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IC-Hersteller Texas Instruments

IC-Hersteller (104)

ReferenzdesignTPS568215

Texas Instruments TPS568215

TPS568215 4.5-V to 17-V Input , 8-A Synchronous Step-Down SWIFT™ Converter

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung4.5-17 V
Schaltfrequenz400-1200 kHz
Ausgang 13.3 V / 8 A
Ausgang 25.5 V / 8 A
Ausgang 31.2 V / 8 A
IC-RevisionA

Beschreibung

The TPS568215 is TI's smallest monolithic 8-Asynchronous buck converter with an adaptive on-timeD-CAP3™ control mode. The device integrates lowRDS(on) power MOSFETs that enable high efficiencyand offers ease-of-use with minimum externalcomponent count for space-conscious powersystems. Key features include a very accuratereference voltage, fast load transient response, autoskipmode operation for light load efficiency,adjustable current limit and no requirement forexternal compensation. A forced continuousconduction mode helps meet tight voltage regulationaccuracy requirements for performance DSPs andFPGAs. The TPS568215 is available in a thermallyenhanced 18-pin HotRod™ QFN package and isdesigned to operate from –40°C to 150°C junctiontemperature. TPS568215 is pin to pin compatible withTPS56C215 which gives the user flexibility to picksolutions from 6A to 12A in the same footprint.

Eigenschaften

  • Integrated 19-mΩ and 9.4-mΩ MOSFETs
  • Selectable FSW of 400 kHz, 800 kHz and 1.2 MHz
  • Adjustable Current Limit Settings with Hiccup Restart
  • 0.6 V ±1% Reference Voltage Across FullTemperature Range
  • Optional External 5-V Bias Support for EnhancedEfficiency
  • D-CAP3™ Control Mode for Fast TransientResponse
  • Selectable Forced Continuous Conduction Mode(FCCM) for Tight Output Voltage Ripple or Auto-Skipping Eco-mode™ for High Light-LoadEfficiency
  • 0.6 V to 5.5 V Output Voltage Range
  • Supports Ceramic Output Capacitors
  • Monotonic Startup into Pre-biased Outputs
  • Adjustable Soft Start with a Default 1-ms SoftStart Time
  • –40°C to 150°C Operating Junction Temperature
  • Small 3.5-mm x 3.5-mm HotRod™ QFN Package
  • Supported at the WEBENCH® Design Center

Typische Anwendungen

  • Server and Storage, Set top Box, High-End DTV

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
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Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Material
VPE
MusterVerfügbarkeit & Muster
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744314047
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.47 µH, 31.9 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität0.47 µH
Performance Nennstrom31.9 A
Sättigungsstrom 19 A
Sättigungsstrom @ 30%20 A
Gleichstromwiderstand1.35 mΩ
Eigenresonanzfrequenz235 MHz
MaterialSuperflux 
Verpackungseinheit1000 
–Verfügbarkeit prüfen
744311068
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.68 µH, 20.9 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität0.68 µH
Performance Nennstrom20.9 A
Sättigungsstrom 19.5 A
Sättigungsstrom @ 30%20 A
Gleichstromwiderstand3.1 mΩ
Eigenresonanzfrequenz105 MHz
MaterialSuperflux 
Verpackungseinheit1000 
–Verfügbarkeit prüfen
744314110
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.1 µH, 19.6 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität1.1 µH
Performance Nennstrom19.6 A
Sättigungsstrom 16 A
Sättigungsstrom @ 30%13 A
Gleichstromwiderstand3.15 mΩ
Eigenresonanzfrequenz135 MHz
MaterialSuperflux 
Verpackungseinheit1000 
–Verfügbarkeit prüfen
744325120
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.2 µH, 32.6 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität1.2 µH
Performance Nennstrom32.6 A
Sättigungsstrom 112 A
Sättigungsstrom @ 30%25 A
Gleichstromwiderstand1.8 mΩ
Eigenresonanzfrequenz75 MHz
MaterialSuperflux 
Verpackungseinheit700 
–Verfügbarkeit prüfen
744314150
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.5 µH, 16.4 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität1.5 µH
Performance Nennstrom16.4 A
Sättigungsstrom 14 A
Sättigungsstrom @ 30%11 A
Gleichstromwiderstand4.3 mΩ
Eigenresonanzfrequenz110 MHz
MaterialSuperflux 
Verpackungseinheit1000 
–Verfügbarkeit prüfen
744325240
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2.4 µH, 18.6 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität2.4 µH
Performance Nennstrom18.6 A
Sättigungsstrom 16.9 A
Sättigungsstrom @ 30%17 A
Gleichstromwiderstand4.75 mΩ
Eigenresonanzfrequenz67 MHz
MaterialSuperflux 
Verpackungseinheit700 
–Verfügbarkeit prüfen
744325330
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 3.3 µH, 16.6 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität3.3 µH
Performance Nennstrom16.6 A
Sättigungsstrom 15 A
Sättigungsstrom @ 30%15 A
Gleichstromwiderstand5.9 mΩ
Eigenresonanzfrequenz54 MHz
MaterialSuperflux 
Verpackungseinheit700 
–Verfügbarkeit prüfen