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IC-Hersteller Silicontent Technology

IC-Hersteller (105)

ReferenzdesignSCT1270 | Demoboard SCT1270 Synchronous Boost Converter

Silicontent Technology SCT1270 | Demoboard SCT1270 Synchronous Boost Converter

12.6V, 7A Fully Integrated High Efficiency Synchronous Boost Converter

Details

TopologieAufwärtswandler
Eingangsspannung2.7-12 V
Schaltfrequenz200-2200 kHz
Ausgang 112.6 V
IC-Revision0.8

Beschreibung

The EV1270-B-01A Evaluation Board is designed to demonstrate the capabilities of SCT1270, a high efficiency fully integrated synchronous boost converter. It offers a very compact solution to achieve up to small size power solution for portable equipment. The constant off-time peak current-mode operation provides fast transient response and eases loop stabilization. The device features include over-current protection, output over voltage protection and thermal shutdown. The SCT1270 is available in a spacesaving 11-pin QFN 2mmx2.5mm package.This user's guide describes the characteristics, operation and the use of the EV1270-B-01A Evaluation Module including EVM specifications, recommended test setup, test result, schematicdiagram, bill of materials, and the board layout.

Eigenschaften

  • Wide Input Voltage Range: 2.7V-12V
  • Wide Output Voltage Range: 4.5V-12.6V
  • Fully Integrated 17mΩ High Side FET and 16mΩ Low Side FET
  • Programmable and Up to 9.5A Peak Switch Current Limit
  • Adjustable Switching Frequency: 200KHz to 2.2MHz
  • PFM Operation Mode at Light Load (SCT1270)
  • Forced PWM Operation Mode at Light Load (SCT12701)
  • Internal Soft Start and External Compensation
  • Cycle-by-Cycle Overcurrent Protection
  • Output Overvoltage Protection
  • Thermal Shutdown Protection: 160°C 
  • QFN-11 2mm x 2.5mm Package

Typische Anwendungen

  • Bluetooth Speaker,
  • Portable POS Terminal
  • Lighting

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
C
Tol. C
VR(V (DC))
Bauform
Betriebstemperatur
DF(%)
RISO
Keramiktyp
L(mm)
B(mm)
H(mm)
Fl(mm)
Verpackung
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Material
VPE
MusterVerfügbarkeit & Muster
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885012206063
SPECWCAP-CSGP MLCCs 25 V(DC), 4.7 nF, ±10%
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWCAP-CSGP MLCCs 25 V(DC)
Kapazität4.7 nF
Kapazität±10% 
Nennspannung25 V (DC)
Bauform0603 
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Verlustfaktor3.5 %
Isolationswiderstand10 GΩ
KeramiktypX7R Klasse II 
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Höhe0.8 mm
Pad Dimension0.4 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
–
–
–
–
–
–
–
Verpackungseinheit4000 
–Verfügbarkeit prüfen
885012206071
SPECWCAP-CSGP MLCCs 25 V(DC), 100 nF, ±10%
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWCAP-CSGP MLCCs 25 V(DC)
Kapazität100 nF
Kapazität±10% 
Nennspannung25 V (DC)
Bauform0603 
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Verlustfaktor3.5 %
Isolationswiderstand5 GΩ
KeramiktypX7R Klasse II 
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Höhe0.8 mm
Pad Dimension0.4 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
–
–
–
–
–
–
–
Verpackungseinheit4000 
–Verfügbarkeit prüfen
885012106018
SPECWCAP-CSGP MLCCs 16 V(DC), 2.2 µF, ±20%
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWCAP-CSGP MLCCs 16 V(DC)
Kapazität2.2 µF
Kapazität±20% 
Nennspannung16 V (DC)
Bauform0603 
Betriebstemperatur -55 °C up to +85 °C
Verlustfaktor10 %
Isolationswiderstand0.05 GΩ
KeramiktypX5R Klasse II 
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Höhe0.8 mm
Pad Dimension0.4 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
–
–
–
–
–
–
–
Verpackungseinheit4000 
–Verfügbarkeit prüfen
744313220
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, –, –

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
–
–
–
Bauform1335 
Betriebstemperatur -40 °C up to +150 °C
–
–
–
Länge12.9 mm
Breite12.8 mm
Höhe3.3 mm
–
–
Induktivität2.2 µH
Performance Nennstrom19.4 A
Sättigungsstrom 18 A
Sättigungsstrom @ 30%18 A
Gleichstromwiderstand5.7 mΩ
Eigenresonanzfrequenz40 MHz
MaterialSuperflux 
Verpackungseinheit400 
–Verfügbarkeit prüfen