IC-Hersteller Richtek

IC-Hersteller (103)

Richtek RT2857B | Demoboard DS2857B-03

6A, 18V, Synchronous Step-Down Converter

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung4.5-18 V
Schaltfrequenz200-1600 kHz
Ausgang 118 V / 6 A
IC-RevisionDS2857B-03

Beschreibung

6A, 18V, Synchronous Step-Down ConverterThe RT2857B is a high efficiency, monolithic synchronousstep-down DC/DC converter that can deliver up to 6A outputcurrent from a 4.5V to 18V input supply. The RT2857Bcurrent-mode architecture with external compensationallows the transient response to be optimized over a widerange of loads and output capacitors. Cycle-by-cyclecurrent limit provides protection against shorted outputsand soft-start eliminates input current surge during startup.Fault condition protections include output over-currentprotection, output over-voltage protection, and overtemperatureprotection. The low current shutdown modeprovides output disconnection, enabling easy powermanagement in battery-powered systems.

Eigenschaften

 Low RDS(ON) Power MOSFET Switches 26mΩ/19mΩ Input Voltage Range : 4.5V to 18V Adjustable Switching Frequency : 200kHz to 1.6MHz Current-Mode Control Synchronous to External Clock : 200kHz to 1.6MHz Accurate Voltage Reference 0.6V ± 1%, Over −40°Cto 85°C Monotonic Start-Up into Pre-biased Outputs Adjustable Soft-Start Power Good Indicator Over-Current Protection Over-Temperature and Over-Voltage Protection Input Under-Voltage Lockout RoHS Compliant and Halogen Free

Typische Anwendungen

  • Notebook Computers
  • High Performance Point of Load Regulation / High Density and Distributed Power Systems

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
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Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Material
Muster
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.5 µH, 18 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 µH
Performance Nennstrom18 A
Sättigungsstrom 16.5 A
Sättigungsstrom @ 30%17 A
Gleichstromwiderstand5.3 mΩ
Eigenresonanzfrequenz63 MHz
MaterialWE-PERM 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.8 µH, 22.1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.8 µH
Performance Nennstrom22.1 A
Sättigungsstrom 17 A
Sättigungsstrom @ 30%18 A
Gleichstromwiderstand3.5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz70 MHz
MaterialSuperflux 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2 µH, 14.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2 µH
Performance Nennstrom14.8 A
Sättigungsstrom 15 A
Sättigungsstrom @ 30%13 A
Gleichstromwiderstand7.3 mΩ
Eigenresonanzfrequenz53 MHz
MaterialWE-PERM 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2.2 µH, 12.4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Performance Nennstrom12.4 A
Sättigungsstrom 17 A
Sättigungsstrom @ 30%15 A
Gleichstromwiderstand11.38 mΩ
Eigenresonanzfrequenz36 MHz
MaterialSuperflux 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2.4 µH, 18.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.4 µH
Performance Nennstrom18.6 A
Sättigungsstrom 16.9 A
Sättigungsstrom @ 30%17 A
Gleichstromwiderstand4.75 mΩ
Eigenresonanzfrequenz67 MHz
MaterialSuperflux 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2.8 µH, 12.1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.8 µH
Performance Nennstrom12.1 A
Sättigungsstrom 14.8 A
Sättigungsstrom @ 30%11 A
Gleichstromwiderstand10.6 mΩ
Eigenresonanzfrequenz46 MHz
MaterialWE-PERM 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 3.3 µH, 16.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Performance Nennstrom16.6 A
Sättigungsstrom 15 A
Sättigungsstrom @ 30%15 A
Gleichstromwiderstand5.9 mΩ
Eigenresonanzfrequenz54 MHz
MaterialSuperflux 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 4.2 µH, 15.4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.2 µH
Performance Nennstrom15.4 A
Sättigungsstrom 15 A
Sättigungsstrom @ 30%14 A
Gleichstromwiderstand7.1 mΩ
Eigenresonanzfrequenz33 MHz
MaterialSuperflux 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 4.3 µH, 10.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.3 µH
Performance Nennstrom10.9 A
Sättigungsstrom 13.5 A
Sättigungsstrom @ 30%8 A
Gleichstromwiderstand14.1 mΩ
Eigenresonanzfrequenz33 MHz
MaterialWE-PERM 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 5.5 µH, 12 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität5.5 µH
Performance Nennstrom12 A
Sättigungsstrom 14.5 A
Sättigungsstrom @ 30%12 A
Gleichstromwiderstand10.3 mΩ
Eigenresonanzfrequenz30 MHz
MaterialSuperflux 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 5.6 µH, 8.3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität5.6 µH
Performance Nennstrom8.3 A
Sättigungsstrom 13.3 A
Sättigungsstrom @ 30%7.5 A
Gleichstromwiderstand20.6 mΩ
Eigenresonanzfrequenz30 MHz
MaterialWE-PERM