| Topologie | Abwärtswandler |
| Eingangsspannung | 4.5-18 V |
| Schaltfrequenz | 200-1600 kHz |
| Ausgang 1 | 18 V / 6 A |
| IC-Revision | DS2857B-03 |
6A, 18V, Synchronous Step-Down ConverterThe RT2857B is a high efficiency, monolithic synchronousstep-down DC/DC converter that can deliver up to 6A outputcurrent from a 4.5V to 18V input supply. The RT2857Bcurrent-mode architecture with external compensationallows the transient response to be optimized over a widerange of loads and output capacitors. Cycle-by-cyclecurrent limit provides protection against shorted outputsand soft-start eliminates input current surge during startup.Fault condition protections include output over-currentprotection, output over-voltage protection, and overtemperatureprotection. The low current shutdown modeprovides output disconnection, enabling easy powermanagement in battery-powered systems.
Low RDS(ON) Power MOSFET Switches 26mΩ/19mΩ Input Voltage Range : 4.5V to 18V Adjustable Switching Frequency : 200kHz to 1.6MHz Current-Mode Control Synchronous to External Clock : 200kHz to 1.6MHz Accurate Voltage Reference 0.6V ± 1%, Over −40°Cto 85°C Monotonic Start-Up into Pre-biased Outputs Adjustable Soft-Start Power Good Indicator Over-Current Protection Over-Temperature and Over-Voltage Protection Input Under-Voltage Lockout RoHS Compliant and Halogen Free
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IRP,40K(A) | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | RDC(mΩ) | fres(MHz) | Material | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.5 µH, 18 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität1.5 µH | Performance Nennstrom18 A | Sättigungsstrom 16.5 A | Sättigungsstrom @ 30%17 A | Gleichstromwiderstand5.3 mΩ | Eigenresonanzfrequenz63 MHz | MaterialWE-PERM | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.8 µH, 22.1 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität1.8 µH | Performance Nennstrom22.1 A | Sättigungsstrom 17 A | Sättigungsstrom @ 30%18 A | Gleichstromwiderstand3.5 mΩ | Eigenresonanzfrequenz70 MHz | MaterialSuperflux | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2 µH, 14.8 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität2 µH | Performance Nennstrom14.8 A | Sättigungsstrom 15 A | Sättigungsstrom @ 30%13 A | Gleichstromwiderstand7.3 mΩ | Eigenresonanzfrequenz53 MHz | MaterialWE-PERM | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2.2 µH, 12.4 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität2.2 µH | Performance Nennstrom12.4 A | Sättigungsstrom 17 A | Sättigungsstrom @ 30%15 A | Gleichstromwiderstand11.38 mΩ | Eigenresonanzfrequenz36 MHz | MaterialSuperflux | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2.4 µH, 18.6 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität2.4 µH | Performance Nennstrom18.6 A | Sättigungsstrom 16.9 A | Sättigungsstrom @ 30%17 A | Gleichstromwiderstand4.75 mΩ | Eigenresonanzfrequenz67 MHz | MaterialSuperflux | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2.8 µH, 12.1 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität2.8 µH | Performance Nennstrom12.1 A | Sättigungsstrom 14.8 A | Sättigungsstrom @ 30%11 A | Gleichstromwiderstand10.6 mΩ | Eigenresonanzfrequenz46 MHz | MaterialWE-PERM | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 3.3 µH, 16.6 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität3.3 µH | Performance Nennstrom16.6 A | Sättigungsstrom 15 A | Sättigungsstrom @ 30%15 A | Gleichstromwiderstand5.9 mΩ | Eigenresonanzfrequenz54 MHz | MaterialSuperflux | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 4.2 µH, 15.4 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität4.2 µH | Performance Nennstrom15.4 A | Sättigungsstrom 15 A | Sättigungsstrom @ 30%14 A | Gleichstromwiderstand7.1 mΩ | Eigenresonanzfrequenz33 MHz | MaterialSuperflux | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 4.3 µH, 10.9 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität4.3 µH | Performance Nennstrom10.9 A | Sättigungsstrom 13.5 A | Sättigungsstrom @ 30%8 A | Gleichstromwiderstand14.1 mΩ | Eigenresonanzfrequenz33 MHz | MaterialWE-PERM | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 5.5 µH, 12 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität5.5 µH | Performance Nennstrom12 A | Sättigungsstrom 14.5 A | Sättigungsstrom @ 30%12 A | Gleichstromwiderstand10.3 mΩ | Eigenresonanzfrequenz30 MHz | MaterialSuperflux | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 5.6 µH, 8.3 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität5.6 µH | Performance Nennstrom8.3 A | Sättigungsstrom 13.3 A | Sättigungsstrom @ 30%7.5 A | Gleichstromwiderstand20.6 mΩ | Eigenresonanzfrequenz30 MHz | MaterialWE-PERM |