| Topologie | Abwärtswandler |
| Eingangsspannung | 4.5-18 V |
| Schaltfrequenz | 200-1200 kHz |
| Ausgang 1 | 1 V / 3 A |
| IC-Revision | 00 |
The RT6251A/B is a high efficiency, monolithic synchronous step-down DC/DC converter that can deliver up to 3A output current from a 4.5V to 18V input supply. The RT6251A/B current-mode architecture with external compensation allows the transient response to be optimized over a wide range of loads and output capacitors. Cycle-by-cycle current limit provides protection against shorted outputs and soft-start eliminates input current surge during start-up. Fault condition protections include output under-voltage protection, output over-voltage protection, and over-temperature protection. The low current shutdown mode provides output disconnection, enabling easy power management in battery-powered systems.
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IRP,40K(A) | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | RDC(mΩ) | fres(MHz) | Material | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2 µH, 26.5 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität2 µH | Performance Nennstrom26.5 A | Sättigungsstrom 19 A | Sättigungsstrom @ 30%22 A | Gleichstromwiderstand2.6 mΩ | Eigenresonanzfrequenz45 MHz | MaterialWE-PERM | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2.4 µH, 18.6 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität2.4 µH | Performance Nennstrom18.6 A | Sättigungsstrom 16.9 A | Sättigungsstrom @ 30%17 A | Gleichstromwiderstand4.75 mΩ | Eigenresonanzfrequenz67 MHz | MaterialSuperflux | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 3.7 µH, 18.3 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität3.7 µH | Performance Nennstrom18.3 A | Sättigungsstrom 17 A | Sättigungsstrom @ 30%16 A | Gleichstromwiderstand4.9 mΩ | Eigenresonanzfrequenz26 MHz | MaterialWE-PERM | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 4.2 µH, 15.4 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität4.2 µH | Performance Nennstrom15.4 A | Sättigungsstrom 15 A | Sättigungsstrom @ 30%14 A | Gleichstromwiderstand7.1 mΩ | Eigenresonanzfrequenz33 MHz | MaterialSuperflux | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 4.7 µH, 14.9 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität4.7 µH | Performance Nennstrom14.9 A | Sättigungsstrom 16 A | Sättigungsstrom @ 30%15 A | Gleichstromwiderstand7 mΩ | Eigenresonanzfrequenz30 MHz | MaterialWE-PERM | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 5.5 µH, 12 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität5.5 µH | Performance Nennstrom12 A | Sättigungsstrom 14.5 A | Sättigungsstrom @ 30%12 A | Gleichstromwiderstand10.3 mΩ | Eigenresonanzfrequenz30 MHz | MaterialSuperflux | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 6.5 µH, 11 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität6.5 µH | Performance Nennstrom11 A | Sättigungsstrom 14.4 A | Sättigungsstrom @ 30%10 A | Gleichstromwiderstand12.5 mΩ | Eigenresonanzfrequenz27 MHz | MaterialSuperflux | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 7.3 µH, 16.5 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität7.3 µH | Performance Nennstrom16.5 A | Sättigungsstrom 15.5 A | Sättigungsstrom @ 30%12 A | Gleichstromwiderstand5.9 mΩ | Eigenresonanzfrequenz28 MHz | MaterialWE-PERM |