| Topologie | Abwärtswandler |
| Eingangsspannung | 5.5-48 V |
| Schaltfrequenz | 600-1000 kHz |
| IC-Revision | 2 |
The ST1S14 is a step-down monolithic power switching regulator able to deliver up to 3 A DC current to the load depending on the applicationconditions. The high current level is also achieved thanks to a HSOP8 package with exposed frame, that allows to reduce the Rth(JA) down toapproximately 40 °C/W. The output voltage can be set from 1.22 V. The device uses an internal Nchannel DMOS transistor (with a typical RDS(on) of200 mΩ) as the switching element to minimize the size of the external components. The internal oscillator fixes the switching frequency at 850kHz. Power good open collector output validates the regulated output voltage as soon as it reaches the regulation. Pulse-by-pulse current limit offers an effective constant current short-circuit protection. Current foldback decreases overstress in a persistent short-circuit condition.
Remarks:Table 10. Inductor selectionRefer page no.24
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IRP,40K(A) | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | RDC(mΩ) | fres(MHz) | Material | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1 µH, 16.8 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität1 µH | Performance Nennstrom16.8 A | Sättigungsstrom 18 A | Sättigungsstrom @ 30%19 A | Gleichstromwiderstand4.6 mΩ | Eigenresonanzfrequenz85 MHz | MaterialSuperflux | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.5 µH, 13.8 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität1.5 µH | Performance Nennstrom13.8 A | Sättigungsstrom 14.5 A | Sättigungsstrom @ 30%14 A | Gleichstromwiderstand6.6 mΩ | Eigenresonanzfrequenz72 MHz | MaterialSuperflux | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2.2 µH, 10.2 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität2.2 µH | Performance Nennstrom10.2 A | Sättigungsstrom 15.6 A | Sättigungsstrom @ 30%13 A | Gleichstromwiderstand11.4 mΩ | Eigenresonanzfrequenz52 MHz | MaterialSuperflux | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 3.3 µH, 8.1 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität3.3 µH | Performance Nennstrom8.1 A | Sättigungsstrom 14.5 A | Sättigungsstrom @ 30%11 A | Gleichstromwiderstand17.2 mΩ | Eigenresonanzfrequenz43 MHz | MaterialSuperflux | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 4.7 µH, 7.8 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität4.7 µH | Performance Nennstrom7.8 A | Sättigungsstrom 12.5 A | Sättigungsstrom @ 30%7 A | Gleichstromwiderstand19.5 mΩ | Eigenresonanzfrequenz33 MHz | MaterialSuperflux | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 4.9 µH, 8.3 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität4.9 µH | Performance Nennstrom8.3 A | Sättigungsstrom 12.2 A | Sättigungsstrom @ 30%6.5 A | Gleichstromwiderstand14.5 mΩ | Eigenresonanzfrequenz56 MHz | MaterialSuperflux | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 6.5 µH, 6.6 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität6.5 µH | Performance Nennstrom6.6 A | Sättigungsstrom 12 A | Sättigungsstrom @ 30%6 A | Gleichstromwiderstand21.5 mΩ | Eigenresonanzfrequenz50 MHz | MaterialSuperflux | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 7.6 µH, 5.5 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität7.6 µH | Performance Nennstrom5.5 A | Sättigungsstrom 12.2 A | Sättigungsstrom @ 30%4.8 A | Gleichstromwiderstand28.2 mΩ | Eigenresonanzfrequenz48 MHz | MaterialSuperflux | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 8.5 µH, 5.3 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität8.5 µH | Performance Nennstrom5.3 A | Sättigungsstrom 12 A | Sättigungsstrom @ 30%4.5 A | Gleichstromwiderstand30.5 mΩ | Eigenresonanzfrequenz44 MHz | MaterialSuperflux | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 10 µH, 5.3 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität10 µH | Performance Nennstrom5.3 A | Sättigungsstrom 11.8 A | Sättigungsstrom @ 30%4 A | Gleichstromwiderstand33 mΩ | Eigenresonanzfrequenz40 MHz | MaterialSuperflux |