IC-Hersteller Richtek

IC-Hersteller (103)

Richtek RTQ2826T

Peak 15A, 17V, High Efficiency Synchronous Step-Down Converter

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung4.5-17 V
Ausgang 117 V / 15 A
IC-RevisionDSQ2826T-00

Beschreibung

The RTQ2826T is a high-performance, synchronous step-down converter that can deliver up to 15A output current with an input supply voltage range of 4.5V to 17V. The device integrates low RDS(ON) power MOSFETs, accurate 0.6V reference and an integrated diode for bootstrap circuit to offer a very compact solution.The RTQ2826T adopts Advanced Constant On-Time (ACOT®) control architecture that provides ultrafast transient response and further reduces the external-component count. In steady state, the ACOT® operates in nearly constant switching frequency over line, load and output voltage ranges and makes the EMI filter design easier.The device offers a variety of functions for more design flexibility. The selectable switching frequency, current limit level and PWM operation modes makes the RTQ2826T easy-to-use over wide application range. Independent enable control input pin and power good indicator are also provided for easy sequence control. To control the inrush current during the startup, the device provides a programmable soft start-up by an external capacitor connected to the SS pin. Fully protection features are also integrated in the device including the cycle-by-cycle current limit, UVP, input UVLO and OTP.

Eigenschaften

  • 4.5V to 17V Input Voltage Range
  • Integrated 9.8mΩ/4.5mΩ MOSFETs
  • 0.6V ±1% Voltage Reference
  • Adjustable Output Voltage from 0.6V to 5.5V
  • Supports Ceramic Output Capacitor
  • ACOT® Control for Fast Transient Response
  • Selectable Switching Frequency (400kHz/800kHz/1200kHz)
  • Selectable Current Limit Level
  • Power Good Indicator
  • Programmable Soft-Start Time with a Default 1.2ms
  • Monotonic Start-Up into Pre-Biased Outputs
  • 18-Lead VQFN (FC) Package

Typische Anwendungen

  • High End Digital TV
  • Server, Storage and Network Equipment, Telecom Infrastructure
  • Point of Load (POL) Power Modules

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Material
Muster
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.33 µH, 25.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.33 µH
Performance Nennstrom25.5 A
Sättigungsstrom 19.5 A
Sättigungsstrom @ 30%20 A
Gleichstromwiderstand1.75 mΩ
Eigenresonanzfrequenz402 MHz
MaterialSuperflux 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.47 µH, 31.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.47 µH
Performance Nennstrom31.9 A
Sättigungsstrom 19 A
Sättigungsstrom @ 30%20 A
Gleichstromwiderstand1.35 mΩ
Eigenresonanzfrequenz235 MHz
MaterialSuperflux 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.68 µH, 20.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.68 µH
Performance Nennstrom20.9 A
Sättigungsstrom 19.5 A
Sättigungsstrom @ 30%20 A
Gleichstromwiderstand3.1 mΩ
Eigenresonanzfrequenz105 MHz
MaterialSuperflux 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1 µH, 19.4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Performance Nennstrom19.4 A
Sättigungsstrom 110 A
Sättigungsstrom @ 30%21 A
Gleichstromwiderstand4.79 mΩ
Eigenresonanzfrequenz69 MHz
MaterialSuperflux 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2 µH, 26.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2 µH
Performance Nennstrom26.5 A
Sättigungsstrom 19 A
Sättigungsstrom @ 30%22 A
Gleichstromwiderstand2.6 mΩ
Eigenresonanzfrequenz45 MHz
MaterialWE-PERM