IC-Hersteller Richtek

IC-Hersteller (103)

Richtek RT2856

6A, 18V, Synchronous Step-Down Converter

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung4.5-18 V
Schaltfrequenz200-1600 kHz
Ausgang 11.2 V / 6 A

Beschreibung

The RT2856 is a high efficiency, monolithic synchronous step-down DC/DC converter that can deliver up to 6A output current from a 4.5V to 18V input supply. The RT2856 current-mode architecture with external compensation allows the transient response to be optimized over a wide range of loads and output capacitors. Cycle-by-cycle current limit provides protection against shorted outputs and soft-start eliminates input current surge during startup. Fault condition protections include output under-voltage protection, output over-voltage protection, and overtemperature protection. The low current shutdown mode provides output disconnection, enabling easy power management in battery-powered systems.

Eigenschaften

  • Low RDS(ON) Power MOSFET Switches 26mΩ/19mΩ
  • Input Voltage Range: 4.5V to 18V
  • Adjustable Switching Frequency : 200kHz to 1.6MHz
  • Current-Mode Control
  • Synchronous to External Clock : 200kHz to 1.6MHz
  • Accurate Voltage Reference 0.8V±1%, Over −40°C to 85°C
  • Monotonic Start-Up into Pre-biased Outputs
  • Adjustable Soft-Start
  • Power Good Indicator
  • Under-Voltage and Over-Voltage Protection
  • Input Under-Voltage Lockout
  • RoHS Compliant and Halogen Free

Typische Anwendungen

  • Notebook Computers
  • High Performance Point of Load Regulation/ High Density and Distributed Power Systems

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Material
Muster
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 3.2 µH, 19.1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.2 µH
Performance Nennstrom19.1 A
Sättigungsstrom 16 A
Sättigungsstrom @ 30%15 A
Gleichstromwiderstand5.3 mΩ
Eigenresonanzfrequenz34 MHz
MaterialWE-PERM 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 3.3 µH, 16.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Performance Nennstrom16.6 A
Sättigungsstrom 15 A
Sättigungsstrom @ 30%15 A
Gleichstromwiderstand5.9 mΩ
Eigenresonanzfrequenz54 MHz
MaterialSuperflux 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 3.7 µH, 18.3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.7 µH
Performance Nennstrom18.3 A
Sättigungsstrom 17 A
Sättigungsstrom @ 30%16 A
Gleichstromwiderstand4.9 mΩ
Eigenresonanzfrequenz26 MHz
MaterialWE-PERM 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 4.2 µH, 15.4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.2 µH
Performance Nennstrom15.4 A
Sättigungsstrom 15 A
Sättigungsstrom @ 30%14 A
Gleichstromwiderstand7.1 mΩ
Eigenresonanzfrequenz33 MHz
MaterialSuperflux 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 4.8 µH, 12.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.8 µH
Performance Nennstrom12.9 A
Sättigungsstrom 15.5 A
Sättigungsstrom @ 30%13 A
Gleichstromwiderstand10.5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz28 MHz
MaterialWE-PERM 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 5.5 µH, 12 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität5.5 µH
Performance Nennstrom12 A
Sättigungsstrom 14.5 A
Sättigungsstrom @ 30%12 A
Gleichstromwiderstand10.3 mΩ
Eigenresonanzfrequenz30 MHz
MaterialSuperflux