IC-Hersteller STMicroelectronics

IC-Hersteller (103)

STMicroelectronics LED2000

3 A monolithic step-down current source with synchronous rectification

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung3-18 V
Schaltfrequenz700-1000 kHz
Ausgang 13 A
IC-Revision4

Beschreibung

The LED2000 is an 850 kHz fixed switching frequency monolithic step-down DC-DC converter designed to operate as precise constant current source with an adjustable current capability up to 3 A DC. The embedded PWM dimming circuitry features LED brightness control. The regulated output current is set connecting a sensing resistor to the feedback pin. The embedded synchronous rectification and the 100 mV typical RSENSE voltage drop enhance the efficiency performance. The size of the overall application is minimized thanks to the high switching frequency and ceramic output capacitor compatibility. The device is fully protected against thermal overheating, overcurrent and output short-circuit. The LED2000 is available in VFQFPN 4 mm x 4 mm 8-lead, and standard SO8 package.

Eigenschaften

  • 3.0 V to 18 V operating input voltage range
  • 850 kHz fixed switching frequency
  • 100 mV typ. current sense voltage drop
  • PWM dimming
  • ± 7% output current accuracy
  • Synchronous rectification
  • 95 mΩ HS / 69 mΩ LS typical RDS(on)
  • Peak current mode architecture
  • Embedded compensation network
  • Internal current limiting
  • Ceramic output capacitor compliant
  • Thermal shutdown

Typische Anwendungen

  • Halogen bulb replacement/ Signage/ General lighting/ High brightness LED driving

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Material
Muster
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1 µH, 16.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Performance Nennstrom16.8 A
Sättigungsstrom 18 A
Sättigungsstrom @ 30%19 A
Gleichstromwiderstand4.6 mΩ
Eigenresonanzfrequenz85 MHz
MaterialSuperflux 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.5 µH, 13.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 µH
Performance Nennstrom13.8 A
Sättigungsstrom 14.5 A
Sättigungsstrom @ 30%14 A
Gleichstromwiderstand6.6 mΩ
Eigenresonanzfrequenz72 MHz
MaterialSuperflux 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2.2 µH, 10.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Performance Nennstrom10.2 A
Sättigungsstrom 15.6 A
Sättigungsstrom @ 30%13 A
Gleichstromwiderstand11.4 mΩ
Eigenresonanzfrequenz52 MHz
MaterialSuperflux 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 3.3 µH, 8.1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Performance Nennstrom8.1 A
Sättigungsstrom 14.5 A
Sättigungsstrom @ 30%11 A
Gleichstromwiderstand17.2 mΩ
Eigenresonanzfrequenz43 MHz
MaterialSuperflux 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 4.7 µH, 7.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Performance Nennstrom7.8 A
Sättigungsstrom 12.5 A
Sättigungsstrom @ 30%7 A
Gleichstromwiderstand19.5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz33 MHz
MaterialSuperflux 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 4.9 µH, 8.3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.9 µH
Performance Nennstrom8.3 A
Sättigungsstrom 12.2 A
Sättigungsstrom @ 30%6.5 A
Gleichstromwiderstand14.5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz56 MHz
MaterialSuperflux 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 6.5 µH, 6.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.5 µH
Performance Nennstrom6.6 A
Sättigungsstrom 12 A
Sättigungsstrom @ 30%6 A
Gleichstromwiderstand21.5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz50 MHz
MaterialSuperflux 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 7.6 µH, 5.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität7.6 µH
Performance Nennstrom5.5 A
Sättigungsstrom 12.2 A
Sättigungsstrom @ 30%4.8 A
Gleichstromwiderstand28.2 mΩ
Eigenresonanzfrequenz48 MHz
MaterialSuperflux 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 8.5 µH, 5.3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität8.5 µH
Performance Nennstrom5.3 A
Sättigungsstrom 12 A
Sättigungsstrom @ 30%4.5 A
Gleichstromwiderstand30.5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz44 MHz
MaterialSuperflux 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 10 µH, 5.3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Performance Nennstrom5.3 A
Sättigungsstrom 11.8 A
Sättigungsstrom @ 30%4 A
Gleichstromwiderstand33 mΩ
Eigenresonanzfrequenz40 MHz
MaterialSuperflux