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IC-Hersteller SG-Micro

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ReferenzdesignSGM61184 | Demoboard SGM61184 EVM

SG-Micro SGM61184 | Demoboard SGM61184 EVM

4.5V to 18V Input (12V TYP), 1.8V/8A Output

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung4.5-18 V
Schaltfrequenz200-1600 kHz
Ausgang 13.3 V / 8 A
IC-Revision00

Beschreibung

Evaluation kit for SGM61184. Click to download the test report, schematic and PCB layout files. The Evaluation kit is available from SGMICRO upon request.The schematic and PCB file are only used as a reference for making PCB. For specific component parameters, please refer to the demo board test report or design according to the actual application.

Eigenschaften

  • 4.5V to 18V Input Voltage Range
  • 0.6V to 12V Output Voltage Range
  • 3.5μA (TYP) Shutdown Current
  • Integrated RDSON Switches: 8.6mΩ and 4.5mΩ
  • 200kHz to 1600kHz Fixed Switching Frequency
  • 0.6V Internal Voltage Reference
  • External Clock Synchronization
  • Peak Current Mode Control with Fast Transient Response
  • Hiccup Mode Current Limit
  • Safe Start-Up with Pre-Biased Outputs
  • Adjustable Soft-Start Time
  • Power Sequencing Capability
  • Adjustable Input Under-Voltage Lockout (UVLO)
  • Power Good Output Monitor for Under-Voltage and Over-Voltage Protections
  • Non-Latch Thermal Shutdown Protection
  • Available in a Green TQFN-3.5×3.5-18AL Package

Typische Anwendungen

  • Test and Measurement Devices
  • Business Exchange and Server, Wireless Infrastructure, Telecommunications Infrastructure
  • Medical Imaging Equipment

Weiterführende Informationen

Von SG-Micro freigegebene Bauteile

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC max.(mΩ)
Material
LR(µH)
fres(MHz)
MusterVerfügbarkeit & Muster
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7443320100
SPECWE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 1 µH, 34 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCC SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität1 µH
Performance Nennstrom34 A
Sättigungsstrom 130.6 A
Sättigungsstrom @ 30%33.5 A
Gleichstromwiderstand2.5 mΩ
MaterialFerrite 
Nenninduktivität0.9 µH
Eigenresonanzfrequenz96 MHz
–Verfügbarkeit prüfen