IC-Hersteller Richtek

IC-Hersteller (103)

Richtek RTQ2820A | Demoboard DSQ2820A-00

20A, 17V, ACOT® High-Efficiency Synchronous Step-Down Converter

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung2.7-17 V
Ausgang 15.5 V / 20 A
IC-Revision1

Beschreibung

The RTQ2820A is a high-performance, synchronous buck converter that can deliver up to 20A output current with a wide input supply voltage range from 3.5V to 17V. The device integrates low RDSON power MOSFETs, an accurate 0.6V 1% reference over the full operating junction temperature range, and an integrated diode for the bootstrap circuit, offering a very compact solution.

Eigenschaften

  • Wide Input Voltage Range
  • 2.7V to 17V with External 3.3V VCC Bias
  • 3.5V to 17V with Internal VCC Bias
  • Output Voltage from 0.6V to 5.5V
  • 0.6V  0.5% Voltage Reference from 0C to 70C Junction Temperature Range
  • 0.6V 1% Voltage Reference from −40C to 150C Junction Temperature Range
  • ACOT® Control for Excellent Transient Performance
  • Stable with Ceramic Output Capacitors
  • Selectable FCCM or PSM Operation at Light Load
  • Selectable Operation Switching Frequency (600KHz/800KHz/1MHz)
  • Non-Latch for OCP, UVP, UVLO, and OTP Faults, Latch Off for OVP
  • Differential Remote Sense Voltage for High Output Accuracy
  • Power-Good Indicator
  • Enable Control
  • Programmable Soft-Start Time with a Default 1ms
  • Programmable Valley Current Limit Level
  • Monotonic Start-Up into Pre-Biased Outputs
  • Output Voltage Tracking
  • Small 21T-Lead WQFN (3x4) (FC) Package

Typische Anwendungen

  • High Density DC-DC Converters
  • Point of Load (POL) Power Modules
  • Telecom Infrastructure, Servers, Storage, and Network Equipment

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC max.(mΩ)
Material
LR(µH)
fres(MHz)
Muster
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 0.47 µH, 40.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.47 µH
Performance Nennstrom40.2 A
Sättigungsstrom 144.4 A
Sättigungsstrom @ 30%116.2 A
Gleichstromwiderstand1.85 mΩ
MaterialEisenpulver 
Nenninduktivität0.46 µH
Eigenresonanzfrequenz140 MHz
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 0.68 µH, 40.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.68 µH
Performance Nennstrom40.2 A
Sättigungsstrom 139.3 A
Sättigungsstrom @ 30%63.5 A
Gleichstromwiderstand1.85 mΩ
MaterialEisenpulver 
Nenninduktivität0.66 µH
Eigenresonanzfrequenz120 MHz
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 1 µH, 32.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Performance Nennstrom32.5 A
Sättigungsstrom 128.5 A
Sättigungsstrom @ 30%55.1 A
Gleichstromwiderstand2.5 mΩ
MaterialEisenpulver 
Nenninduktivität0.94 µH
Eigenresonanzfrequenz100 MHz
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 1.5 µH, 26.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 µH
Performance Nennstrom26.9 A
Sättigungsstrom 121.9 A
Sättigungsstrom @ 30%54.5 A
Gleichstromwiderstand3.5 mΩ
MaterialEisenpulver 
Nenninduktivität1.36 µH
Eigenresonanzfrequenz120 MHz