IC-Hersteller Texas Instruments

IC-Hersteller (103)

Texas Instruments LM5180 | Demoboard RD001 - 3W

6 W Bipolar isolated auxiliary supply for SiC-MOSFET & IGBT gate driver

Details

TopologieSperrwandler
Eingangsspannung9-18 V
Schaltfrequenz80-360 kHz
Ausgang 115 V / 0.32 A
Ausgang 2-4 V / 0.32 A
IC-RevisionG

Beschreibung

This reference design presents an extremely compact auxiliary power supply with a combined output power up to 6 W. Three different isolated bipolar output voltages are provided: +15 V / -4 V, +19 V / -4 V and +20 V / -5 V. The design is optimized for driving high-voltage SiC-MOSFET and IGBT discrete devices as well as power modules in high-power converters, and can be easily integrated in the gate driver system. The extremely low interwinding capacitance of the WE-AGDT transformers down to 7 pF helps to achieve high CMTI rating (Common-Mode Transient Immunity). This enables fast switching speeds which can yield efficiency and power density gains, as increasingly required in trending applications in e-mobility,renewable energy or industrial automation.

Eigenschaften

  • Small size(Var.A: 27 mm x 14 mm x 14 mm) (Var.B: 40 mm x 14 mm x 13 mm)
  • 4 kV primary-secondary isolation
  • Only 7 pF typ. parasitic capacitance enabling high CMTI
  • PSR Flyback topology with LT8302 (ADI Power by Linear)
  • Load/line regulation less than 1 % typ.
  • Up to 88 % peak efficiency (86 % at 6 W)
  • Standard and AEC-Q qualified component assembly variants
  • Two PCB Layout Variants (2-layer and 4-layer)

Typische Anwendungen

  • Industrial drives: AC motor inverter
  • Switch-mode power supplies with SiC MOSFETs
  • E-mobility: Electric Powertrain
  • Renewable energy: Solar inverters
  • On-board and Off-board battery chargers

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
C
Tol. C
VR(V (DC))
Bauform
Betriebstemperatur
DF(%)
RISO
Keramiktyp
L(mm)
B(mm)
H(mm)
Fl(mm)
Verpackung
Vin(V)
VOut1(V)
VOut2(V)
PO(W)
CWW 1(pF)
L(µH)
ISAT(A)
fswitch(kHz)
n
Version
IC-Referenz
Muster
WCAP-CSGP MLCCs 50 V(DC), 470 nF, ±10%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität470 nF
Kapazität±10% 
Nennspannung50 V (DC)
Bauform0805 
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Verlustfaktor3 %
Isolationswiderstand1.1 GΩ
KeramiktypX7R Klasse II 
Länge2 mm
Breite1.25 mm
Höhe1.25 mm
Pad Dimension0.5 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
WCAP-CSGP MLCCs 50 V(DC), 1 µF, ±10%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität1 µF
Kapazität±10% 
Nennspannung50 V (DC)
Bauform0805 
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Verlustfaktor10 %
Isolationswiderstand0.1 GΩ
KeramiktypX7R Klasse II 
Länge2 mm
Breite1.25 mm
Höhe1.25 mm
Pad Dimension0.5 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
WCAP-CSGP MLCCs 50 V(DC), 10 µF, ±10%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität10 µF
Kapazität±10% 
Nennspannung50 V (DC)
Bauform1206 
Betriebstemperatur -55 °C up to +85 °C
Verlustfaktor10 %
Isolationswiderstand0.005 GΩ
KeramiktypX5R Klasse II 
Länge3.2 mm
Breite1.6 mm
Höhe1.6 mm
Pad Dimension0.6 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
WE-AGDT Auxiliary Gate Drive Transformer, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
BauformEP7 
Betriebstemperatur -40 °C up to +130 °C
Länge11.3 mm
Breite10.95 mm
Höhe11.94 mm
Input Voltage 9 - 18
Ausgangsspannung 115 V
Ausgangsspannung 2-4 V
Totale Ausgangsleistung3 W
Koppelkapazität7 pF
Induktivität18 µH
Sättigungsstrom1.6 A
Switching Frequency 350
Übersetzungsverhältnis2.25:3.5:1 
VersionFlyback 
IC-ReferenzLM5180