| Topologie | Abwärtswandler |
| Eingangsspannung | 4.5-18 V |
| Ausgang 1 | 3.3 V / 8 A |
| IC-Revision | 00 |
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IRP,40K(A) | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | RDC max.(mΩ) | Material | LR(µH) | fres(MHz) | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 1 µH, 34 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCC SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität1 µH | Performance Nennstrom34 A | Sättigungsstrom 130.6 A | Sättigungsstrom @ 30%33.5 A | Gleichstromwiderstand2.5 mΩ | MaterialFerrite | Nenninduktivität0.9 µH | Eigenresonanzfrequenz96 MHz |