| Topologie | Gegentaktwandler (Vollbrücken) |
| Eingangsspannung | 36-75 V |
| Ausgang 1 | 12.6 V / 25 A |
| IC-Revision | 1 |
Input voltage : DC 36 to 75VOutput voltage : DC 12VOutput power : 300WCircuit topology : Phase Shift Full Bridge + Synchronous Rectification
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IRP,40K(A) | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | RDC(mΩ) | fres(MHz) | Material | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 3.3 µH, 33.2 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität3.3 µH | Performance Nennstrom33.2 A | Sättigungsstrom 127.5 A | Sättigungsstrom @ 30%45 A | Gleichstromwiderstand1.7 mΩ | Eigenresonanzfrequenz26.5 MHz | MaterialMnZn |