IC-Hersteller Toshiba

IC-Hersteller (103)

Toshiba TPN4R303NL/TPN2R903PL | Demoboard RD-205

Non-Isolated Buck DC-DC Converter

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung11.4-12.6 V
Schaltfrequenz197.9-596.8 kHz
Ausgang 15 V / 12 A
Ausgang 23.3 V / 13.3 A
Ausgang 33.3 V / 10 A
IC-Revision11

Beschreibung

This reference guide describes the specifications, use, and various properties of the Non-Isolated Buck DC-DC Converter (hereafter referred to as this power supply). This reference design consists of 24 types of DC-DC converter designs in total. All take DC12 V as inputs and generate 8 different outputs which are DC 5 V/5 A, DC 5 V/8 A, DC 5 V/12 A, DC 3.3 V/10 A, DC 3.3 V/13.3 A, DC 3.3V/18.2 A, DC 1.5 V/10 A, DC 1.05 V/10 A, and each one further optimized in 3 ways, i.e. for: 50 % load efficiency, 100 % load efficiency, and area. Since small components are selected, they can be applied to Point of Load power supplies of various sizes and applications. Our power MOSFETs are used as switching elements, which allows high-speed switching and high-efficiency.

Eigenschaften

  • Non-Isolated Buck DC-DC Converter with synchronous rectification
  • 8 power supply circuit designs with different output voltage and output power
  • Each power supply circuit design has 3 variations

Typische Anwendungen

  • High-Efficiency DC-DC Converters, Switching Voltage Regulators

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Material
RDC max.(mΩ)
LR(µH)
Muster
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 0.68 µH, 22.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.68 µH
Performance Nennstrom22.5 A
Sättigungsstrom 121.2 A
Sättigungsstrom @ 30%23 A
Eigenresonanzfrequenz181 MHz
MaterialFerrite 
Gleichstromwiderstand3.1 mΩ
Nenninduktivität0.64 µH
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1 µH, 16.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Performance Nennstrom16.8 A
Sättigungsstrom 18 A
Sättigungsstrom @ 30%19 A
Gleichstromwiderstand4.6 mΩ
Eigenresonanzfrequenz85 MHz
MaterialSuperflux 
Gleichstromwiderstand4.6 mΩ
Nenninduktivität0.78 µH
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 1 µH, 18.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Performance Nennstrom18.8 A
Sättigungsstrom 122.9 A
Sättigungsstrom @ 30%25.1 A
Eigenresonanzfrequenz147 MHz
MaterialFerrite 
Gleichstromwiderstand3.9 mΩ
Nenninduktivität0.97 µH