| Topologie | Abwärtswandler |
| Eingangsspannung | 4.5-16 V |
| Ausgang 1 | 12 A |
| IC-Revision | 00 |
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IRP,40K(A) | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | RDC(mΩ) | fres(MHz) | Material | RDC max.(mΩ) | LR(µH) | Montageart | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-LHMI SMT Speicherdrossel, 0.22 µH, 23 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LHMI SMT Speicherdrossel | Induktivität0.22 µH | Performance Nennstrom23 A | Sättigungsstrom 129.9 A | Sättigungsstrom @ 30%54.3 A | – | Eigenresonanzfrequenz149 MHz | – | Gleichstromwiderstand2.8 mΩ | – | MontageartSMT | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.47 µH, 31.9 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität0.47 µH | Performance Nennstrom31.9 A | Sättigungsstrom 19 A | Sättigungsstrom @ 30%20 A | Gleichstromwiderstand1.35 mΩ | Eigenresonanzfrequenz235 MHz | MaterialSuperflux | Gleichstromwiderstand1.485 mΩ | Nenninduktivität0.38 µH | MontageartSMT | ||||
![]() | WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 1.5 µH, 14.8 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCC SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität1.5 µH | Performance Nennstrom14.8 A | Sättigungsstrom 116.4 A | Sättigungsstrom @ 30%18.5 A | – | Eigenresonanzfrequenz120 MHz | MaterialFerrite | Gleichstromwiderstand5.6 mΩ | Nenninduktivität1.4 µH | MontageartSMT |