IC-Hersteller STMicroelectronics

IC-Hersteller (107)

STMicroelectronics PM6670AS

Complete DDR2/3 memory power supply controller

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung4.5-36 V
Ausgang 12.6 V
Ausgang 21.8 V
Ausgang 31.5 V
IC-Revision2

Beschreibung

The device PM6670AS is a complete DDR2/3power supply regulator designed to meet JEDECspecifications.It integrates a constant on-time (COT) buckcontroller, a 2 Apk sink/source low drop outregulator and a 15 mA low noise bufferedreference.The COT architecture assures fast transientresponse supporting both electrolytic and ceramicoutput capacitors. An embedded integratorcontrol loop compensates the DC voltage errordue to the output ripple.The 2 Apk sink/source linear regulator providesthe memory termination voltage with fast loadtransient response.The device is full compliant with system sleepstates S3 and S4/S5, providing LDO output highimpedance in Suspend-To-RAM and TrackingDischarge of all outputs in Suspend-To-Disk.

Eigenschaften

  • Switching section (VDDQ)– 4.5 V to 36 V input voltage range– 0.9 V, ±1% voltage reference– 1.8 V (DDR2) or 1.5 V (DDR3) fixed outputvoltages– 0.9 V to 2.6 V adjustable output voltage– 1.237 V ±1% reference voltage available– Very fast load transient response usingconstant-on-time control loop– No RSENSE current sensing using low sideMOSFETs' RDS(ON)– Negative current limit– Latched OVP and UVP– Soft-start internally fixed at 3 ms– Selectable pulse skipping at light load– selectable no-audible (33 kHz) pulse skipmode– Ceramic output capacitors supported– Output voltage ripple compensation
  • VTT LDO and VTTREF– 2 Apk LDO with foldback for VTT– Remote VTT sensing– High-Z VTT output in S3– Ceramic output capacitors supported– ±15 mA Low noise buffered reference

Typische Anwendungen

  • DDR2/3 memory supply
  • SSTL18, SSTL15 and HSTL bus termination
  • Digital TV system

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Material
VPE
MusterVerfügbarkeit & Muster
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SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1 µH, 23.1 A

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Performance Nennstrom23.1 A
Sättigungsstrom 17.5 A
Sättigungsstrom @ 30%20 A
Gleichstromwiderstand3.3 mΩ
Eigenresonanzfrequenz80 MHz
MaterialWE-PERM 
Verpackungseinheit800 
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