| Topologie | Abwärtswandler |
| Eingangsspannung | 11.4-12.6 V |
| Schaltfrequenz | 197.9-596.8 kHz |
| Ausgang 1 | 5 V / 12 A |
| Ausgang 2 | 3.3 V / 13.3 A |
| Ausgang 3 | 3.3 V / 10 A |
| IC-Revision | 11 |
This reference guide describes the specifications, use, and various properties of the Non-Isolated Buck DC-DC Converter (hereafter referred to as this power supply). This reference design consists of 24 types of DC-DC converter designs in total. All take DC12 V as inputs and generate 8 different outputs which are DC 5 V/5 A, DC 5 V/8 A, DC 5 V/12 A, DC 3.3 V/10 A, DC 3.3 V/13.3 A, DC 3.3V/18.2 A, DC 1.5 V/10 A, DC 1.05 V/10 A, and each one further optimized in 3 ways, i.e. for: 50 % load efficiency, 100 % load efficiency, and area. Since small components are selected, they can be applied to Point of Load power supplies of various sizes and applications. Our power MOSFETs are used as switching elements, which allows high-speed switching and high-efficiency.
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IRP,40K(A) | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | RDC(mΩ) | fres(MHz) | Material | RDC max.(mΩ) | LR(µH) | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 0.68 µH, 22.5 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCC SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität0.68 µH | Performance Nennstrom22.5 A | Sättigungsstrom 121.2 A | Sättigungsstrom @ 30%23 A | – | Eigenresonanzfrequenz181 MHz | MaterialFerrite | Gleichstromwiderstand3.1 mΩ | Nenninduktivität0.64 µH | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1 µH, 16.8 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität1 µH | Performance Nennstrom16.8 A | Sättigungsstrom 18 A | Sättigungsstrom @ 30%19 A | Gleichstromwiderstand4.6 mΩ | Eigenresonanzfrequenz85 MHz | MaterialSuperflux | Gleichstromwiderstand4.6 mΩ | Nenninduktivität0.78 µH | ||||
![]() | WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 1 µH, 18.8 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCC SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität1 µH | Performance Nennstrom18.8 A | Sättigungsstrom 122.9 A | Sättigungsstrom @ 30%25.1 A | – | Eigenresonanzfrequenz147 MHz | MaterialFerrite | Gleichstromwiderstand3.9 mΩ | Nenninduktivität0.97 µH |