| Topologie | Aufwärtswandler |
| Eingangsspannung | 5 V |
| Schaltfrequenz | 1250 kHz |
| Ausgang 1 | 15 V |
| IC-Revision | E1 |
This reference design provides a simple means through which to isolate I2C or SPI type communication lines. This is often required in Grid Infrastructure applications such as, protertion relays and circuit breakers, where high voltages are involved. This reference design provides the complete solution in which, both power isolation and signal isolation is handled
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | C | Tol. C | VR(V (DC)) | Bauform | Betriebstemperatur | DF(%) | RISO | Keramiktyp | L(mm) | B(mm) | H(mm) | Fl(mm) | Verpackung | L(µH) | IR(A) | ISAT(A) | RDC(mΩ) | fres(MHz) | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| WCAP-CSGP MLCCs 50 V(DC), 4.7 nF, ±10% | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWCAP-CSGP MLCCs 50 V(DC) | Kapazität4.7 nF | Kapazität±10% | Nennspannung50 V (DC) | Bauform0603 | Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C | Verlustfaktor2.5 % | Isolationswiderstand10 GΩ | KeramiktypX7R Klasse II | Länge1.6 mm | Breite0.8 mm | Höhe0.8 mm | Pad Dimension0.4 mm | Verpackung7" Tape & Reel | – | – | – | – | – | |||||
| WCAP-CSGP MLCCs 16 V(DC), 10 nF, ±10% | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWCAP-CSGP MLCCs 16 V(DC) | Kapazität10 nF | Kapazität±10% | Nennspannung16 V (DC) | Bauform0603 | Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C | Verlustfaktor3.5 % | Isolationswiderstand10 GΩ | KeramiktypX7R Klasse II | Länge1.6 mm | Breite0.8 mm | Höhe0.8 mm | Pad Dimension0.4 mm | Verpackung7" Tape & Reel | – | – | – | – | – | |||||
![]() | WE-LQS SMT-Speicherdrossel, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | – | – | – | Bauform2512 | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | – | – | – | Länge2.5 mm | Breite2 mm | Höhe1.2 mm | – | – | Induktivität10 µH | Nennstrom0.65 A | Sättigungsstrom0.8 A | Gleichstromwiderstand430 mΩ | Eigenresonanzfrequenz30 MHz |