IC-Hersteller Silicontent Technology

IC-Hersteller (104)

Silicontent Technology SCT1270 | Demoboard SCT1270 Synchronous Boost Converter

12.6V, 7A Fully Integrated High Efficiency Synchronous Boost Converter

Details

TopologieAufwärtswandler
Eingangsspannung2.7-12 V
Schaltfrequenz200-2200 kHz
Ausgang 112.6 V
IC-Revision0.8

Beschreibung

The EV1270-B-01A Evaluation Board is designed to demonstrate the capabilities of SCT1270, a high efficiency fully integrated synchronous boost converter. It offers a very compact solution to achieve up to small size power solution for portable equipment. The constant off-time peak current-mode operation provides fast transient response and eases loop stabilization. The device features include over-current protection, output over voltage protection and thermal shutdown. The SCT1270 is available in a spacesaving 11-pin QFN 2mmx2.5mm package.This user's guide describes the characteristics, operation and the use of the EV1270-B-01A Evaluation Module including EVM specifications, recommended test setup, test result, schematicdiagram, bill of materials, and the board layout.

Eigenschaften

  • Wide Input Voltage Range: 2.7V-12V
  • Wide Output Voltage Range: 4.5V-12.6V
  • Fully Integrated 17mΩ High Side FET and 16mΩ Low Side FET
  • Programmable and Up to 9.5A Peak Switch Current Limit
  • Adjustable Switching Frequency: 200KHz to 2.2MHz
  • PFM Operation Mode at Light Load (SCT1270)
  • Forced PWM Operation Mode at Light Load (SCT12701)
  • Internal Soft Start and External Compensation
  • Cycle-by-Cycle Overcurrent Protection
  • Output Overvoltage Protection
  • Thermal Shutdown Protection: 160°C 
  • QFN-11 2mm x 2.5mm Package

Typische Anwendungen

  • Bluetooth Speaker,
  • Portable POS Terminal
  • Lighting

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
C
Tol. C
VR(V (DC))
Bauform
Betriebstemperatur
DF(%)
RISO
Keramiktyp
L(mm)
B(mm)
H(mm)
Fl(mm)
Verpackung
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Material
VPE
MusterVerfügbarkeit & Muster
SPECWCAP-CSGP MLCCs 25 V(DC), 4.7 nF, ±10%
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität4.7 nF
Kapazität±10% 
Nennspannung25 V (DC)
Bauform0603 
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Verlustfaktor3.5 %
Isolationswiderstand10 GΩ
KeramiktypX7R Klasse II 
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Höhe0.8 mm
Pad Dimension0.4 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
Verpackungseinheit4000 
Verfügbarkeit prüfen
SPECWCAP-CSGP MLCCs 25 V(DC), 100 nF, ±10%
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität100 nF
Kapazität±10% 
Nennspannung25 V (DC)
Bauform0603 
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Verlustfaktor3.5 %
Isolationswiderstand5 GΩ
KeramiktypX7R Klasse II 
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Höhe0.8 mm
Pad Dimension0.4 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
Verpackungseinheit4000 
Verfügbarkeit prüfen
SPECWCAP-CSGP MLCCs 16 V(DC), 2.2 µF, ±20%
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität2.2 µF
Kapazität±20% 
Nennspannung16 V (DC)
Bauform0603 
Betriebstemperatur -55 °C up to +85 °C
Verlustfaktor10 %
Isolationswiderstand0.05 GΩ
KeramiktypX5R Klasse II 
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Höhe0.8 mm
Pad Dimension0.4 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
Verpackungseinheit4000 
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, –, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Bauform1335 
Betriebstemperatur -40 °C up to +150 °C
Länge12.9 mm
Breite12.8 mm
Höhe3.3 mm
Induktivität2.2 µH
Performance Nennstrom19.4 A
Sättigungsstrom 18 A
Sättigungsstrom @ 30%18 A
Gleichstromwiderstand5.7 mΩ
Eigenresonanzfrequenz40 MHz
MaterialSuperflux 
Verpackungseinheit400 
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