| Topologie | Sonstige Topologie |
| IC-Revision | 1 |
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IRP,40K(A) | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | RDC(mΩ) | fres(MHz) | Material | Muster | |
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![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 8.5 µH, 5.3 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität8.5 µH | Performance Nennstrom5.3 A | Sättigungsstrom 12 A | Sättigungsstrom @ 30%4.5 A | Gleichstromwiderstand30.5 mΩ | Eigenresonanzfrequenz44 MHz | MaterialSuperflux |