| Topologie | Sonstige Topologie |
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IRP,40K(A) | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | RDC max.(mΩ) | fres(MHz) | Montageart | Muster | |
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![]() | WE-LHMI SMT Speicherdrossel, 2.2 µH, 9.9 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LHMI SMT Speicherdrossel | Induktivität2.2 µH | Performance Nennstrom9.9 A | Sättigungsstrom 110.5 A | Sättigungsstrom @ 30%19.1 A | Gleichstromwiderstand12 mΩ | Eigenresonanzfrequenz30 MHz | MontageartSMT |