IC-Hersteller Richtek

IC-Hersteller (103)

Richtek RT7299B

8A, 18V, Synchronous Step-Down Converter

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung4.5-18 V
Schaltfrequenz200-1600 kHz
Ausgang 11.8 V / 8 A
IC-RevisionDS7299B-04

Beschreibung

The RT7299B is a high efficiency, monolithic synchronous step-down DC/DC converter that can deliver up to 8A output current from a 4.5V to 18V input supply. The RT7299B current-mode architecture with external compensation allows the transient response to be optimized over a wide range of loads and output capacitors. Cycle-by-cycle current limit provides protection against shorted outputs and soft-start eliminates input current surge during start-up. Fault condition protections include output under-voltage protection, output over-voltage protection, and over-temperature protection. The low current shutdown mode provides output disconnection, enabling easy power management in battery-powered systems.

Eigenschaften

  • Low RDS(ON) Power MOSFET Switches 26mΩ/19mΩ
  • Input Voltage Range : 4.5V to 18V
  • Adjustable Switching Frequency : 200kHz to 1.6MHz
  • Current-Mode Control
  • Synchronous to External Clock : 200kHz to 1.6MHz
  • Accurate Voltage Reference 0.6V ± 1%
  • Monotonic Start-Up into Pre-biased Outputs
  • Adjustable Soft-Start
  • Power Good Indicator
  • Input Under-Voltage Lockout
  • Selectable Hiccup Mode and Latch-Off Mode Under-Voltage Protection
  • Over-Temperature and Over-Voltage Protection
  • RoHS Compliant and Halogen Free

Typische Anwendungen

  • Notebook Computers
  • High Performance Point of Load Regulation / High Density and Distributed Power Systems

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Material
Muster
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2 µH, 26.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2 µH
Performance Nennstrom26.5 A
Sättigungsstrom 19 A
Sättigungsstrom @ 30%22 A
Gleichstromwiderstand2.6 mΩ
Eigenresonanzfrequenz45 MHz
MaterialWE-PERM 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2.4 µH, 18.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.4 µH
Performance Nennstrom18.6 A
Sättigungsstrom 16.9 A
Sättigungsstrom @ 30%17 A
Gleichstromwiderstand4.75 mΩ
Eigenresonanzfrequenz67 MHz
MaterialSuperflux 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2.8 µH, 22.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.8 µH
Performance Nennstrom22.5 A
Sättigungsstrom 18 A
Sättigungsstrom @ 30%17.5 A
Gleichstromwiderstand3.3 mΩ
Eigenresonanzfrequenz35 MHz
MaterialWE-PERM