IC-Hersteller Texas Instruments

IC-Hersteller (103)

Texas Instruments UCC28950 | Demoboard PMP7246

36-60Vin, 350W Slow Drain Modulation Power Converter with PSFB ZTE and HSHB Reference Design

Details

TopologieGegentaktwandler (Vollbrücken)
Eingangsspannung36-60 V
Ausgang 132 V / 11 A
IC-RevisionB

Beschreibung

This is a 350W High Speed Full Bridge Phase Shift ZVT Synchronous Rectification DC/DC reference design. It is built for telecom applications to supply a RF Power Amplifier stage. The design is utilizing UCC28950 voltage mode forward and average current limitation backward converter (two quadrant converter). It can modulate output voltage from 20V to 32V within 200us (at maximum 200uF of capacitive load) – so called: slow drain modulation. The converter has full load steps capability as well. It is a very small design for high sophisticated telecom applications. The system can also be used for all other two quadrant applications. Input voltage range: 36VDC-60VDC; Output voltage: 20VDC…32VDC (adjustable); Output current: 12A (18Apeak).

Eigenschaften

  • Greater than 90% efficiency at full load (24V/0.5A)
  • Less than 80mW of stand-by power consumption under no load
  • Constant Current regulation feature of UCC28700DBV ensures output short-circuit protection
  • Fast Start-upREMARK: Schematic and BOM is added

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
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Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Material
Muster
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.9 µH, 42.1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.9 µH
Performance Nennstrom42.1 A
Sättigungsstrom 123 A
Sättigungsstrom @ 30%52 A
Gleichstromwiderstand1.2 mΩ
Eigenresonanzfrequenz51 MHz
MaterialWE-PERM 2 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 3.7 µH, 18.3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.7 µH
Performance Nennstrom18.3 A
Sättigungsstrom 17 A
Sättigungsstrom @ 30%16 A
Gleichstromwiderstand4.9 mΩ
Eigenresonanzfrequenz26 MHz
MaterialWE-PERM 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 15 µH, 14.1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Performance Nennstrom14.1 A
Sättigungsstrom 110.75 A
Sättigungsstrom @ 30%14 A
Gleichstromwiderstand9 mΩ
Eigenresonanzfrequenz14 MHz
MaterialMnZn