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IC-Hersteller Richtek

IC-Hersteller (105)

ReferenzdesignRTQ2822B

Richtek RTQ2822B

12A, 17V, High Efficiency Synchronous Step-Down Converter

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung4.5-17 V
Ausgang 15 V / 12 A
IC-Revision00

Beschreibung

The RTQ2822A/B is a high-performance, synchronous step-down converter that can deliver up to 12A output current with an input supply voltage range of 4.5V to 17V. The device integrates low RDS(ON) power MOSFETs, accurate 0.6V reference and an integrated diode for bootstrap circuit to offer a very compact solution. Switching frequency is selectable in 400kHz, 800kHz and 1200 kHz.

Eigenschaften

  • 4.5V to 17V Input Voltage Range
  • Integrated 9.8m/4.5mMOSFETs
  • 0.6V ±1% Voltage Reference
  • Adjustable Output Voltage from 0.6V to 5.5V
  • Supports Ceramic Output Capacitor
  • ACOTTM Control for Fast Transient Response
  • Selectable Switching Frequency (400kHz/800kHz/1200kHz)
  • Selectable Current Limit Level
  • Power Good Indicator
  • Programmable Soft-Start Time with a Default 1ms
  • Monotonic Start-Up into Pre-Biased Outputs
  • 18-Lead VQFN (FC) Package

Typische Anwendungen

  • Point of Load (POL) Power Modules / High Density DC-DC Converters
  • Server, Storage and Network Equipment / Telecom Infrastructure
  • High End Digital TV

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
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Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Material
VPE
MusterVerfügbarkeit & Muster
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744314047
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.47 µH, 31.9 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität0.47 µH
Performance Nennstrom31.9 A
Sättigungsstrom 19 A
Sättigungsstrom @ 30%20 A
Gleichstromwiderstand1.35 mΩ
Eigenresonanzfrequenz235 MHz
MaterialSuperflux 
Verpackungseinheit1000 
–Verfügbarkeit prüfen
744311068
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.68 µH, 20.9 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität0.68 µH
Performance Nennstrom20.9 A
Sättigungsstrom 19.5 A
Sättigungsstrom @ 30%20 A
Gleichstromwiderstand3.1 mΩ
Eigenresonanzfrequenz105 MHz
MaterialSuperflux 
Verpackungseinheit1000 
–Verfügbarkeit prüfen
7443552150
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.5 µH, 18 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität1.5 µH
Performance Nennstrom18 A
Sättigungsstrom 16.5 A
Sättigungsstrom @ 30%17 A
Gleichstromwiderstand5.3 mΩ
Eigenresonanzfrequenz63 MHz
MaterialWE-PERM 
Verpackungseinheit800 
–Verfügbarkeit prüfen
744325240
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2.4 µH, 18.6 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität2.4 µH
Performance Nennstrom18.6 A
Sättigungsstrom 16.9 A
Sättigungsstrom @ 30%17 A
Gleichstromwiderstand4.75 mΩ
Eigenresonanzfrequenz67 MHz
MaterialSuperflux 
Verpackungseinheit700 
–Verfügbarkeit prüfen