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Texas Instruments CSD18534Q5A | Demoboard TIDA-010039_Gate Driver
60-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 9.8 mOhm
Details
| Topologie | Sonstige Topologie |
| Eingangsspannung | 380-400 V |
| Ausgang 1 | 800 V / 12.5 A |
| IC-Revision | E3 |
Beschreibung
This reference design provides an overview on how to implement a three-level, three-phase, SiC-based AC/DC converter with bi-directional functionality. A high switching frequency of 50 kHz reduces the size of magnetics for the filter design and as a result a higher power density. SiC MOSFETs with switching loss enable higher DC bus voltages of up to 800V and lower switching losses with a peak efficiency of >97%. This design is configurable to work as a two-level or three-level rectifier.
Eigenschaften
- Rated nominal input of 380 - 400VAC peak, with DC output of 800V
- Maximum 10-kW, 10-kVA output power at 400-VAC 50- or 60-Hz grid connection
- High-voltage (1200-V) SiC MOSFET-based fullbridge AC/DC converter for peak efficiency of >97%
- Compact filter by switching rectifier at 50 kHz
- Isolated driver ISO5852S with reinforced isolation for driving high-voltage SiC MOSFET and UCC5320S for driving middle Si IGBT
- Isolated current sensing using AMC1301 for load current monitoring
- TMS320F28379D control card for digital control
Typische Anwendungen
- DC Charging (Pile) Station, EV Charging Station Power Module, Energy Storage Power Conversion System (PCS), Three Phase UPS
Weiterführende Informationen
Artikeldaten
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | λDom typ.(nm) | Emittierte Farbe | λPeak typ.(nm) | IV typ.(mcd) | VF typ.(V) | Chiptechnologie | 2θ50% typ.(°) | C | Tol. C | VR(V (DC)) | Bauform | Betriebstemperatur | Q(%) | DF(%) | RISO | Keramiktyp | L(mm) | B(mm) | H(mm) | Fl(mm) | Verpackung | Pins | Typ | Montageart | IR(A) | Arbeitsspannung(V (AC)) | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | WL-SMCW SMT Mono-color Chip LED Waterclear, 525 nm, Grün | Downloads27 Dateien Strahldaten
| Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWL-SMCW SMT Mono-color Chip LED Waterclear | dominante Wellenlänge [typ.]525 nm | Emittierte FarbeGrün | Spitzen-Wellenlänge [typ.]515 nm | Lichtstärke [typ.]430 mcd | Durchlassspannung [typ.]3.2 V | ChiptechnologieInGaN | Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]140 ° | – | – | – | Bauform0603 | Betriebstemperatur -40 °C up to +85 °C | – | – | – | – | Länge1.6 mm | Breite0.8 mm | Höhe0.7 mm | – | VerpackungTape and Reel | – | – | MontageartSMT | – | – | |||
| WL-SMCW SMT Mono-color Chip LED Waterclear, 625 nm, Rot | Downloads27 Dateien Strahldaten
| Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWL-SMCW SMT Mono-color Chip LED Waterclear | dominante Wellenlänge [typ.]625 nm | Emittierte FarbeRot | Spitzen-Wellenlänge [typ.]630 nm | Lichtstärke [typ.]250 mcd | Durchlassspannung [typ.]2 V | ChiptechnologieAlInGaP | Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]140 ° | – | – | – | Bauform0603 | Betriebstemperatur -40 °C up to +85 °C | – | – | – | – | Länge1.6 mm | Breite0.8 mm | Höhe0.7 mm | – | VerpackungTape and Reel | – | – | MontageartSMT | – | – | |||
| WCAP-CSGP MLCCs 50 V(DC), –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWCAP-CSGP MLCCs 50 V(DC) | – | – | – | – | – | – | – | Kapazität100 nF | Kapazität±10% | Nennspannung50 V (DC) | Bauform0603 | Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C | – | Verlustfaktor3 % | Isolationswiderstand5 GΩ | KeramiktypX7R Klasse II | Länge1.6 mm | Breite0.8 mm | Höhe0.8 mm | Pad Dimension0.4 mm | Verpackung7" Tape & Reel | – | – | – | – | – | |||||
| WCAP-CSGP MLCCs 50 V(DC), –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWCAP-CSGP MLCCs 50 V(DC) | – | – | – | – | – | – | – | Kapazität100 pF | Kapazität±5% | Nennspannung50 V (DC) | Bauform0805 | Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C | Güte1000 % | – | Isolationswiderstand10 GΩ | KeramiktypNP0 Klasse I | Länge2 mm | Breite1.25 mm | Höhe0.6 mm | Pad Dimension0.5 mm | Verpackung7" Tape & Reel | – | – | – | – | – | |||||
 | WR-PHD Stiftleisten - Einreihig, –, – | Simulation– | Downloads7 Dateien | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWR-PHD Stiftleisten - Einreihig | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C | – | – | Isolationswiderstand1000 MΩ | – | Länge10.16 mm | – | – | – | VerpackungBeutel | Pins4 | TypAbgewinkelt | MontageartTHT | Nennstrom3 A | Arbeitsspannung250 V (AC) | ||
 | WR-PHD Stiftleisten - Zweireihig, –, – | Simulation– | Downloads7 Dateien | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWR-PHD Stiftleisten - Zweireihig | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C | – | – | Isolationswiderstand1000 MΩ | – | Länge20.32 mm | – | – | – | VerpackungBeutel | Pins16 | TypAbgewinkelt | MontageartTHT | Nennstrom3 A | Arbeitsspannung250 V (AC) | ||
 | 750343805 | Transformer, –, – | Simulation– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Produktserie Transformer | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | BauformEPX7 | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | – | – | – | – | Länge10.16 mm | Breite9.14 mm | Höhe12.32 mm | – | VerpackungTape and Reel | – | – | MontageartSMT | – | – | ||
| 750343804 | Transformer, –, – | Simulation– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Produktserie Transformer | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | BauformEPX7 | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | – | – | – | – | Länge10.16 mm | Breite9.14 mm | Höhe12.32 mm | – | VerpackungTape and Reel | – | – | MontageartSMT | – | – |