| Topologie | Abwärtswandler |
| Eingangsspannung | 3-18 V |
| Schaltfrequenz | 700-1000 kHz |
| Ausgang 1 | 3 A |
| IC-Revision | 4 |
The LED2000 is an 850 kHz fixed switching frequency monolithic step-down DC-DC converter designed to operate as precise constant current source with an adjustable current capability up to 3 A DC. The embedded PWM dimming circuitry features LED brightness control. The regulated output current is set connecting a sensing resistor to the feedback pin. The embedded synchronous rectification and the 100 mV typical RSENSE voltage drop enhance the efficiency performance. The size of the overall application is minimized thanks to the high switching frequency and ceramic output capacitor compatibility. The device is fully protected against thermal overheating, overcurrent and output short-circuit. The LED2000 is available in VFQFPN 4 mm x 4 mm 8-lead, and standard SO8 package.
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IRP,40K(A) | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | RDC(mΩ) | fres(MHz) | Material | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1 µH, 16.8 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität1 µH | Performance Nennstrom16.8 A | Sättigungsstrom 18 A | Sättigungsstrom @ 30%19 A | Gleichstromwiderstand4.6 mΩ | Eigenresonanzfrequenz85 MHz | MaterialSuperflux | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.5 µH, 13.8 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität1.5 µH | Performance Nennstrom13.8 A | Sättigungsstrom 14.5 A | Sättigungsstrom @ 30%14 A | Gleichstromwiderstand6.6 mΩ | Eigenresonanzfrequenz72 MHz | MaterialSuperflux | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2.2 µH, 10.2 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität2.2 µH | Performance Nennstrom10.2 A | Sättigungsstrom 15.6 A | Sättigungsstrom @ 30%13 A | Gleichstromwiderstand11.4 mΩ | Eigenresonanzfrequenz52 MHz | MaterialSuperflux | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 3.3 µH, 8.1 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität3.3 µH | Performance Nennstrom8.1 A | Sättigungsstrom 14.5 A | Sättigungsstrom @ 30%11 A | Gleichstromwiderstand17.2 mΩ | Eigenresonanzfrequenz43 MHz | MaterialSuperflux | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 4.7 µH, 7.8 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität4.7 µH | Performance Nennstrom7.8 A | Sättigungsstrom 12.5 A | Sättigungsstrom @ 30%7 A | Gleichstromwiderstand19.5 mΩ | Eigenresonanzfrequenz33 MHz | MaterialSuperflux | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 4.9 µH, 8.3 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität4.9 µH | Performance Nennstrom8.3 A | Sättigungsstrom 12.2 A | Sättigungsstrom @ 30%6.5 A | Gleichstromwiderstand14.5 mΩ | Eigenresonanzfrequenz56 MHz | MaterialSuperflux | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 6.5 µH, 6.6 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität6.5 µH | Performance Nennstrom6.6 A | Sättigungsstrom 12 A | Sättigungsstrom @ 30%6 A | Gleichstromwiderstand21.5 mΩ | Eigenresonanzfrequenz50 MHz | MaterialSuperflux | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 7.6 µH, 5.5 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität7.6 µH | Performance Nennstrom5.5 A | Sättigungsstrom 12.2 A | Sättigungsstrom @ 30%4.8 A | Gleichstromwiderstand28.2 mΩ | Eigenresonanzfrequenz48 MHz | MaterialSuperflux | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 8.5 µH, 5.3 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität8.5 µH | Performance Nennstrom5.3 A | Sättigungsstrom 12 A | Sättigungsstrom @ 30%4.5 A | Gleichstromwiderstand30.5 mΩ | Eigenresonanzfrequenz44 MHz | MaterialSuperflux | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 10 µH, 5.3 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität10 µH | Performance Nennstrom5.3 A | Sättigungsstrom 11.8 A | Sättigungsstrom @ 30%4 A | Gleichstromwiderstand33 mΩ | Eigenresonanzfrequenz40 MHz | MaterialSuperflux |