IC-Hersteller SG-Micro

IC-Hersteller (104)

SG-Micro SGM6612A | Demoboard SGM6612AYTQX13G/TR Demo Board

20V, 10A Fully-Integrated Synchronous Boost Converter with Load Disconnect Control

Details

TopologieAufwärtswandler
Eingangsspannung2.7-16 V
Ausgang 120 V
IC-RevisionA3

Beschreibung

The SGM6612A is a 20V high-efficient synchronous Boost converter integrated with two 15mΩ power switches. This device offers small size power solution for portable equipment. The device has high switching frequency up to 2.2MHz with resistor programmable.The SGM6612A has two operation modes, the pulse width modulation (PWM) mode and pulse frequency modulation (PFM) mode. The PWM mode is applied at moderate to heavy load. The PFM mode is applied at light load to improve the efficiency.

Eigenschaften

  • 2.7V to 16V Input Voltage Range
  • 4.5V to 20V Output Voltage Range
  • Up to 10A Resistor-Programmable Current Limit
  • Up to 2.2MHz Resistor-Programmable Switching Frequency
  • 15mΩ Low RDSON Internal MOSFETs
  • Up to 95% Efficiency (at VIN = 7.2V, VOUT = 16V, IOUT = 2A)
  • Gate Driver for Load Disconnection
  • Hiccup Short Protection
  • Over-Voltage Protection
  • Auto PFM Mode at Light Load
  • Available in a Green TQFN-3×3.5-13L Package

Typische Anwendungen

  • Supply for Power Amplifier and Motor Driver, Supply for USB Type-C
  • Portable Loudspeaker Boxes

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
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Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Material
VPE
RDC max.(mΩ)
Montageart
MusterVerfügbarkeit & Muster
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SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.8 µH, 22.1 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.8 µH
Performance Nennstrom22.1 A
Sättigungsstrom 17 A
Sättigungsstrom @ 30%18 A
Gleichstromwiderstand3.5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz70 MHz
MaterialSuperflux 
Verpackungseinheit700 
Gleichstromwiderstand3.85 mΩ
MontageartSMT 
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SPECWE-LHMI SMT Speicherdrossel, 3.3 µH, 11.1 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Performance Nennstrom11.1 A
Sättigungsstrom 115.6 A
Sättigungsstrom @ 30%31.2 A
Eigenresonanzfrequenz22 MHz
Verpackungseinheit500 
Gleichstromwiderstand11.8 mΩ
MontageartSMT 
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SPECWE-LHMI SMT Speicherdrossel, 6.8 µH, 8.6 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 µH
Performance Nennstrom8.6 A
Sättigungsstrom 18 A
Sättigungsstrom @ 30%17.4 A
Eigenresonanzfrequenz13 MHz
Verpackungseinheit500 
Gleichstromwiderstand23.3 mΩ
MontageartSMT 
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SPECWE-LHMI SMT Speicherdrossel, 10 µH, 7 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Performance Nennstrom7 A
Sättigungsstrom 17.9 A
Sättigungsstrom @ 30%16.8 A
Eigenresonanzfrequenz12 MHz
Verpackungseinheit500 
Gleichstromwiderstand30 mΩ
MontageartSMT 
Verfügbarkeit prüfen