und Cadence von Keysight Technologies verfügbar.

Fordern Sie einen KOSTENLOSEN 90-Tage-Trial an!

Artikeldaten

Alle
1010
1212
Artikeldaten filtern
Filtern nach
 Artikel  in  2 Produktserien  anzeigen
 Artikel  in  2 Produktserien
Alle zurücksetzen
Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
L (nH)
Tol. L
Testbedingung L
Qmin.
Testbedingung Q
RDC max. (mΩ)
IR (A)
fres (MHz)
Muster
7449152022
22 nH, ±20%, 1 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 22 nH
Induktivität ±20% 
Induktivität 1 MHz 
Güte 280 
Güte 100 MHz 
Gleichstromwiderstand 0.55 mΩ
Nennstrom 40 A
Eigenresonanzfrequenz 867 MHz
7449150023
23 nH, ±20%, 1 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 23 nH
Induktivität ±20% 
Induktivität 1 MHz 
Güte 191 
Güte 100 MHz 
Gleichstromwiderstand 1.2 mΩ
Nennstrom 30 A
Eigenresonanzfrequenz 867 MHz
7449152042
42 nH, ±20%, 1 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 42 nH
Induktivität ±20% 
Induktivität 1 MHz 
Güte 240 
Güte 100 MHz 
Gleichstromwiderstand 770 mΩ
Nennstrom 34 A
Eigenresonanzfrequenz 605 MHz
7449150046
46.5 nH, ±20%, 1 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 46.5 nH
Induktivität ±20% 
Induktivität 1 MHz 
Güte 223 
Güte 100 MHz 
Gleichstromwiderstand 1.62 mΩ
Nennstrom 28 A
Eigenresonanzfrequenz 581 MHz
7449152066
66 nH, ±20%, 1 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 66 nH
Induktivität ±20% 
Induktivität 1 MHz 
Güte 245 
Güte 100 MHz 
Gleichstromwiderstand 0.99 mΩ
Nennstrom 32 A
Eigenresonanzfrequenz 457 MHz
7449150079
79 nH, ±20%, 1 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 79 nH
Induktivität ±20% 
Induktivität 1 MHz 
Güte 184 
Güte 100 MHz 
Gleichstromwiderstand 2.11 mΩ
Nennstrom 23 A
Eigenresonanzfrequenz 422 MHz
7449152090
90 nH, ±20%, 1 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 90 nH
Induktivität ±20% 
Induktivität 1 MHz 
Güte 226 
Güte 100 MHz 
Gleichstromwiderstand 1.21 mΩ
Nennstrom 30 A
Eigenresonanzfrequenz 359 MHz
7449150111
111 nH, ±20%, 1 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 111 nH
Induktivität ±20% 
Induktivität 1 MHz 
Güte 186 
Güte 100 MHz 
Gleichstromwiderstand 2.11 mΩ
Nennstrom 22 A
Eigenresonanzfrequenz 374 MHz
7449152111
117 nH, ±20%, 1 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 117 nH
Induktivität ±20% 
Induktivität 1 MHz 
Güte 211 
Güte 100 MHz 
Gleichstromwiderstand 1.43 mΩ
Nennstrom 32 A
Eigenresonanzfrequenz 345 MHz
7449150146
146 nH, ±20%, 1 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 146 nH
Induktivität ±20% 
Induktivität 1 MHz 
Güte 163 
Güte 100 MHz 
Gleichstromwiderstand 3.33 mΩ
Nennstrom 19 A
Eigenresonanzfrequenz 332 MHz